材質(zhì)	其他	驅(qū)動方式	其他

EMG光源 LIC1375/01升級成LIC1375/11

用于將電信號轉(zhuǎn)成光信號并耦合進光纖的設備光發(fā)射機的作用是將從復用設備送來的HDB3信碼變換成NRZ碼；接著將NRZ碼編為適合在光纜線路上傳輸?shù)拇a型；最后再進行電/光轉(zhuǎn)換，將電信號轉(zhuǎn)換成光信號并耦合進光纖。

光發(fā)射機由輸入接口、光源、驅(qū)動電路、監(jiān)控電路、控制電路等構成，其核心是光源及驅(qū)動電路。在數(shù)字通信中，輸入電路將輸入的信號（如PCM脈沖）進行整形，變換成適于線路傳送的碼型后通過驅(qū)動電路光源，或者送到光調(diào)制器調(diào)制光源輸出的連續(xù)光波。為了穩(wěn)定輸出的平均光功率和工作溫度，通常要設置一個自動的溫度控制及功率控制電路。

我們都知道，信息的處理都是在電的領域內(nèi)完成的，在光纖通信中，我們必須把電信號轉(zhuǎn)變成光信號，這樣才能在光纖上傳播。在光纖通信系統(tǒng)中，信息由LED或LD發(fā)出的光波所攜帶，光波就是載波，把信息加載到光波上的過程就是調(diào)制。光調(diào)制器就是實現(xiàn)從電信號到光信號的轉(zhuǎn)換的器件。

調(diào)制方式通常分為兩大類，即模擬調(diào)制和數(shù)字調(diào)制。

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MAIN CONTROLLER主控制器:主控制箱 SPC 16.029+/ST05630 EMG

LIC 1375/01 EMG

EMG Bus 02-1.2 T-NR :133003

EMG Card PDP 01.1

EMG LIC1075/11光源發(fā)射器

EMG 對中光源發(fā)射器 LIE 1075/230/50

EPC測量單元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02

EMG 光源發(fā)射器 L1C770/01-24VDC/3.0A

EMG LPS600.01 光源發(fā)射器

EMG LIC770/01 光源發(fā)射器

EMG LIC1075/01 光源發(fā)射器

EMG LIC770/11 CPC高頻光源

EMG LID2-800.32C 對中光源發(fā)射器

EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服閥

伺服閥 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5

EMG SV1-10/32/315/6 伺服閥

EMG SV1-10/8/315/6 伺服閥

EMG SV1-10/16/120/6 伺服閥

EMG SV1-10/48/315-6 伺服閥

EMG SV1-10/4/315/6 伺服閥

EMG SV1-10/4/100/6伺服閥

EMG SV1-10/8/100/6伺服閥

EMG SV1-10/16/100/6 伺服閥

EMG 伺服閥 SV1-10/8/100-6

EMG 伺服閥 SV1-10/16/315/6

EMG傳感器CCD pro-5000

EMG SV1-10/16/315/8 伺服閥

EMG SV1-10/16/315/6伺服閥

SMI-HR/500/2400/1700/200/A/傳感器

伺服閥 CPSV-F040-LTQ-10/7P

傳感器 SMI 1-53

BMI4/60/80 傳感器

EMG SV1-10/48/315/6伺服閥

EMG SV1-10/32/100/6伺服閥

EMG傳感器 BMI4/60/80/L/S.723

EMG傳感器 BMI4/60/80/R/S.723

模擬調(diào)制又有兩類，一類是用模擬基帶信號直接對光源進行強度調(diào)制（D－IM）；另一采用連續(xù)或脈沖的射頻（RF）波作為副載波，模擬基帶信號先對它的幅度、頻率或相位等進行調(diào)制，再用該受調(diào)制的副載波去強度調(diào)制光源。模擬調(diào)制的優(yōu)點是設備簡單，占有帶寬較窄，但它的抗干擾性能差，中繼時噪聲累積。

數(shù)字調(diào)制是光纖通信的主要調(diào)制方式，將模擬信號抽樣量化后，以二進制數(shù)字信號“1"或“0"對光載波進行通斷調(diào)制，并進行脈沖編碼（PCM）。數(shù)字調(diào)制的優(yōu)點是抗干擾能力強，中繼時噪聲及色散的影響不積累，因此可實現(xiàn)長距離傳輸，它的缺點是需要較寬的頻帶，設備也復雜。

按調(diào)制方式與光源的關系來分，有直接調(diào)制和外調(diào)制兩種。前者指直接用電調(diào)制信號來控制半導體光源的振蕩參數(shù)（光強、頻率等），得到光頻的調(diào)幅波或調(diào)頻波，這種調(diào)制又稱內(nèi)調(diào)制；后者是讓光源輸出的幅度與頻率等恒定的光載波通過光調(diào)制器，光信號通過調(diào)制器實現(xiàn)對光載波的幅度、頻率及相位等進行調(diào)制，光源直接調(diào)制的優(yōu)點是簡單，但調(diào)制速率受到載流子壽命及高速率下的性能退化的限制（如頻率啁啾等）。外調(diào)制方式需要調(diào)制器，結構復雜，但可獲得優(yōu)良的調(diào)制性能，尤其適合于高速率下運用。

按被調(diào)制光波的參數(shù)分：強度調(diào)制、相位調(diào)制、偏振調(diào)制等。

光纖通信中應用最多的是光源的基帶直接強度調(diào)制、副載波強度調(diào)制及數(shù)字調(diào)制，高速率時采用外調(diào)制。

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固體光電探測器用途非常廣。CdS光敏電阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自動曝光）中得到采用；光電池是固體光電器件中具有最大光敏面積的器件，它除用做探測器件外，還可作太陽能變換器；硅光電二極管體積小、響應快、可靠性高，而且在可見光與近紅外波段內(nèi)有較高的量子效率，因而在各種工業(yè)控制中獲得應用。硅雪崩管由于增益高、響應快、噪聲小，因而在激光測距與光纖通信中普遍采用。

photoconductive detector 利用半導體材料的光電導效應制成的一種光探測器件。所謂光電導效應，是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現(xiàn)象。光電導探測器在軍事和國民經(jīng)濟的各個領域有廣泛用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業(yè)自動控制、光度計量等；在紅外波段主要用于D彈制導、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導體的另一應用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴散引起圖像模糊，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個靶面由約10萬個單獨探測器組成。

EMG LS13.01測量光電傳感器

EVK2-CP/400.71/L/R EMG 傳感器

EVM2 CP/750.71/L/R傳感器 EMG

LS14.01 EMG 測量光電傳感器

EMG光電式測量傳感器 EVM2-CP/1850 71/L/R

EMG 高頻報警光發(fā)射器 LIH2/30/230.01

EMG LID2-800.2C 對中光源發(fā)射器

EMG LID2-300.2C 對中光源發(fā)射器

EMG LLS 1075 線性光源發(fā)射器

EMG LLS 1075/01 線性光源發(fā)射器

CPC光源 LLS 675/11 Lichtband

EMG LLS 875/02 線性光源發(fā)射器

EMG LLS 675/01 線性光源發(fā)射器

EMG 線性光源發(fā)射器 LLS875/01

EMG對中光源發(fā)射器 LIE 1075/230/50

EMG LLS 475/01 線性光源發(fā)射器

EMG LIC1075/11光源發(fā)射器

EMG 對中光源發(fā)射器 LIE 1075/230/50

EPC測量單元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02

EMG 光源發(fā)射器 L1C770/01-24VDC/3.0A

EMG LPS600.01 光源發(fā)射器

EMG LIC770/01 光源發(fā)射器

EMG LIC1075/01 光源發(fā)射器

EMG LIC770/11 CPC高頻光源

EMG LID2-800.32C 對中光源發(fā)射器

EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服閥

伺服閥 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5

1873年，英國W·史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導效應，但是這種效應長期處于探索研究階段，未獲實際應用。第二次世界大戰(zhàn)以后，隨著半導體的發(fā)展，各種新的光電導材料不斷出現(xiàn)。在可見光波段方面，到二十世紀50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。二十世紀60年代初，中遠紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導探測器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導探測器。二十世紀60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進展。工作原理和特性光電導效應是內(nèi)光電效應的一種。當照射的光子能量hv等于或大于半導體的禁帶寬度Eg時，光子能夠?qū)?/span>價帶中的電子激發(fā)到導帶，從而產(chǎn)生導電的電子、空穴對,這就是本征光電導效應。這里h是普朗克常數(shù)，v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度（單位為電子伏）。因此，本征光電導體的響應長波限λc為 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c為光速。本征光電導材料的長波限受禁帶寬度的限制。

在60年代初以前還沒有研制出適用的窄禁帶寬度的半導體材料，因而人們利用非本征光電導效應。Ge、Si等材料的禁帶中存在各種深度的雜質(zhì)能級，照射的光子能量只要等于或大于雜質(zhì)能級的離化能，就能夠產(chǎn)生光生自由電子或自由空穴。非本征光電導體的響應長波限λ由下式求得： λc=1.24/Ei 式中Ei代表雜質(zhì)能級的離化能。到60年代中后期，Hg1-xCdxTe、PbxSn1-xTe、PbxSn1-xSe等三元系半導體材料研制成功,并進入實用階段。它們的禁帶寬度隨組分x值而改變，例如x=0.2的HG0.8Cd0.2Te材料，可以制成響應波長為 8～14微米大氣窗口的紅外探測器。它與工作在同樣波段的Ge：Hg探測器相比有如下優(yōu)點：

工作溫度高（高于77K），使用方便,而Ge:Hg工作溫度為38K；本征吸收系數(shù)大,樣品尺寸??；易于制造多元器件。表1和表2分別列出部分半導體材料的Eg、Ei和λc值。