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高真空單室熱蒸發(fā)系統(tǒng)

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更新時間：2023-06-30 21:19:39瀏覽次數(shù)：231次

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產(chǎn)品簡介

高真空單室熱蒸發(fā)系統(tǒng)

詳細介紹

產(chǎn)品簡介：高真空單室熱蒸發(fā)系統(tǒng)用于納米級單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。

產(chǎn)品型號	高真空單室熱蒸發(fā)系統(tǒng)
主要特點	系統(tǒng)主要由真空室系統(tǒng)蒸發(fā)室、蒸發(fā)源系統(tǒng)、樣品臺系統(tǒng)、真空抽氣及測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、膜厚測試系統(tǒng)、上蓋液壓開啟機構(gòu)、電控系統(tǒng)組成。
技術(shù)參數(shù)	1、極限真空度5×10^-5Pa，系統(tǒng)漏率：1×10^-7PaL/S；恢復(fù)真空時間：40分鐘可達6.6×10 Pa（短時間暴露大氣并充干燥氮氣后開始抽氣） 2、真空室：圓形真空室，尺寸300× 350mm 3、樣品臺：尺寸為3英寸×3英寸，厚度3.2mm的平面樣品； 4、金屬電極：數(shù)量：1支，標準型釬焊間接水冷結(jié)構(gòu)；直徑Φ20㎜，內(nèi)水冷； 5、有機束源爐：數(shù)量：3支，標準型600度控溫，向上蒸發(fā)成膜； 6、樣品架：在基片轉(zhuǎn)盤上有1個基片位置放置樣品托（樣品托可以分別放置2英寸）孔安裝加熱爐。為了在2英寸基片臺范圍內(nèi)提高膜厚均勻性，基片在鍍膜位置實現(xiàn)自轉(zhuǎn)。基片的溫度從室溫至600℃（硅片上表面的溫度，只需標定一次即可）； 7、4套擋板系統(tǒng)：基片擋板與源擋板；靶擋板共有3套，動密封手動控制；樣品擋板（１套），磁力撥叉； 8、手動控制氣路系統(tǒng):質(zhì)量流量控制器1路石英晶振膜厚控制儀：膜厚測量范圍0-999999Å 可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統(tǒng)。
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