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詳細(xì)摘要： 簡要描述：World's first commercially available PbGa2Se4 crystals!
產(chǎn)品型號：所在地：上海更新時間：2024-02-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：多孔碳 Porous Carbon密度（g/cm3）：~ 0.3粒徑（#181;m）（D50）：5或8灰分含量（%）：≤0.5% pH值：6.5-7....
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：無序介孔碳 Disordered Mesoporous制備方法：硬模板法合成比表面積（平方米/克）：600平均孔徑（納米）：50納米顆粒尺寸：1微米可...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：This item is currently out of stock. Please expect 4-6 weeks lead time.
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：氮摻雜有序介孔碳 N-Doped Mesoporous Carbon制備方法：硬模板氮摻雜的介孔碳 CMK-3平均尺寸：1 um碳/氮（原子）：4.3...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：Similar to graphene and MoS?, VSe? is also layered material （layered transi...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：羧基石墨烯水溶液 Carboxyl Graphene Water Dispersion直徑：1~5um厚度：0.8~1.2nm羧基比例：5%純度：99...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：InSe （indium selenide） is the first commercially available InSe layered mat...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：單層氧化石墨烯乙醇溶液 Single Layer Graphene Oxide Ethanol Dispersion制備方法：改良的H法濃度為5mg/...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：First commercially available CoSe2 crystals. They are perfectly layered and...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：單層氧化石墨烯水溶液 Single Layer Graphene Oxide Water Dispersion新產(chǎn)品：gno1w001制備方法：改良的...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：In the bulk form SnSe has band-gap at around 0.9 eV （indirect） and 1.25 dir...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at ou...
產(chǎn)品型號：2D Semiconductor所在地：上海更新時間：2024-02-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：More than a decade of growth optimization in chemical vapor transport （CVT）...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：氧化石墨烯（進(jìn)口） Graphite Oxide用H法制備，水溶性好直徑：0.5~5um厚度：1~3nm
產(chǎn)品型號：ACSMaterial所在地：上海更新時間：2024-02-12 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡要描述：單層石墨烯（進(jìn)口） Single Layer Graphene高比表面積石墨烯制備方法：熱剝離還原與氫化還原BET比表面積（平方米/克）：400~10...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：Our single crystal GeSe （Germanium selenide） crystals come with guaranteed ...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：Unlike other sources, our GaSe crystals are best suited towards electronic ...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：In2Se3 single crystals were grown using Physical vapor transport （PVT） as w...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：石墨烯納米薄片（2~10nm） Graphene Nanoplatelets體積特性外觀：黑色和灰色粉末碳含量：＞99.5%體積密度：0.10克/毫升...
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