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更新時(shí)間：2023-02-02 09:32:38瀏覽次數(shù)：343次
聯(lián)系我時(shí)，請告知來自 環(huán)保在線Sigma產(chǎn)品系列結(jié)合了場發(fā)射和掃描電子顯微鏡技術(shù)(FE-SEM)。其**的特點(diǎn)是其*的成像和分析性能。有了西格瑪，你將通過使用諸如集成氣閘，*的EDS幾何結(jié)構(gòu)和直觀的工作流程只有四個步驟。Sigma為您提供*分辨率成像的探測器技術(shù)。這種顯微鏡是設(shè)計(jì)用來處理不同操作的條件和可以適應(yīng)，以*地適合您的應(yīng)用。Sigma生產(chǎn)*質(zhì)量，清晰，*對比度的圖像-從納米粒子和納米纖維到半導(dǎo)體和MEMS組件，一直
Sigma產(chǎn)品系列結(jié)合了場發(fā)射和掃描電子顯微鏡技術(shù)(FE-SEM)。
其**的特點(diǎn)是其*的成像和分析性能。
有了西格瑪，你將通過使用諸如
集成氣閘，*的EDS幾何結(jié)構(gòu)和直觀的工作流程只有四個步驟。
Sigma為您提供*分辨率成像的探測器技術(shù)。
這種顯微鏡是設(shè)計(jì)用來處理不同操作的
條件和可以適應(yīng)，以*地適合您的應(yīng)用。
Sigma生產(chǎn)*質(zhì)量，清晰，*對比度的圖像-從納米粒子和納米纖維到半導(dǎo)體和MEMS組件，一直到太陽能電池。
它為您提供了地形、成分、晶體學(xué)和元素分布的信息，用于*的樣品表征。
根據(jù)您的需求配置
決議
0.8 nm 30kv (STEM)
在15千伏下0。8nm
1千伏下的1.6 nm
2.0 nm, 30kv (VP模式)
加速電壓
0.02 - 30kv
樣品目前
4pa - 20na (100na可選)
放大
10 - 1,000,000 ×
電子發(fā)射器
肖特基場發(fā)射體
標(biāo)準(zhǔn)探測器
Inlens SE, ETSE檢測器，VPSE-G4 (VP模式)
簡單。更聰明。更多的集成。
?自動化的工作流程引導(dǎo)您一步一步地提*您的生產(chǎn)力。
?西格瑪為您提供*的分析性能，特別是在處理束敏樣品時(shí)。
?集成氣閘可以實(shí)現(xiàn)*達(dá)5"尺寸的晶圓的*樣品吞吐量。
?結(jié)合靜電和磁場優(yōu)化光學(xué)
同時(shí)降低場對試樣性能的影響。
?用于SE和BSE信號的Inlens Duo探測器可以讓您在單個探測器中獲取地形和成分信息。
?gemini束流助推器技術(shù)允許小束流直徑和*信噪比，即使在極低的加速度電壓下。
為您的應(yīng)用程序創(chuàng)建
分析所需材料和制造部件
損傷微結(jié)構(gòu)和MEMS部件的*分辨率的地形信息。
?實(shí)時(shí)創(chuàng)建精密加工部件的3D表面測量，以確定斷裂和缺陷的原因。
?使用廣泛的檢測器來創(chuàng)建*分辨率
納米材料的圖像和分析。
?分析涂層和薄膜，揭示非導(dǎo)電顆粒隱藏的表面細(xì)節(jié)。
?使用笛卡兒電動平臺在腔室中處理大型金屬樣品，用于原位等離子體清洗，以保持*圖像質(zhì)量，獲得結(jié)晶和溝道
對比。
?sigma的大氣閘允許您快速更換半導(dǎo)體和電子樣品上的晶圓。
用*倍放大率拍攝元素層的地形圖像
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