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詳細摘要： 簡要描述：硫化鎵晶體 GaS（Gallium Sulfide）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = 0.360, b = 0.6...
產(chǎn)品型號：所在地：上海更新時間：2024-02-12 在線留言
詳細摘要： 簡要描述：硫化鍺晶體 GeS（Germanium Sulfide）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系晶胞參數(shù)：a = 1.450, b = ...
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詳細摘要： 簡要描述：二硫化鉿晶體 HfS2 （Hafnium Disulfide）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.363...
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詳細摘要： 簡要描述：二硫化鉬晶體（天然） MoS2（Molybdenum Disulfide）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形類型：天然晶體尺寸：~10mm-20mm純度：gt;99%屬...
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詳細摘要： 簡要描述：二硫化鉬晶體（2H-合成/99.995%/n 型） MoS2（Molybdenum Disulfide）-syn晶體尺寸:~10毫米電學(xué)性能：N型半導(dǎo)...
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詳細摘要： 簡要描述：二硫化鉬晶體（2H-合成/99.995%/p 型） MoS2（Molybdenum Disulfide）-syn晶體尺寸:~10毫米電學(xué)性能：P型半導(dǎo)...
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詳細摘要： 簡要描述：大尺寸二硫化鉬晶體（天然/99.9%） MoS2（Molybdenum Disulfide）晶體尺寸：~10毫米- 15毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：...
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詳細摘要： 簡要描述：二硫化鎢鉬晶體 MoWS2（Molybdenum Tungsten Disulfide alloy）晶體尺寸：~6毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形...
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詳細摘要： 簡要描述：二硫化鈮晶體 3R-NbS2（Niobium Disulfide）晶體尺寸：4毫米電學(xué)性能：金屬晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.330 ...
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詳細摘要： 簡要描述：二硫化鉛錫晶體 PbSnS2（Lead Tin Disulfide）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形類型：天然晶體尺寸：~8mm純度：gt;99.995%屬性：半導(dǎo)體
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詳細摘要： 簡要描述：二硫化錸晶體 ReS2 （Rhenium Disulfide）晶體結(jié)構(gòu)：三斜晶晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：N型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：三斜晶系晶胞參數(shù)：a =...
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詳細摘要： 簡要描述：二硫化錫晶體 2H-SnS2（Tin Sulfide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體（~ 2.2ev）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0...
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詳細摘要： 簡要描述：二硫化鉭晶體（1T） TaS2（Tantalum Sulfide） -1T晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體，電荷密度波（CDW），Mott相晶體結(jié)構(gòu)...
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詳細摘要： 簡要描述：二硫化鉭晶體（2H） TaS2（Tantalum Sulfide） -2H晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：Metal, Charge density w...
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詳細摘要： 簡要描述：二硫化鈦晶體 TiS2（Tantalum Sulfide） 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸:~10毫米電學(xué)性能：半金屬，逆磁性晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a ...
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詳細摘要： 簡要描述：二硫化鎢晶體 2H-WS2（Tungsten Disulfide）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：N型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a...
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詳細摘要： 簡要描述：Rhenium atoms perfectly incorporated into MoS? matrix.
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詳細摘要： 簡要描述：硫鹽礦物晶體 Pb3Sn4FeSb2S14（Lead Tin Ferrum Antimony Sulfide）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形類型：合成尺寸：~8mm...
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詳細摘要： 簡要描述：Single crystal highly oriented -synthetic- molybdenum disulfide （2H-MoS?） c...
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詳細摘要： 簡要描述：晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系晶胞參數(shù)：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= ...
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