導讀：早期的石英坩堝是全部透明的，zui早期的石英坩堝是全部的透明的結構，這種透明的結構卻容易引起導致不均勻的熱傳輸條件，增加晶棒生長的困難度。所以這種坩堝基本被淘汰使用。
　　
　　現(xiàn)代的石英坩堝
　　
　　現(xiàn)代拉單晶的石英坩堝一般是采用電弧法生產，半透明狀，是拉制大直徑單晶硅，發(fā)展大規(guī)模集成電路*的基礎材料。
　　
　　現(xiàn)代的石英坩堝則存在二種結構，外側是一層具有高氣泡密度的區(qū)域，稱為氣泡復合層，內側則是一層3~5mm的透明層，稱之為氣泡空乏層。氣泡復合層的目的是在與均勻的輻射有加熱器所提供的輻射熱源。氣泡空乏層的目的在于降低與溶液接觸區(qū)域的氣泡密度，而改善單晶生長的成功率及晶棒品質。
　　
　　外幾家采用的是涂層法，即在坩堝內壁用精細石英砂噴涂到坩堝表面大約1~2mm左右。涂的不均勻，這就會造成在單晶生長過程中內壁脫落導致單晶生長失敗。
　　
　　這是因為鋇在硅中的平衡偏析系數非常小，使得他在硅晶棒中的濃度小于2.5x10（-9）/cm3，因而不會影響到晶棒的品質。通常的做法是將石英坩堝壁涂上一層含有結晶水的氫氧化鋇（Ba(OH)2.8H2O）（飽和的氫氧化鋇水溶液）。
　　
　　這層氫氧化鋇會與空氣中的二氧化碳反應形成碳酸鋇。而當這種石英坩堝在單晶爐上被加熱時，碳酸鋇會分解形成氧化鋇，隨著氧化鋇與石英坩堝反應形成硅酸鋇（BaSiO3）。由于硅酸鋇的存在，使得石英坩堝壁上形成一層致密微小的方石英結晶。這種微
　　
　　小的方石英結晶很難被溶液滲入而剝落，即使剝落也很快被溶液溶解掉，，因此可以大幅度的改善石英坩堝的使用壽命及長晶良率。另外在石英坩堝外壁形成一層方石英結晶的好處，是它可以增加石英坩堝的強度，減少高溫軟化現(xiàn)象。
　　
　　涂鋇工藝也可用人工進行，但是人工涂鋇的缺點在于在涂鋇的同時引進多余的雜質且人工噴涂不均勻，使得在開始拉晶的時候由于雜質過多或者單晶生長過程中內壁脫落，造成放肩時斷線，需提雜后才能進行繼續(xù)拉晶。