上海巨納科技有限公司
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：金屬有機(jī)骨架材料（MOFs）是近十年來(lái)發(fā)展迅速的一種配位聚合物，具有三維的孔結(jié)構(gòu)，一般以金屬離子為連接點(diǎn)，有機(jī)配體位支撐構(gòu)成空間3D延伸，系沸石和碳納...
產(chǎn)品型號(hào)：MOFs所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過(guò)化學(xué)氣相沉積高溫生長(zhǎng)石墨烯薄膜層，借助泡沫基底的三維多孔骨架，生長(zhǎng)成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò)。三維石墨烯具有體表面積大，導(dǎo)電...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：材料簡(jiǎn)介： 三維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過(guò)化學(xué)氣相沉積高溫生長(zhǎng)石墨烯薄膜層，借助泡沫基底的三維多孔骨架，生長(zhǎng)成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò)。三維石墨烯具有體...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：The 3D Graphene Foam is deposited comformably onto Nickel foam foils by che...
產(chǎn)品型號(hào)：2D Semiconductor所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：形態(tài)：金屬有機(jī)骨架（MOF）外觀：藍(lán)色粉體粒徑（um）：10-20BET比表面積（m2/g）：≥1172孔隙體積（cm3/g）：0.57孔徑（nm）：...
產(chǎn)品型號(hào)：Cu-BTC （HKUST-1）所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：CVD Graphene sheets have been deposited onto 50 micron thick Cu foils using...
產(chǎn)品型號(hào)：2D Semiconductor所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：1. 制備方法A型：溶劑熱法B型：溶劑熱法+干燥150攝氏度（8小時(shí)） 2. 表征A型：形態(tài)：金屬有機(jī)骨架（MOFs）外觀：粉紫色粒徑：150-400...
產(chǎn)品型號(hào)：ZIF-67所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：金屬有機(jī)骨架化合物（Metal Organic Framework）-Zeolitic Imidazolate Framework-8 （ZIF-8）...
產(chǎn)品型號(hào)：ZIF-8所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Monolayer molybdenum disulfide （1H-MoS?） flakes have been exfoliated from b...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：德國(guó)2DNext大面積機(jī)械剝離單層材料（WSe2, WS2, MoS2）尺寸gt;75*75um尺寸：gt;75*75um德國(guó)2D Next主要提供機(jī)...
產(chǎn)品型號(hào)：75*75um所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Monolayer molybdenum diselenide （1H-MoSe?） flakes have been exfoliated from...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Monolayer Rhenium diselenide flakes have been exfoliated from bulk ReSe? cr...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Monolayer tungsten disulfide （1H-WS?） flakes have been exfoliated from bulk...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Monolayer tungsten diselenide （1H-WSe?） flakes have been exfoliated from bu...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Substrate:Sapphire （c-cut）Quartz （Silica）TEM grids （please supply grids）The...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Newly acquired ion implantation accelerator unit allows 2Dsemiconductors US...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：高純度黑磷晶體 Black Phosphorus-Crystal晶體結(jié)構(gòu)：正斜方晶結(jié)構(gòu)晶體尺寸：~10mm電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系晶胞參數(shù)：...
產(chǎn)品型號(hào)：HQBP所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：黑砷磷/晶體黑磷-砷合金 BP-As alloy （Black Phosphorus-Arsenic Alloy）晶體尺寸：~mm電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體...
產(chǎn)品型號(hào)：HQBP-As所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：黑磷晶體 Black Phosphorus-Crystal制備方法：化學(xué)氣相沉積法組成：黑磷外觀：片狀顆粒結(jié)構(gòu)，金屬般光澤寬度：毫米級(jí)長(zhǎng)度：1厘米包裝...
產(chǎn)品型號(hào)：ACSBP200MGC所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：黑磷晶體 Black Phosphorus-Crystal制備方法：化學(xué)氣相沉積法組成：黑磷外觀：片狀顆粒結(jié)構(gòu)，金屬般光澤寬度：毫米級(jí)長(zhǎng)度：1厘米包裝...
產(chǎn)品型號(hào)：ACSBP500MGC所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-08 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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