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全自動型反應離子刻蝕機(RIE)

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更新時間：2022-12-13 17:17:48瀏覽次數(shù)：561次

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北京金盛微納科技有限公司

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產(chǎn)品簡介

本產(chǎn)品是“標準型反應離子刻蝕機（RIE）"的全自動雙室產(chǎn)品

詳細介紹

本產(chǎn)品是“標準型反應離子刻蝕機（RIE）"的全自動雙室產(chǎn)品。

詳細描述

本產(chǎn)品通過物理與化學相結(jié)合的方法，對很細的線條（亞微米以下）進行刻蝕以形成精細的圖形。

本設備具有選擇比較好、刻蝕速度較快、重復性好、性價比較高等特點?？煽涛g的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。

本產(chǎn)品通過對真空系統(tǒng)、工作壓強、射頻電源匹配、氣體流量及工藝過程的全自動控制，使工藝的重復性、穩(wěn)定性、可靠性得到有效保證，從而獲得較高的刻蝕速率，并能精確地控制圖形的剖面。

本設備的數(shù)字化參數(shù)界面和自動化操作方式為用戶提供了優(yōu)良的研發(fā)和生產(chǎn)平臺。

本產(chǎn)品通過軟、硬件相互配合的互鎖、智能監(jiān)控、在線狀態(tài)記憶、斷點保護等設計，結(jié)合各種硬保護裝置、使設備的安全性、可靠性得到有效保證。

本產(chǎn)品主要用于微電子、光電子、通訊、微機械等領域的器件研發(fā)和制造。

產(chǎn)品主要性能指標

型號	RIE-502
真空系統(tǒng)	分子泵機組
刻蝕室數(shù)量	雙室
刻蝕室規(guī)格	?300×100mm
電極尺寸	?200mm
刻蝕材料	Poly-Si、Si、SiO₂、Si₃N₄、W、Mo、GaN、GaAs等。
刻蝕速率	0.1 – 1 μ/min （與刻蝕材料和工藝有關）
刻蝕不均勻性	≤±5%
自動化程度	真空系統(tǒng)、下游壓力閉環(huán)控制、射頻電源、氣體流量、工藝過程全自動控制。
人機界面	Windows環(huán)境、觸摸屏操作
操作方式	全自動方式、非全自動方式
自動化裝置的選配	可選擇進口件或國產(chǎn)件