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CVD石墨烯生長爐

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更新時間：2022-12-20 14:54:44瀏覽次數(shù)：367次

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產(chǎn)品簡介

CVD石墨烯生長爐專門針對于用在金屬箔上生長薄膜物質(zhì)，如石墨烯、使用時把金屬箔附在內(nèi)管上

詳細介紹

CVD石墨烯生長爐專門針對于用在金屬箔上生長薄膜物質(zhì)，如石墨烯、使用時把金屬箔附在內(nèi)管上。其工作溫度可以達到1200℃，專門針對于用CVD方法在金屬箔上生長薄膜物質(zhì)，如石墨烯、太陽能電池的電極材料和電池電極材料等。

石墨烯生長爐由HTTF1200+真空系統(tǒng)+供氣系統(tǒng)+水冷系統(tǒng)組成，溫度可以達到1200度,可以是單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等，極限真空可以達到10-3Pa，供氣系統(tǒng)是流量調(diào)節(jié)可以是質(zhì)子流量計或浮子流量計，混氣路數(shù)可以是2路、3路、4路、5路相混合。

石墨烯生長爐是一種特殊的CVD系統(tǒng)(化學氣相沉積系統(tǒng))，是專門為在金屬箔（像銅箔、鋁箔等）上生長薄膜而設(shè)計，廣泛應用在新一代能源關(guān)于柔性金屬箔電極方面的研究上，特別適用于碳納米管、碳納米線、石墨烯的生長。

HTTF-1200真空管式爐采用摻鉬合金加熱絲為加熱元件，采用雙層殼體結(jié)構(gòu)和宇電控溫儀表，能進行30段程序控溫，移相觸發(fā)、可控硅控制，爐膛采用日本進口氧化鋁多晶纖維材料，具有溫場均衡、表面溫度低、節(jié)能等優(yōu)點。

真空管式爐軟件控制系統(tǒng)：該爐配有通訊接口和軟件，可以直接通過電腦控制爐子的各個參數(shù)，并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運行情況，爐子的實際升溫曲線電腦會實時繪出，并能把每個時刻的溫度數(shù)據(jù)保存起來，隨時可以調(diào)出。

產(chǎn)品名稱	石墨烯生長爐（納米管生長爐）
產(chǎn)品型號	HTTF-1200-CVD
管式爐
加熱區(qū)長度	440mm
恒溫區(qū)長度	150 (+/-1 ℃)
工作溫度	1100℃（此溫度為長期加熱溫度）
溫度	1200℃
爐管尺寸	Φ60×1440mm
等離子射頻電源
輸出功率	5 ～500W ± 1% .
射頻頻率	13.56 MHz ±0.005% .
反射功率	約200W
阻抗匹配	自動
機組（雙極旋片泵）
真空度	10-3torr
波紋管	KFD25 快接，不銹鋼波紋管，手動擋板閥與法蘭，真空泵相連.
質(zhì)量流量計
四通道控制	精度0.02% 、數(shù)字顯示、自動控制、一個混氣罐、底部裝有泄廢液口
MFC 1范圍	0~100 sccm
MFC 2和3	0~500 sccm
進氣接口	1/4NPS
出氣接口	1/4NPS
水冷系統(tǒng)
水冷法蘭要求	水流量 >= 10L/M ，配有專業(yè)水冷機組