CIF推出RIE反應(yīng)離子刻蝕機，采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式，實現(xiàn)對材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué)，科研院所、微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實驗室進行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價比高，易維護，處理快速高效。

詳細介紹

介電材料（SiO2、SiNx等）

硅基材料（Si，a-Si，poly Si）

III-V材料（GaAs、InP、GaN等）

濺射金屬（Au、Pt、Ti、Ta、W等）

類金剛石（DLC）

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產(chǎn)品特點：

PLC工控機控制整個清洗過程，全自動進行。

7寸彩色觸摸屏互動操作界面，圖形化操作界面顯示，自動監(jiān)測工藝參數(shù)狀態(tài)，0~99配方程序，可存儲、輸出、追溯工藝數(shù)據(jù)，機器運行、停止提示。

手動、自動兩種工作模式。

全真空管路系統(tǒng)采用316不銹鋼材質(zhì)，耐腐蝕無污染。

采用防腐數(shù)字流量計控制，標(biāo)配雙路氣體輸送系統(tǒng)，可選多氣路氣體輸送系統(tǒng)，氣體分配均勻。可輸入氧氣、氬氣、氮氣、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。

具備HEPA高效過濾氣體返填吹掃功能。

符合人體功能學(xué)的60度傾角操作界面設(shè)計，操作方便，界面友好。

316不銹鋼、航空鋁真空倉選擇。

采用頂置真空倉，上開蓋設(shè)計，下壓式鉸鏈開關(guān)方式。上置式360度水平取放樣品設(shè)計，符合人體功能學(xué)，操作更方便。

有效處理面積大，可處理直徑200mm晶元硅片。

安全保護，倉門打開，自動關(guān)閉電源。

技術(shù)參數(shù)

型號	RIE200	RIE200plus
艙體內(nèi)尺寸	H38xΦ260mm	H38xΦ260mm
艙體容積	2L	2L
射頻電源	40KHz	13.56MHz
電極	不銹鋼氣浴RIE電極，Φ200mm	不銹鋼氣浴RIE電極，Φ200mm
匹配器	自動匹配	自動匹配
刻蝕方式	RIE	RIE
射頻功率	10-300W可調(diào)（可選10-1000W）	10-300W可調(diào)（可選10-600W）
氣體控制	質(zhì)量流量計（MFC）（標(biāo)配雙路，可選多路）流量范圍0-500SCCM（可調(diào)）
工藝氣體	Ar、N?、O?、H?、CF4、CF4+ H2、CHF3或其他混合氣體等（可選）
處理尺寸	≤Φ200mm
時間設(shè)定	1-99分59秒
真空泵	抽速約8m3/h
氣體穩(wěn)定時間	1分鐘
極限真空	≤1Pa
電源	AC220V 50-60Hz，所有配線符合《低壓配電設(shè)計規(guī)范 GB50054-95》、《低壓配電裝置及線路設(shè)計規(guī)范》等國標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)規(guī)定。

當(dāng)?shù)入x子蝕刻應(yīng)用涉及使用氧氣作為工藝氣體時，出于安全原因，強烈建議使用Edwards愛德華真空泵 RV3雙級旋片泵或類似的合成油旋轉(zhuǎn)機械泵。因為Edwards愛德華RV3雙級旋片泵在泵科學(xué)應(yīng)用方面已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)然，在需要避免使用油基旋轉(zhuǎn)機械泵的地方，也可選擇干式真空泵。

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