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激光分子束外延鍍膜系統(tǒng)

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更新時間：2024-02-02 13:17:54瀏覽次數：199次

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產品簡介

The laser MBE is very suitable for the atomic layer controlled growth of oxides / nitrides, and also suits for a simple and inexpensive apparatus comparing with conventional MBE.

詳細介紹

PLD MBE激光分子束外延鍍膜系統(tǒng)的主體是一個UHV激光分子束外延裝置。使用準分子激光進行基底加熱；脈沖激光做為幅照源。使用兩個組合的掩膜和一個掃描式的反射高能電子衍射（RHEED）設備，系統(tǒng)能同時制備很多樣品（250個/10mm2）。每個樣品都是原子級的控制，可以設置不同的生長條件。在UHV中使用激光輻照的組合的掩模和靶材。
　　這個組合膜沉積的概念，是由于使用分離的基底、小區(qū)域的掩模和每個樣品不同的生長參數導致的沉積條件的系統(tǒng)變化。的貢獻就是可以快速地篩選生長條件。

 

·精準層蔽控制原子

·層外延膜結構或形態(tài)

·均勻或梯度的快速

·振蕩信號需依成膜條件和成膜品質

·專業(yè)LabView提供全自動制程數字控制

·9項日本、3個國際

 

·激光加熱：            溫度 >1000℃)

·高壓可操作：          ~133Pa

·6種靶材的公轉和自轉

·鍍膜腔真空度：        ~5e-9Torr

·Load-Lock腔：         ~5e-7 Torr 可放置兩個樣品以及四個靶材

·全自動數字控制

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