簡單介紹： CY-OTF-1200X-S-VT-BMGH是一款小型的1100℃Bridgman晶體生長爐，配有2英寸的石英管，精密提拉機。用于在氣氛保護環(huán)境下或密封石英坩堝環(huán)境下生長小尺寸的晶體。Bridgman晶體生長爐通常采用管式結構，為３個區(qū)域（加熱區(qū)、梯度區(qū)和冷卻區(qū)）。

詳細介紹

詳情介紹：

CY-OTF-1200X-S-VT-BMGH是一款小型的1100℃布里奇曼單晶生長爐，配有2英寸的石英管，精密提拉機。用于在氣氛保護環(huán)境下或密封石英坩堝環(huán)境下生長小尺寸的晶體。

Bridgeman法晶體生長過程

把晶體生長的原料裝入合適的容器中，在具有單向溫度梯度的Bridgman晶體生長爐內(nèi)進行生長。Bridgman晶體生長爐通常采用管式結構，為３個區(qū)域（加熱區(qū)、梯度區(qū)和冷卻區(qū)）。加熱區(qū)的溫度高于晶體的熔點，冷卻區(qū)低于晶體熔點，梯度區(qū)的溫度逐漸由加熱區(qū)溫度過渡到冷卻區(qū)溫度，形成一維的溫度梯度。首先將坩堝置于加熱區(qū)進行熔化，并在一定的過熱度下恒溫一段時間，獲得均勻的過熱熔體。然后通過爐體的運動或坩堝的移動使坩堝由加熱區(qū)穿過梯度區(qū)向冷卻區(qū)運動。坩堝進入梯度區(qū)后熔體發(fā)生定向冷卻，首先達到低于熔點溫度的部分發(fā)生結晶，并隨著坩堝的連續(xù)運動而冷卻，結晶界面沿著與其運動相反的方向定向生長，實現(xiàn)晶體生長過程的連續(xù)進行。

圖１　Bridgman法晶體生長的基本原理

（ａ）基本結構；（ｂ）溫度分布。

Bridgman法晶體生長一般分為：

垂直Bridgman法

（圖１.所示）坩堝軸線與重力場方向平行，高溫區(qū)在上方，低溫區(qū)在下方，坩堝從上向下移動，實現(xiàn)晶體生長。該方法是*常見的Bridgman法，稱為垂直Bridgman法。

水平Bridgman法

水平Bridgman法其溫度梯度（坩堝軸線）方向垂直于重力場。垂直Bridgman法利于獲得圓周方向?qū)ΨQ的溫度場和對流模式，從而使所生長的晶體具有軸對稱的性質(zhì)；而水平Bridgman法的控制系統(tǒng)相對簡單，并能夠在結晶界面前沿獲得較強的對流，進行晶體生長行為控制。同時，水平Bridgman法還有利于控制爐膛與坩堝之間的對流換熱，獲得更高的溫度梯度。此外，也有人采用坩堝軸線與重力場成一定角度的傾斜Bridgman法進行晶體生長。而垂直Bridgman法也可采用從上向下生長的方式。

技術參數(shù)

Bridgman晶體生長爐	小型雙溫區(qū) 立式管式爐工作電壓：AC220V 單相大功率: 1.5 KW 兩個加熱區(qū): 每個加熱區(qū)長度100 mm ，總加熱區(qū)長度200 mm L 高工作溫度: 1200°C 連續(xù)工作溫度: 1100°C 兩個溫區(qū)都采用PID方式調(diào)節(jié)溫度，可程序控溫，分別由2個獨立的溫控系統(tǒng)控制大溫度梯度: 0 1oC/Cm 用戶需要探索所長晶體合適的溫度梯度調(diào)節(jié)兩個加熱區(qū)的溫度，來形成不同的溫度梯度調(diào)節(jié)爐體的開啟大小，也可以改變溫度梯度所配石英管尺寸：50mm O.D x 44mm I.D x 450mm L
懸掛絲	鉑絲：*高可承受溫度1600℃ 懸掛絲可穿過法蘭，若爐管內(nèi)保持正壓，可在氣氛保護環(huán)境下生長晶體對于氧敏感材料，樣品可封裝在小的石英管內(nèi)
電機和控制	采用6"L x 4"W的觸摸屏來控制直流電機轉動上升和下行速度可以設置3個程序速度范圍: 0.03-90 mm/h （可調(diào)），精度：+/- 0.05% 可選購更**的提拉機構，速度為：0.4mm/h 總移動行程: 450mm 電機功率: 50W
產(chǎn)品尺寸	560mm(L) x 470mm(W) x 1235mm(H)
質(zhì)量認證	CE認證
質(zhì)保	一年質(zhì)保期，終生維護（不包含石英，密封圈，加熱元件和懸掛絲）
凈重	105kg

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關鍵詞：生長爐直流電機

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