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所 在 地上海
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更新時(shí)間：2024-02-14 14:52:42瀏覽次數(shù)：132次
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簡(jiǎn)要描述：晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體，拓?fù)浣^緣體，熱電材料晶體結(jié)構(gòu)：?jiǎn)涡本ЫY(jié)構(gòu)晶胞參數(shù)：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α=γ= 90#176;，β= 95.40晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%表征方法：XRD、拉曼、EDX
晶體尺寸：10毫米
電學(xué)性能：半導(dǎo)體，拓?fù)浣^緣體，熱電材料
晶體結(jié)構(gòu)：?jiǎn)涡本ЫY(jié)構(gòu)
晶胞參數(shù)：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α=γ= 90°，β= 95.40
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
表征方法：XRD、拉曼、EDX
Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal As2Te3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.
Stoichiometric analysis of a single crystal As2Te3 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).
Raman spectrum of a single crystal As2Te3. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.
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