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(帶Load_Lock裝置)全自動(dòng)型感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)ICP-8000

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更新時(shí)間：2022-12-08 16:13:39瀏覽次數(shù)：331次

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北京金盛微納科技有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

本設(shè)備采用PLC控制，觸摸顯示屏操作

詳細(xì)介紹

本設(shè)備采用PLC控制，觸摸顯示屏操作。其數(shù)字化參數(shù)界面和自動(dòng)化操作方式為用戶提供了優(yōu)良的研發(fā)和生產(chǎn)平臺(tái)。

設(shè)備通過(guò)對(duì)真空系統(tǒng)、下游壓力閉環(huán)控制、射頻電源、氣體流量及工藝過(guò)程的自動(dòng)控制，以及所具有的安全互鎖、智能監(jiān)控、在線狀態(tài)記憶、斷點(diǎn)保護(hù)等功能。從而獲得較高的刻蝕速率，并能精確地控制圖形的剖面。使設(shè)備的安全性、重復(fù)性、穩(wěn)定性、可靠性得到有效保證。

本設(shè)備主要用于微電子、光電子、通訊、微機(jī)械等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。

產(chǎn)品主要性能指標(biāo)

型號(hào)	ICP-2B	ICP-500	ICP-5100
真空系統(tǒng)	分子泵機(jī)組		進(jìn)樣室：機(jī)械泵系統(tǒng)；刻蝕室：分子泵機(jī)組
刻蝕室數(shù)量	單室
刻蝕室規(guī)格	?300×280mm
電極尺寸	?200mm
刻蝕材料	Poly-Si、Si、SiO₂、Si₃N₄、W、Mo、GaN、GaAs等
刻蝕速率	0.1 – 1 μ/min （與刻蝕材料和工藝有關(guān)）
刻蝕不均勻性	≤±5%
深硅刻蝕控制單元	可選
自動(dòng)化程度		真空系統(tǒng)、下游壓力閉環(huán)控制、射頻電源、氣體流量、工藝過(guò)程全自動(dòng)控制。		真空系統(tǒng)、機(jī)械手送/取樣片、下游壓力閉環(huán)控制、射頻電源、氣體流量、工藝過(guò)程全自動(dòng)控制。
人機(jī)界面		Windows環(huán)境、觸摸屏操作
操作方式	手動(dòng)	全自動(dòng)方式、非全自動(dòng)方式
配套件選配		可選擇進(jìn)口件或國(guó)產(chǎn)件