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立式PECVD設備

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產品型號KJ-PECVD-DZ

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更新時間：2022-09-02 10:40:31瀏覽次數：281次

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鄭州科佳電爐有限公司

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產品簡介

產品介紹：該系統以含鉬電阻絲為加熱元件，采用雙層殼體結構和30段程序控溫儀表，移相觸發(fā)、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料，爐管兩端能不銹鋼法蘭密封，不銹鋼法蘭上安裝有氣嘴、閥門和壓力表，真空泵接口，具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能等優(yōu)點

詳細介紹

產品介紹：
該系統以含鉬電阻絲為加熱元件，采用雙層殼體結構和30段程序控溫儀表，移相觸發(fā)、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料，爐管兩端能不銹鋼法蘭密封，不銹鋼法蘭上安裝有氣嘴、閥門和壓力表，真空泵接口，具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能等優(yōu)點。
結構組成：
定制立式PECVD設備，由真空立式管式爐、石英真空室、射頻電源、供氣系統、真空測量系統組成。

主要特點：
1、通過射頻電源把石英真空室內的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。
2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低。
3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小。
4、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。
5、廣泛應用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。

應用范圍：
PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。該系統廣泛應用于沉積高質量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）、石墨烯材料等。

技術參數：

產品名稱	定制PECVD設備
產品型號	KJ-PECVD-DZ
立式管式爐
爐膛模式	立式開啟式
爐膛材料	進口氧化鋁耐火纖維
加熱元件	進口含鉬加熱絲
極限溫度	1200℃
工作溫度	≤1100℃
升溫速率	≤20℃(建議:15℃/min)
加熱溫區(qū)	單溫區(qū)、多溫區(qū)
溫區(qū)總長度	200、300、440
爐管材質	高純石英
爐管直徑	40、50、60、80、100、120、150mm......
密封方式	304不銹鋼真空法蘭一套(含密封硅膠圈)
控制模式	觸屏 30段智能PID程序控溫預留通訊接口
控溫精度	±1℃
溫度曲線	多段"時間—溫度曲線"任意可設
測溫元件	K型熱電偶
氣路系統
工作電壓	220V/50HZ
輸出功率	18W
工作溫度	5--45℃
氣壓	3*106Pa
氣體通道	可同時連接多種氣源
流量計	質量流量計
A路量程	0～500SCCM
B路量程	0～500SCCM
C路量程	0～500SCCM
氣路壓力	-0.1～0.15 MPa
截止閥	不銹鋼材質
氣體連接管	1/4不銹鋼管
等離子電源系統
射頻頻率	13.56 MHz ±0.005%
功率范圍	0-100W、0-300W 、0-500W ± 1%
射頻接口	50 Ω, N-type
嗓聲	≤55DB
冷卻	風冷
輸入功率	1KW AC220V/50HZ
數顯真空計及連接件
數顯真空計	數顯真空計安裝在不銹鋼法蘭上
真空泵組(相關連接配件)
真空泵	真空泵,及相應連接管件 220V/50HZ
汽化系統
蠕動泵	精確度：+/- 0.5% FS 流量: 0 - 10 ml/min，可調，最小速率0.1ml/min 將吸液管放置在溶液容器中，蠕動泵可自動抽取液體

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