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SIEMENS6ES71532BA010XB0可調(diào)電阻器和電位器三大類。在電路中，固定電阻器、半可調(diào)電阻器的符號是R，電位器的符號是RP

SIEMENS 6ES74142XK050AB0決定選用哪種類型的電阻器。例如，電路中的降壓和限流電阻、音頻負載電阻等，選用碳膜電阻就能

SIEMENS 6FC55000AA111AA0子和原子等其他粒子的碰撞與摩擦，碰撞和摩擦的結果形成了導體對電流的阻礙，這種阻礙作用

SIEMENS6DD16610AB1 有）勢阱,導帶中的準連續(xù)的電子態(tài)變成量子化，電子空穴的復合發(fā)光發(fā)生在這些量子化的分立狀態(tài)

SIEMENS6EP1337-3BA00它也是一種有內(nèi)部電流增益的光電探測器。它不受碰撞電離噪聲的限制，因此在長波長低噪聲探測器應

SIEMENS6ES74921AL000AA0以連續(xù)生長兩個以上多層異質(zhì)結。這種多結光電子器件可以是二端工作的,也可以是三端或多端的。

SIEMENS 6ES7193-4CC20-0AA0等目的。異質(zhì)結在光電子學中的另一成就是70年代出現(xiàn)的半導體光陰極。以前采用的光陰極材料

SIEMENS6SE70312EP850AA0子阱激光器、雙穩(wěn)態(tài)光器件等）。雙異質(zhì)結激光器的發(fā)明是異質(zhì)結研究方面的一個重大成就。采用

SIEMENSET200B-32DO用外延生長技術可以把不同半導體單晶薄膜控制生長在一起，形成異質(zhì)結或異質(zhì)結構。適

SIEMENS6ES7960–1AA04–0XA0生載流子在結附近某區(qū)域的強電場下加速，其能量可達到引起晶格碰撞電離的閾值。這種電離過

SIEMENS 6ES72320HB220XA8極管是廣泛使用的光檢測器件,為了提高量子效率和響應速度，必須盡量擴大耗盡區(qū)（即電場區(qū)），

SIEMENS 562-001（達104伏/厘米以上）,導致能帶彎曲，形成PN結勢壘。光生載流子一旦擴散入結區(qū)即被內(nèi)場掃向兩

SIEMENS 6ES75900AA000AA0泛用作光電控制和早期光通信的光源。導體激光器就是用高摻雜GaAs的PN結制成的，

SIEMENS6ES71934CF500AA0附近將注入大量非平衡載流子，利用復合發(fā)光效應可制成各種顏色發(fā)光二極管。電子儀表上普遍

SIEMENS6ES72720AA300YA0出各種波段（特別是紅外波段）光電探測器，如InSb、HgCdTe光電探測器，在軍事上已獲得廣泛應用。

SIEMENS6ES72162BD230XB0因此帶間復合發(fā)光的效率很低（小于0.01%）。許多化合物材料如GaAs、InGaAsP為直接帶材料（

SIEMENS6ES71324BD020AA0到半導滿足躍遷過程的動量守恒原則（圖4）,這就要求大量聲子同

SIEMENS ZIC4A很敏感。表面層對外來電荷（正的或負的電荷）的吸附引起表面能帶的彎曲（向上或向下），劇烈地影

SIEMENS6ES7972OCB200XA02是一個具有理想表面的半導體的能帶圖，EC、EV分別表示導帶底和價帶頂,E0為體外真空能級

SIEMENS 6DR50200NG000AA0就能夠躍遷到導帶中，與此同時在價帶中留下空穴，統(tǒng)稱為光生載流子，由此產(chǎn)生的附加導電現(xiàn)