工藝介紹（光盤資料）： 
    CZ硅單晶是一項(xiàng)系統(tǒng)工程，不僅需要對拉晶本身的設(shè)備衛(wèi)檢、冷檢、熔料、穩(wěn)定、引晶、放肩、等徑、收尾、冷卻過程工藝要全面把握，而且也離不開對硅料的分選，清洗、配料、摻雜、熱場、坩堝、機(jī)械設(shè)備、控制系統(tǒng)等因素的綜合把握，任何一個(gè)環(huán)節(jié)和能力的缺失，都無法保證產(chǎn)品的質(zhì)量和產(chǎn)量。
    本直拉硅單晶完整制備工藝光盤資料將系統(tǒng)地對上述各個(gè)方面進(jìn)行從原理到實(shí)際操作進(jìn)行全面的深入淺出的分析闡述，是一份的硅單晶制備工藝資料。
    同時(shí)本公司可針對用戶實(shí)際生產(chǎn)中存在的問題及新上項(xiàng)目，提供技術(shù)咨詢及整體解決方案服務(wù)。 
 
包含工藝：
■ 從概念理論到實(shí)際操作、從發(fā)現(xiàn)問題到解決方案工藝過程、從數(shù)據(jù)公式到表格配方等多方面進(jìn)行闡述分析直拉單晶工藝； 
■ 各種硅料的清洗； 
■ 各種硅料的初選及復(fù)選；
■ 拉晶過程的全面闡述；
■ 單晶硅的電阻率和摻雜計(jì)算；
■ 拉晶過程中的異常情況及其處理；
■ 硅料的檢測分選；
■ 重?fù)?、型號、電阻率檢測；
■ 氧碳檢測；
■ 少子壽命檢測；
■ 硅片硅棒其他檢測；
■ 高純水制備、高純氬氣純化；
■ 石墨熱場、石英坩堝、籽晶；
■ 切斷、滾磨和打磨定位面；
■ 直拉單晶常用數(shù)據(jù)、公式、表格；
■ 其他......

推薦光盤運(yùn)行環(huán)境：
■ CPU：P3同類檔次或更高檔次以上。 
■ 內(nèi)存： 256M以上內(nèi)存。 
■ 硬盤空間： 10G以上均可。 
■ 顯示器： VGA或更高分辨率，建議分辨率為 1024x768像素。
■ 操作系統(tǒng): Microsoft Windows 2000/XP/Vistas