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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：硒化鉍晶體 Bi2Se3（Bismuth Selenide）晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：拓?fù)浣^緣體晶體結(jié)構(gòu)：菱面體晶胞參數(shù)：a = b = 0.413...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：硒化鎵晶體 2H-GaSe（Gallium Selenide）晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.374 ...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：硒化鍺晶體 GeSe （Germanium Selenide）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系晶胞參數(shù)：a = 0.383 nm...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硒化鉿晶體 HfSe2（Hafnium Selenide）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.3745...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：硒化銦晶體 In2Se3（Indium Selenide）晶體尺寸：8-10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.398 ...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硒化鉬晶體 2H-MoSe2（Molybdenum Diselenide）-P型晶體尺寸：~10毫米電學(xué)特性：P型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：晶體尺寸：~6毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：取決于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：硒化鎢鉬晶體 MoWSe2（Molybdenum Tungsten Diselenide）晶體尺寸：6毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：取...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硒化鈮晶體 2H-NbSe2（Niobium Selenide）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：金屬，半導(dǎo)體（TC ~ 7.2k） Charge De...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硒化鉑晶體 PtSe2 （Platinum Selenide）晶體尺寸：2-3毫米電學(xué)性能：半金屬晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.37...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硒化錸晶體 ReSe2（Rhenium Selenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：n型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：三斜晶系晶胞參數(shù)：a = 0.658 nm...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硒化錫晶體 SnSe2 （Tin Selenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.381, c =...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硒化鉭晶體 2H-TaSe2 （Tantalum Selenide）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：Metal, Charge density wav...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：硒化鈦 1T-TiSe2（Titanium Selenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半金屬，電荷密度波（CDW）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a =...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硒化釩晶體 VSe2 （Vanadium Diselenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：金屬，電荷密度波（CDW）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a ...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硒化鎢晶體 WSe2（Tungsten Diselenide）-P型晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體，P型晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b ...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硒化鋯晶體 ZrSe2 （Zirconium Selenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.37...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：晶體尺寸：亞毫米大小電學(xué)特性：金屬晶體結(jié)構(gòu)：?jiǎn)涡本稻О麉?shù)：a = 1.217nm，B = 0.3688nm，C = 0.8381nm，α=γ= 9...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：晶體尺寸：8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：?jiǎn)涡绷拙О麉?shù)：a = 0.541nm，B = 0.375nm，C = 0.944nm，α=γ= 90#17...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：三硒化鋯晶體（99.995%） ZrSe3 （Zirconium Triselenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：?jiǎn)涡本稻О麉?shù)...
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