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似空科學(xué)儀器（上海）有限公司
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似空科學(xué)儀器（上海）有限公司
| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)IM4000 Plus
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地
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更新時(shí)間：2022-11-07 16:19:28瀏覽次數(shù)：250次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自 環(huán)保在線簡(jiǎn)要描述：IM4000PLUS是支持?jǐn)嗝嫜心ズ推矫嫜心ィ‵lat Milling®*1）的混合式離子研磨儀器。借此，可以用于適用于各種諸如對(duì)樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)觀察和各類分析等，為評(píng)價(jià)目的樣品的制作。
特點(diǎn)
高通量的斷面研磨配備斷面研磨能力達(dá)到500 µm/h*2以上的高效率離子槍。因此，即使是硬質(zhì)材料，也可以高效地制備出斷面樣品。 *2 在加速電壓6 kV下，將Si從遮擋板邊緣伸出100 µm并加工1小時(shí)時(shí)的深度
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斷面研磨● 即使是由硬度以及研磨速度不同的成分所構(gòu)成的復(fù)合材料，也可以制備出平滑的斷面樣品 ● 優(yōu)化加工條件，減輕損傷 ● 可裝載20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品 斷面研磨的主要用途● 制備金屬以及復(fù)合材料、高分子材料等各種樣品的斷面 ● 制備用于分析開裂和空洞等缺陷的斷面 ● 制備評(píng)價(jià)、觀察和分析所用的沉積層界面以及結(jié)晶狀態(tài)的斷面 |
斷面研磨加工原理圖 |
平面研磨（Flat Milling®）● 均勻加工成直徑約為5mm的范圍 ● 可運(yùn)用于符合其目的的廣泛領(lǐng)域 ● 可裝載直徑50 mm × 厚度25 mm的樣品 ● 可選擇旋轉(zhuǎn)和擺動(dòng)（±60度～±90度的翻轉(zhuǎn)）2種加工方法
平面研磨（Flat Milling®）的主要用途● 去除機(jī)械研磨中難以消除的細(xì)小劃痕和形變 ● 去除樣品的表層 ● 消除FIB加工的損傷
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平面研磨（Flat Milling®）加工原理圖 |
與日立SEM的樣品結(jié)合● 樣品無(wú)需從樣品臺(tái)取下，就可直接在SEM上進(jìn)行觀察。 ● 在抽出式的日立SEM上，可按照不同的樣品分別設(shè)置截面、平面研磨桿，因此，在SEM上觀察之后，可根據(jù)需要進(jìn)行再加工。
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| 功能
冷卻溫度調(diào)節(jié)功能*1
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該功能可有效防止加工過程中，由于離子束照射引發(fā)的樣品的溫度上升，所導(dǎo)致樣品的溶解和變形。對(duì)于過度冷卻后會(huì)產(chǎn)生開裂的樣品，通過冷卻溫度調(diào)節(jié)功能可防止其因過度冷卻而產(chǎn)生開裂。
*1 此調(diào)節(jié)功能不是IM4000PLUS的標(biāo)配功能，而是配有冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS功能。 |
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樣品：鉛焊料 | |
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選項(xiàng)大氣隔離樣品桿大氣隔離樣品桿，可讓樣品在不接觸空氣的狀態(tài)下進(jìn)行研磨。 *1 僅支持附帶大氣隔離樣品更換室的日立FE-SEM和FIB。 *2 僅支持真空型日立AFM。 鋰離子電池負(fù)極（充電后） | |
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大氣暴露 |
大氣隔離 |
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用于加工時(shí)觀察的立體顯微鏡IM4000、IM4000PLUS通過設(shè)置在樣品室上方的立體顯微鏡，可觀察到研磨過程中的樣品。 *3 CCD攝像頭以及監(jiān)控器由客戶準(zhǔn)備。
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| 規(guī)格 | |
| 項(xiàng)目 | 內(nèi)容 | |
| IM4000PLUS | IM4000PLUS | |
| 斷面研磨桿 | 平面研磨桿 | |
| 使用氣體 | Ar（氬）氣 | |
| 加速電壓 | 0 ～ 6 kV | |
| 研磨速度（Si材料） | 500 µm/hr*1 以上 | - |
| 樣品尺寸 | 20（W）× 12（D）× 7（H）mm | Φ50 × 25（H） mm |
| 離子束 | 標(biāo)配 | |
| 尺寸 | 616（W）× 705（D）× 312（H）mm | |
| 重量 | 機(jī)體48 kg＋回轉(zhuǎn)泵28 kg | |
| 附冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS | ||
| 冷卻溫度調(diào)節(jié)功能 | 通過液氮間接冷卻樣品、溫度設(shè)定范圍：0°C ～ －100°C | |
| 選項(xiàng) | ||
| 空氣隔離 | 僅支持?jǐn)嗝嫜心A持器 | - |
| FP版斷面研磨夾持器 | 100 µm/rotate*2 | - |
| 用于加工監(jiān)控的顯微鏡 | 倍率 15 × ～ 100 × 雙目型、三目型（支持CCD） | |
| *1 將Si從遮擋板邊緣伸出100 µm并加工1小時(shí)的深度 *2 千分尺旋轉(zhuǎn)1圈時(shí)的遮擋板移動(dòng)量。斷面研磨夾持器比為1/5 |
| 觀察示例
斷面研磨如果是大約500 µm的角型的陶瓷電容器，則可以3小時(shí)內(nèi)制備出平滑的斷面。 樣品：陶瓷電容器 | |
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低倍圖像 |
放大圖像 |
| 即使硬度和成分不同的多層結(jié)構(gòu)材料，也可以制備斷面。 樣品：保險(xiǎn)杠涂膜 | |
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低倍圖像 |
放大圖像 |
| 這是通過鋰電池正極材料，斷面研磨獲得平滑截面的應(yīng)用實(shí)例。 樣品：鋰離子電池正極材料 樣品制備方法：斷面研磨
平面研磨（Flat Milling）可以去除機(jī)械研磨所引起的研磨損傷和塌邊，并可觀察到金屬層、合金層和無(wú)鉛焊料的Ag分布。 樣品：無(wú)鉛焊料 | |
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機(jī)械研磨后 |
平面研磨后 |
| 因老化等變得臟污的觀察面、分析面，通過平面研磨，也可以獲得清晰的通道對(duì)比度圖像和EBSD模式。 樣品：銅墊片
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