產(chǎn)品描述：

該款PECVD系統(tǒng), 可以分為低溫、中溫、高溫三種加熱形式，加熱元件可分為電阻絲（1200℃以下使用）、硅碳棒（1400℃以下使用）、硅鉬棒（1700℃以下使用）等；

PECVD系統(tǒng)主要由供氣系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、射頻電源、真空系統(tǒng)等組成；

1）加熱系統(tǒng)可以分單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)、多溫區(qū)等；

2）真空系統(tǒng)可分為低真空和高真空，極限真空可以達(dá)到10-4Pa（分子泵組）；

3）射頻電源借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中；

4）供氣系統(tǒng)是流量調(diào)節(jié)用戶可選擇質(zhì)量流量計(jì)或浮子流量計(jì)，混氣路數(shù)用戶可選2路、3路、4路、5路、6路等相混合（主要根據(jù)客戶工藝要求定制）；

PECVD是借助于光放電等方法產(chǎn)生等離子體，光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。通過反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn)，工藝流程簡單。

爐底(可選)配安裝一對滑軌，可用手滑動（主要適用于1200℃以下加裝滑軌）?？梢赃_(dá)到快速升降溫的目的，為取得加熱速率，可以預(yù)先加熱爐子到設(shè)定的溫度，然后移動爐子到樣品區(qū)?？稍跇悠芳訜岷笠苿訝t子到另一端，實(shí)現(xiàn)快速降溫功能。是高校、科研院所、工礦企業(yè)做高溫氣氛燒結(jié)、氣氛還原、CVD實(shí)驗(yàn)、真空退火用的理想產(chǎn)

品。

產(chǎn)品用途：

設(shè)備可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應(yīng)用于刀具、高精模具、硬質(zhì)涂層、裝飾等領(lǐng)域。

產(chǎn)品功能及特點(diǎn)：

1、 1200℃爐蓋可打開，可以隨時(shí)觀察加熱的物料，并能迅速降溫，滿足材料驟冷驟熱的實(shí)驗(yàn)需要。

2、 爐膛采用*真空吸附成型的優(yōu)質(zhì)氧化鋁多晶纖維制成，保溫效果好，耐用節(jié)能， 不掉粉、反射率高、溫場均衡，等特點(diǎn)。

3、1）、加熱元件采用高電阻優(yōu)質(zhì)合金絲0Cr27Al7Mo2，發(fā)熱溫度可達(dá)1200℃。

2）、加熱元件采用優(yōu)質(zhì)硅碳棒，發(fā)熱溫度可達(dá)1400℃。

3）、加熱元件采用優(yōu)質(zhì)硅鉬棒，發(fā)熱溫度可達(dá)1700℃。

4、通過射頻電源實(shí)現(xiàn)輝光放電等方法，產(chǎn)生等離子體。

5、數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)是由多路質(zhì)量流量計(jì)，流量顯示儀等組成，實(shí)現(xiàn)氣體的流量的精密測量和控制；每條氣體管路均配備高壓逆止閥，保證系統(tǒng)的安全性和連續(xù)均勻性。

6、爐管采用高純石英管，高溫下化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng)，熱膨脹系數(shù)極小，能承受驟冷驟熱的溫度；

7、采用KF快速法蘭密封，僅需要一個(gè)卡箍就能完成法蘭的連接，放、取物料方便快捷，避免了螺栓密封人為操作導(dǎo)致漏氣的可能；減少了因安裝法蘭而造成加熱管損壞的可能；

8、預(yù)留了真空、氣路快速接口，可配合我司真空系統(tǒng)、混氣系統(tǒng)使用；

9、我司可配預(yù)留485轉(zhuǎn)換接口，可通過我部的軟件，與計(jì)算機(jī)互聯(lián)，可實(shí)現(xiàn)單臺或者多臺電爐的遠(yuǎn)程控制、實(shí)時(shí)追蹤、歷史記錄、輸出報(bào)表等功能；可安裝無紙記錄裝置，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲、輸出；