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感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)SI500

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)SI500

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品概述

感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī) SI 500 適用于小批量生產(chǎn)和研發(fā)、以及用于高校。SI 500 可按掩膜結(jié)構(gòu)成比例、高均勻性地刻蝕硅、半導(dǎo)體、石英等材料，以及實(shí)現(xiàn)微光學(xué)結(jié)構(gòu)的制備，襯底尺寸 8 吋。

SI 500 的顯著特點(diǎn)包括平板感應(yīng)耦合等離子體（ICP）源、下電極配置氦氣背板冷卻和動(dòng)態(tài)溫度控制、高傳導(dǎo)真空系統(tǒng)和系統(tǒng)的控制原理。SI 500 由 SENTECH 軟件結(jié)合遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)控制器（RFC）控制。

的感應(yīng)耦合等離子體源 PTSA 200（平板三螺旋天線）生成高離解等離子體。它由 13.56 MHz的功率源驅(qū)動(dòng)、可在很低的等離子體勢(shì)能下、產(chǎn)生高達(dá) 1*1012 cm-3（氬等離子體）的等離子密度。自動(dòng)匹配網(wǎng)絡(luò)集成在 PTSA 200 中。

下電極可容納 8 吋直徑、9 mm 高度的襯底，碎片可由載片器裝載。電極溫度可控制在-30°C 到+250°C 范圍內(nèi)。為在高密度等離子體中保持襯底的低溫，晶圓背面是壓力可控的氦氣。晶圓由機(jī)械壓盤夾持。

第二個(gè) 13.56 MHz 的功率源提供下電極的射頻偏置。這樣離子能量和離子密度可分別控制。為下電極單獨(dú)提供射頻功率時(shí)，系統(tǒng)則與平行板刻蝕機(jī)類似、可運(yùn)行反應(yīng)離子刻蝕 RIE 工藝。

真空系統(tǒng)包括渦輪分子泵和機(jī)械前級(jí)泵、符合 ICP 工藝所需的低壓力/高流量要求、并防止氟基和氯基氣體的腐蝕作用。自動(dòng)節(jié)流閥保持反應(yīng)腔體內(nèi)的壓力、獨(dú)立于氣體流量。質(zhì)量流量計(jì)（MFC）提供高穩(wěn)定的氣流。這樣就能達(dá)到精確和可重復(fù)的刻蝕條件。

關(guān)鍵詞：刻蝕機(jī) 節(jié)流閥質(zhì)量流量計(jì)

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