設(shè)備主要利用微波測(cè)試原理，非接觸測(cè)試半導(dǎo)體材料，石墨烯，透明導(dǎo)電膜，碳納米管，金屬等材料的電學(xué)特性?？蓪?shí)現(xiàn)單點(diǎn)測(cè)試，亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測(cè)試功能，具有快速，無(wú)損，準(zhǔn)確等優(yōu)勢(shì)，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測(cè)及質(zhì)量控制。

詳細(xì)介紹

非接觸Hall測(cè)試是一種利用微波原理來(lái)測(cè)試外延片載流子遷移率的測(cè)試方法，該方法在測(cè)試時(shí)利用微波源發(fā)射微波通過(guò)波導(dǎo)將微波傳輸至測(cè)試樣品表面，在磁場(chǎng)作用下具有不同遷移率的樣品對(duì)微波的反射效果不同，通過(guò)探測(cè)反射的微波功率再將其轉(zhuǎn)化為對(duì)應(yīng)的電導(dǎo)張量，從而建立模型可以計(jì)算出HEMT結(jié)構(gòu)的載流子濃度和遷移率。具體是設(shè)備通過(guò)微波發(fā)生器產(chǎn)生10 GHz的微波，入射樣品表面的TE10模的微波，會(huì)從測(cè)試樣品表面處產(chǎn)生兩種模式的反射波，一種是和入射波相同模式和極化的TE10反射波，通過(guò)探測(cè)反射回來(lái)的TE10波的功率，通過(guò)計(jì)算可得測(cè)試樣品的方塊電阻；另外一種反射波是TE11模的波，它是TE10波到達(dá)樣品表面時(shí)，由于樣品在磁場(chǎng)作用下的霍爾效應(yīng)將TE10模旋轉(zhuǎn)90°以TE11模的波返回，通過(guò)探測(cè)此TE11模微波的功率，通過(guò)計(jì)算可得出測(cè)試樣品的載流子遷移率。

該系統(tǒng)使用一個(gè)工作在10 GHz的低功率微波源，耦合到一個(gè)波導(dǎo)網(wǎng)絡(luò)，以便將功率引導(dǎo)到被測(cè)樣品的表面。波導(dǎo)網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)是這樣允許檢測(cè)和測(cè)量TE10和TE11的傳播模式。

正常的TE10入射波用于產(chǎn)生從被測(cè)樣品中返回的兩種反射波。第one波，即反射功率，從樣本中返回的反射功率，與入射波處于相同的模式或偏振狀態(tài)。該反射波的功率被檢測(cè)、測(cè)量，并根據(jù)波導(dǎo)系統(tǒng)的總阻抗來(lái)計(jì)算樣品片電阻

樣品返回的第二波是由樣品在磁場(chǎng)影響下的“霍爾效應(yīng)"引起的TE11模式。正常的TE10入射波通過(guò)這種效應(yīng)旋轉(zhuǎn)90度，這個(gè)功率，即霍爾功率，由系統(tǒng)檢測(cè)和測(cè)量，并用于計(jì)算遷移率和載流板密度的剩余輸運(yùn)特性，HALL測(cè)試示意圖如圖2-1所示。

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