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電子束光刻(EBL)在現(xiàn)代電子工業(yè)中，尤其是集成電路領(lǐng)域精細(xì)圖案的制作中占據(jù)核心地位。這項(xiàng)技術(shù)起源于早期的掃描電子顯微鏡，其基本過(guò)程是將一束電子掃描過(guò)覆蓋有對(duì)電子敏感的光阻薄膜的表面，從而以所需圖案的形式在光阻薄膜中沉積能量。電子束曝光技術(shù)的主要特點(diǎn)包括：1)它能夠?qū)崿F(xiàn)分辨率(優(yōu)于20納米)；2)它是一種靈活的技術(shù)，可以應(yīng)用于多種材料；3)它的速度較慢，比光學(xué)光刻慢一個(gè)或多個(gè)數(shù)量級(jí)；4)它昂貴且復(fù)雜(由于鄰近效應(yīng)的影響)。EBL技術(shù)在高精度和靈活性方面展現(xiàn)出的優(yōu)勢(shì)，盡管其速度和成本問(wèn)題限制了其大
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等離子體蝕刻技術(shù)在半導(dǎo)體制造工業(yè)中扮演著至關(guān)重要的角色，本對(duì)其進(jìn)行介紹，分述如下：等離子體脈沖蝕刻技術(shù)原子層蝕刻技術(shù)帶狀束方向性蝕刻技術(shù)氣體團(tuán)簇離子束蝕刻技術(shù)1等離子體脈沖蝕刻技術(shù)等離子體脈沖蝕刻技術(shù)通過(guò)周期性地開(kāi)啟和關(guān)閉功率，形成一系列的脈沖循環(huán)。一個(gè)完整的等離子體脈沖蝕刻循環(huán)通常包括以下四個(gè)階段：(1)功率激發(fā)初始階段在功率啟動(dòng)的初始階段，電子溫度迅速上升，同時(shí)電子和離子密度開(kāi)始增加。在晶圓附近，會(huì)逐漸形成一個(gè)鞘層，但整體狀態(tài)尚未達(dá)到穩(wěn)定。此階段，功率處于最大值，但電子密度仍然較低。高功率激
