安捷倫Agilent G3272B 7500cx Series ICP-MS（二手）

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更新時間：2023-09-08 10:06:36瀏覽次數(shù)：254次

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產(chǎn)品簡介

1產(chǎn)品描述CP-MS已被為痕量金屬元素分析的技術

詳細介紹

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產(chǎn)品描述

CP-MS已被為痕量金屬元素分析的技術。當今的常規(guī)實驗室要求比 ICP-OES更為靈敏，比石墨爐原子吸收 (GFAAS)更為快速的分析技術。ICP-MS 可滿足上述兩方面的需求，它具有更寬的工作范圍，并可同時測定能生成氫化物的元素及痕量Hg，同時還具備半定量及同位素比分析能力。ICP-MS又可作為一種極為理想的多功能的檢測器，與色譜和激光技術聯(lián)用。安捷倫新的7500系列具有自動化的易于使用、靈活性、可靠性以及優(yōu)秀的設計，它提供了的分析性能。新的7500系列可配備第二代八級桿反應池(ORS)技術，提供多種選擇的進樣附件、應用與維修服務支持，它正在實驗室進入ICP-MS時代。安捷倫新的7500系列包括兩種不同的型號，可滿足不同的應用需求和經(jīng)費預算。無論您的應用需求有什么變化，安捷倫都將確保儀器的擴展功能與現(xiàn)場升級能力，使您的投資得到報償

色譜與ICP-MS聯(lián)用：元素形態(tài)分析在環(huán)境、生物醫(yī)學、食品、制藥以及石油化工領域，人們正在認識到不僅需要測定一種元素的總量，更為重要的是要能夠測出其化學形態(tài)。因為元素的化學形態(tài)可能對元素的生物有效性、遷移性、毒理性以及化學性質有著更為重要的影響。目前，ICP-MS與各種色譜分離技術聯(lián)用被為是通用的有力的元素形態(tài)分析工具。作為世界上*的GC，LC，CE以及 ICP-MS的供應商，安捷倫為形態(tài)分析提供了可用于常規(guī)分析的聯(lián)用方案并推動世界形態(tài)分析領域迅速發(fā)展。安捷倫于 2001年推出了臺商品GC-ICP-MS接口，其特色是提供了可加熱的傳輸管線，能處理高沸點化合物。安捷倫也提供 IC-ICP-MS連接配件包以及完整的分析方案，比如尿中砷形態(tài)分析配件包。安捷倫的分離技術專業(yè)經(jīng)驗將保證聯(lián)用技術的嚴密安裝及應用實施。

ICP-MS全稱電感耦合等離子體質譜（Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry），可分析幾乎地球上所有元素（Li-U）

ICP-MS技術是80年代發(fā)展起來的新的分析測試技術。它以將ICP的高溫（8000K）電離特性與四極桿質譜計的靈敏快速掃描的優(yōu)點相結合而形成一種新型的有力的元素分析、同位素分析和形態(tài)分析技術。

該技術提供了極低的檢出限、極寬的動態(tài)線性范圍、譜線簡單、干擾少、分析精密度高、分析速度快以及可提供同位素信息等分析特性。

自1984年臺商品儀器問世以來，這項技術已從最初在地質科學研究的應用迅速發(fā)展到廣泛應用于環(huán)境保護、半導體、生物、醫(yī)學、冶金、石油、核材料分析等領域。

被稱為當代分析技術最激動人心的發(fā)展。

ICP離子源中的物質

1) 已電離的待測元素：As+, Pb +, Hg +, Cd +, Cu +, Zn +, Fe +, Ca +, K +, ••••••

2）主體：Ar原子(>99.99％)

3）未電離的樣品基體：Cl, NaCl(H2O) _n, SO_n, PO_n, CaO, Ca(OH)_n, FeO, Fe(OH) _n,••••••這些成分會沉積在采樣錐、截取錐、級提透鏡、第二級提取透鏡（以上部件在真空腔外）、聚焦透鏡、W偏轉透鏡、偏置透鏡、預四極桿、四極桿、檢測器上（按先后順序依次減少），是實際樣品分析時使儀器不穩(wěn)定的主要因素，也是儀器污染的主要因素；

4）已電離的樣品基體：ArO⁺, Ar ⁺, ArH⁺, ArC ⁺, ArCl ⁺, ArAr ⁺,（Ar基分子離子） CaO⁺, CaOH ⁺, SOn ⁺, POn ⁺, NOH ⁺, ClO ⁺••••••（樣品基體產(chǎn)生），這些成分因為分子量與待測元素如Fe, Ca, K, Cr, As, Se, P, V, Zn, Cu等的原子量相同，是測定這些元素的主要干擾；

特別需要注意的是，1ppt濃度的樣品元素在0.4mL/min（Babinton霧化器，0.1rps）速度進樣時，相當于每秒進入儀器>10,000,000個原子；而在檢測器得到的離子數(shù)在10－1000之間，即>99.99%的樣品及其基體停留在儀器內部或被排廢消除；因此，加大進樣量提高靈敏度的后果是同時加大儀器受污染速度。

等離子體能量越高à電離效率越高

許多元素的電離度主要取決于等離子體的溫度，若等離子體的能量不夠高，

基體水平的變化就會引起輕微的溫度變化，從而嚴重影響靈敏度。

		plasma temperature
Element	Ip (eV)	5000 K	6000 K	7000 K	8000 K

Cs	3.89	99.4%	99.9%	100.0%	100.0%
Na	5.14	90.0%	98.9%	99.8%	99.9%
Ba	5.21	88.4%	98.7%	99.8%	99.9%
Li	5.39	83.4%	98.2%	99.7%	99.9%
Sr	5.69	71.5%	96.8%	99.5%	99.9%
Al	5.98	56.2%	94.5%	99.1%	99.8%
Pb	7.42	4.3%	51.2%	91.1%	98.3%
Mg	7.64	2.6%	40.7%	87.7%	97.7%
Co	7.86	1.6%	31.0%	83.2%	96.9%
Sb	8.64	0.3%	9.0%	57.6%	90.9%
Cd	8.99	0.1%	4.8%	43.2%	85.7%
Be	9.32	0.1%	2.6%	30.6%	78.8%
Se	9.75	0.0%	1.1%	17.8%	66.6%
As	9.81	0.0%	1.0%	16.4%	64.6%
Hg	10.43	0.0%	0.3%	6.5%	42.6%

氧化物干擾比例比較表－CeO/Ce成為表征

元素	MO鍵強度 (kJ/mol)	MO⁺/M⁺
Rb	255	5.5 x 10^-7
Cs	297	2.8 x 10^-8
Co	368	1.7 x 10^-5
Pb	409	1.2 x 10^-5
Fe	427	1.1 x 10^-5
Cr	512	3.6 x 10^-5
Al	563	1.1 x 10^-5
Ba	597	8.3 x 10^-5
P	607	3.7 x 10^-3
Mo	619	9.5 x 10^-4
Sm	662	2.3 x 10^-3
Ti	760	1.8 x 10^-3
Zr	795	4.7 x 10^-3
Si	799	1.5 x 10^-3
Ce	795	1.3 x 10^-2()