產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NCS-R80 無(wú)接觸厚度電阻率測(cè)試儀是一款用于硅片的厚度、電阻率測(cè)量的專業(yè)儀器，該儀器適用于Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有的材料，所有的設(shè)計(jì)都符合ASTM（美國(guó)材料實(shí)驗(yàn)協(xié)會(huì)）和Semi標(biāo)準(zhǔn)，確保與其他工藝儀器的兼容與統(tǒng)一。
特征
■無(wú)接觸無(wú)損傷測(cè)量
■電阻率和厚度同時(shí)測(cè)量
■適用的晶圓材料包括Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有的材料
■電腦觸摸屏顯示
■抗干擾強(qiáng)，穩(wěn)定性好
■強(qiáng)大的工控機(jī)控制和大屏幕顯示
■一體化設(shè)計(jì)操作更方便，系統(tǒng)穩(wěn)定
■為晶圓硅片關(guān)鍵生產(chǎn)工藝提供精確的無(wú)接觸測(cè)量
技術(shù)指標(biāo)
■測(cè)試尺寸：50mm- 300mm.
■厚度測(cè)試范圍：1000 um，可擴(kuò)展到1700 um
■厚度測(cè)試精度：+/-0.25um
■厚度重復(fù)性精度：0.050um
■厚度重復(fù)性精度：0.050um
■TTV 測(cè)試精度: +/-0.05um
■TTV重復(fù)性精度: 0.050um
■TTV重復(fù)性精度: 0.050um
■電阻率測(cè)試范圍：0.1ohm.cm——50 ohm.cm
■電阻率測(cè)試精度：+/- 2%
■電阻率測(cè)試精度：+/- 2%
■電阻率測(cè)量重復(fù)精度：+/- 1%
■晶圓硅片導(dǎo)電型號(hào)：P 或 N型
■材料：Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有半導(dǎo)體材料
■可用在：切片后、磨片前、后，蝕刻，拋光以及出廠、入廠質(zhì)量檢測(cè)等
■平面/缺口：所有的半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)平面或缺口
■硅片安裝：裸片，藍(lán)寶石/石英基底，黏膠帶
■連續(xù)5點(diǎn)測(cè)量
應(yīng)用范圍
>切片
>>線鋸設(shè)置
>>>厚度
>>>總厚度變化TTV
>>>電阻率
>>監(jiān)測(cè)
>>>導(dǎo)線槽
>>>刀片更換
>磨片/刻蝕和拋光
>>過(guò)程監(jiān)控
>>厚度
>>總厚度變化TTV
>>材料去除率
> 研磨
>>材料去除率
> zui終檢測(cè)
>> 抽檢或全檢
>>終檢厚度
>>終檢電阻率
環(huán)保在線