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北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責(zé)任公司
產(chǎn)品型號T-ALD
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地北京市
聯(lián)系方式:于磊查看聯(lián)系方式
更新時(shí)間:2025-05-30 10:04:12瀏覽次數(shù):323次
聯(lián)系我時(shí),請告知來自 環(huán)保在線產(chǎn)地 | 國產(chǎn) | 樣品臺 | 6英寸向下兼容 |
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樣品臺溫度 | 300℃ | 管道溫度 | 200℃ |
源瓶溫度 | 300℃ | 閥門 | ALD三通閥 |
極限真空度 | 1Pa | 前驅(qū)體數(shù)量 | 3個(gè) |
ALD原子層沉積真空鍍膜設(shè)備
T-ALD原子層沉積系統(tǒng)是專門為科研和工業(yè)小型化量產(chǎn)用戶而設(shè)計(jì)的多片沉積系統(tǒng)。該系統(tǒng)電氣符合CE標(biāo)準(zhǔn),廣泛應(yīng)用于微電子、納米材料、光學(xué)薄膜、太陽能電池等領(lǐng)域。
ALD原子層沉積真空鍍膜設(shè)備
一、設(shè)備概述:
T-ALD原子層沉積系統(tǒng)是專門為科研和工業(yè)小型化量產(chǎn)用戶而設(shè)計(jì)的多片沉積系統(tǒng)。該系統(tǒng)電氣符合CE標(biāo)準(zhǔn),廣泛應(yīng)用于微電子、納米材料、光學(xué)薄膜、太陽能電池等領(lǐng)域。
二、產(chǎn)品優(yōu)勢:
軟件控制系統(tǒng):系統(tǒng)集工藝配方、參數(shù)設(shè)置、權(quán)限設(shè)定、互鎖報(bào)警、狀態(tài)監(jiān)控等功能于一體。
三、技術(shù)指標(biāo):
基片尺寸 12英寸及以下尺寸
基片加熱溫度 室溫~300℃
前驅(qū)體源路數(shù) 標(biāo)準(zhǔn)3路前驅(qū)體管路,可選配
前驅(qū)體管路溫度 室溫~200℃,控制精度±0.1℃
源瓶加熱溫度 室溫~200℃,控制精度±0.1℃
ALD閥 Swagelok快速高溫ALD專用閥
本底真空 <5x10-3Torr,進(jìn)口防腐泵
載氣系統(tǒng) N2或者Ar
長模式 連續(xù)和停留沉積模式任意選擇
控制系統(tǒng) PLC+觸摸屏或者顯示器
電源 50-60Hz,220V/20A交流電源
沉積非均勻性 非均勻性<±1%
設(shè)備尺寸 600mm x 600mm x 1100mm
四、可沉積薄膜種類:
單 質(zhì):Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe…
氮化物:TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN …
氧化物:TiO2, HfO2, SiO2, ZnO, ZrO2, Al2O3, La2O3, SnO2…
其它化合物:GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO3,SrTaO6…
五、ALD應(yīng)用實(shí)例:
存儲容性電介質(zhì),銅互連中高深寬比擴(kuò)散阻擋層,OLED無針孔鈍化層,MEMS的高均勻鍍膜,納米多孔結(jié)構(gòu)鍍膜,特種光纖摻雜,太陽能電池,平板顯示器,光學(xué)薄膜,其它各類特殊結(jié)構(gòu)納米薄膜。
ALD原子層沉積真空鍍膜設(shè)備
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