螣芯HS系列單雙面對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)
全自動(dòng)接觸式光刻機(jī)(紫外光刻機(jī))4-12寸可選
全自動(dòng)單 /雙面接近式曝光機(jī),兼容方形片光刻 4-12寸晶圓單、雙面曝光機(jī) 靈活多選定制
主要應(yīng)用:MEMS制造、CMOS圖像傳感器、存儲(chǔ)器、聲波器件、微流體芯片、化合物半導(dǎo)體、 晶圓級(jí)封裝、(TSV)等領(lǐng)域。
把涂有光刻膠的晶圓與掩膜重疊,專用顯微鏡和X?Y?θ,實(shí)現(xiàn)多層曝光時(shí)的自動(dòng)對(duì)位,
對(duì)位臺(tái)。自動(dòng)進(jìn)行基板調(diào)整、對(duì)位、曝光、傳送。
技術(shù)參數(shù):
1.工作方式:裝載機(jī)械手將晶圓片從 A 晶圓盒自動(dòng)裝載至預(yù)定位工作臺(tái),經(jīng)過定位傳感器及自動(dòng)旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)的調(diào)節(jié),實(shí)現(xiàn)工件的預(yù)定位;裝載機(jī)械手再將完成預(yù)定位后的晶圓片裝載至對(duì)準(zhǔn)工作臺(tái),經(jīng)過計(jì)算機(jī)圖像識(shí)別及自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的調(diào)節(jié),實(shí)現(xiàn)掩模版上圖形與晶圓片上的圖形的自動(dòng)對(duì)準(zhǔn),也可以不用對(duì)位圖形完成一次曝光,經(jīng)過曝光系統(tǒng)的自動(dòng)曝光后,再由卸載機(jī)械手將晶圓片自動(dòng)放入 B 晶圓盒,直至整個(gè)晶圓盒內(nèi)的晶圓全部完成套刻曝光。
2.曝光面積: 6寸"(可定制)
3.曝光照度不均勻性:≤3%;
4.曝光強(qiáng)度:0~≥50mw/cm2可調(diào);
5.紫外光束角:≤3°(可選 2?或 1°相對(duì)曝光照度會(huì)變?nèi)酰?/p>
6.紫外光中心波長(zhǎng):365nm;(可選汞燈全波段)
7.紫外光源壽命:≥2 萬小時(shí);
8.分離量:0~≥1090um 可調(diào);
9.對(duì)準(zhǔn)精度:≤1μm;
10.曝光方式:硬接觸、軟接觸和接近式曝光;
11. 曝光模式:可選擇一次曝光或套刻曝光
12. 定位傳感器及自動(dòng)旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)(含預(yù)訂位工作臺(tái)):旋轉(zhuǎn)角度 Q≥±180°旋
轉(zhuǎn)精度 Q≤0.001°;
13.圖像識(shí)別及自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(含對(duì)準(zhǔn)工作臺(tái)):對(duì)準(zhǔn)范圍 X.Y≥±5mm,升旋
轉(zhuǎn)角度 Q≥±3°,顯微鏡整體橫向相對(duì)移動(dòng)≥±70mm。
14.掩模版尺寸: 7"x7 “(可定制)
15.晶圓尺寸: 6“(可定制)
16.A.B 晶圓盒移動(dòng):Z≥±100mm;
17.裝卸載機(jī)械手:X≥±100mm,Y≥±100mm,Z≥±20mm;
18.晶圓盒晶圓片數(shù)量:根據(jù)客戶晶圓盒晶圓數(shù)量定;
19.版架臺(tái)移動(dòng):X.Y≥±3mm,Z≥±2mm;
20.曝光定時(shí):0~999.9 秒可調(diào);
21. 生產(chǎn)節(jié)拍:10 秒+曝光時(shí)間;
22.電源:?jiǎn)蜗?AC220V 50HZ ,功耗≤1KW;
23.潔凈空氣壓力:≥0.4MPa;
24.真空度:-0.07MPa~-0.09MPa;25.尺寸:1200*1000*1500mm ;
26.重量:約 200kg
螣芯HS系列單雙面對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)