北京中科復華科技有限公司
詳細摘要： EKC265™蝕刻后殘留物器廣泛應用在半導體行業(yè)，以滿足關(guān)鍵的清潔需求從高深寬比MEMS器件100μm+到DRAM 的70nm集成的各個階段
產(chǎn)品型號：杜邦 EFC265所在地：北京市更新時間：2024-04-28 在線留言
詳細摘要： 是一種在沉積腔室利用輝光放電使其電離后在襯底上進行化學反應沉積的半導體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法
產(chǎn)品型號：PECVD-601/801/1201所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言
詳細摘要： 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)是化合物半導體器件制作中的一種重要工藝技術(shù)。它是在高真空狀態(tài)下由電子束加熱坩堝中的金屬，使其熔融后蒸發(fā)到所需基片上形成金屬膜?？烧舭l(fā)很多難熔金屬或...
產(chǎn)品型號：MEB-600/800所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言
詳細摘要： 磁控濺射法是在高真空充入適量的氬氣，在陰極（柱狀靶或平面靶）和陽極（鍍膜室壁） 之間施加幾百K 直流電壓，在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電，使氬氣發(fā)生電離。
產(chǎn)品型號：MSP-300/400/5100/6200所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言
詳細摘要： IBE刻蝕機采用離子束刻蝕技術(shù)，其原理基于離子和固體表面的相互作用。具體而言，離子束通過控制系統(tǒng)加速并聚焦，然后瞄準待刻蝕的樣品表面。離子束在與樣品表面相撞時，...
產(chǎn)品型號：DISC-IBE-150C/200C所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言
詳細摘要： 反應離子腐蝕技術(shù)是一種各向異性很強、選擇性高的干法腐蝕技術(shù)。它是在真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的，利用了離子誘導化學反應來實現(xiàn)各向異性刻蝕，即是利用離...
產(chǎn)品型號：DISC-RIE-601/801/1201所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言
詳細摘要： 感應耦合等離子體刻蝕系統(tǒng)利用射頻天線，通過感應耦合方式在放電腔中產(chǎn)生高密度等離子體，同時刻蝕工作臺引入射頻偏壓，射頻偏壓作用下，等離子體中垂直向下對被刻蝕材料表...
產(chǎn)品型號：DISC-ICP-601/801/1201/所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言
詳細摘要： 截止到2008年1月，ABM公司在世界范圍售出了500多臺光刻機，50多臺單獨曝光系統(tǒng)。客戶包括美國NSA和INTEL、哈佛大學、LG、菲利普、惠普、3M等，A...
產(chǎn)品型號：ABM/6/350/NUV/DCCD/SA所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言
詳細摘要： 光刻機可廣泛用于MEMS和光電子，例如LED生產(chǎn)。它經(jīng)過特殊設(shè)計，方便處理各種非標準基片
產(chǎn)品型號：URE-2000/17/25/35/34AL所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言
詳細摘要： 薄膜應力測量：在硅片等基板上附膜時，由于基板和薄膜的物理定數(shù)有異，產(chǎn)生應力，進而引起基板變形。由涂抹均勻的薄膜引起的變形的表現(xiàn)為基板的翹曲，而薄膜應力測量裝置F...
產(chǎn)品型號：日本 Toho FLX-2320系列所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言
詳細摘要： pharos310曝光是利用電子束在涂有感光膠的晶片上直接描畫或投影復印圖形的技術(shù)，它的特點是分辨率高、圖形產(chǎn)生與修改容易、制作周期短。其中掃描曝光系統(tǒng)是電子束...
產(chǎn)品型號：pharos310所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言
詳細摘要： 圖形發(fā)生器+SEM(FIB)=簡易電子束曝光系統(tǒng)（EBL） 保留電鏡原有功能。
產(chǎn)品型號：DY-2000A所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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