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PE型原子層沉積鍍膜設(shè)備

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更新時(shí)間：2018-06-21 17:02:31瀏覽次數(shù)：613次

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北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責(zé)任公司

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產(chǎn)品簡介

PE-ALD等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)是專門為特殊應(yīng)用領(lǐng)域的科學(xué)研究與工業(yè)開發(fā)用戶而設(shè)計(jì)的單片沉積系統(tǒng)，系統(tǒng)電氣*符合CE標(biāo)準(zhǔn)；該系統(tǒng)擴(kuò)展了普通原子層沉積系統(tǒng)對(duì)前驅(qū)體源的選擇范圍、提高薄膜沉積速率和降低沉積溫度，廣泛應(yīng)用于對(duì)溫度敏感材料和柔性襯底上薄膜的沉積。

詳細(xì)介紹

一、設(shè)備概述：

此系統(tǒng)包含用于原子層沉積的3路前驅(qū)體源、4通道質(zhì)量流量計(jì)控制系統(tǒng)、各部件加熱器系統(tǒng)、精密控溫樣品臺(tái)系統(tǒng)等。該管式爐系統(tǒng)為熱壁反應(yīng)室工藝，它的主要優(yōu)勢(shì)是在反應(yīng)室側(cè)壁上所淀積的也都是高品質(zhì)的ALD薄膜，熱壁反應(yīng)室設(shè)備往往能阻止薄膜的早期剝離，由于從加熱的側(cè)壁脫附的反應(yīng)源流量較高，從而加速了對(duì)反應(yīng)空間的清潔。

此套設(shè)備可作為單獨(dú)的CVD、PECVD、ALD、PEALD使用。搭建等離子增強(qiáng)原子層沉+化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PE-ALD-CVD），用于生長各類材料。

二、技術(shù)指標(biāo)：

1. 控制閥門動(dòng)作等整套系統(tǒng)采用PLC觸摸屏控制；

2. 基片加熱溫度：室溫～1000℃，升溫速率10℃/min，控制精度±1℃，可自動(dòng)左右移動(dòng)實(shí)現(xiàn)快速升降溫，移動(dòng)速度可調(diào)實(shí)現(xiàn)階梯鍍膜。

3. 前驅(qū)體輸運(yùn)系統(tǒng)：標(biāo)準(zhǔn)3路前驅(qū)體管路，可選配；

4. 前驅(qū)體預(yù)熱溫度：室溫～1000℃，控制精度±1℃；

5. 源瓶/氣體管道加熱溫度：室溫～200℃，控制精度±1℃；

6. ALD閥Swagelok快速高溫ALD閥（小可在10ms完成閥門的開啟或關(guān)閉）；

7. 管內(nèi)真空＜10Pa，可自動(dòng)平衡管內(nèi)真空度；

8. 載氣系統(tǒng)N2或者Ar；

9. 生長模式：高速沉積模式和停留生長模式；

10. 等離子體源：300W；