西安天光測(cè)控技術(shù)有限公司
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詳細(xì)摘要： *品牌：天光測(cè)控半導(dǎo)體器件老化測(cè)試篩選系統(tǒng)*型號(hào)：ST-PC_X*用途：可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSF...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-PC_X所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 天光測(cè)控IGBT開關(guān)特性測(cè)試儀——型號(hào)：供應(yīng)廠家：天光測(cè)控；型號(hào)：ST-DP_X（1200V200A）；用途：用于Si/SiC/GaN 材料的 MOSFET&I...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DP_X所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 天光測(cè)控PN結(jié)電容測(cè)試儀測(cè)試參數(shù): 二極管、三極管、MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體分立器件的柵電阻Rg、輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反饋電容Crss.測(cè)...
產(chǎn)品型號(hào)：0所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 各類三極管型的光電耦合器 單機(jī)測(cè)試儀，源自飛思卡爾 16 位單片機(jī)編程； 支持1通道，多通道提供適配器支持； 10 檔位分檔設(shè)計(jì)； 可編程的 DUT 恒流源和電...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：咸陽市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 能測(cè) 36類“半導(dǎo)體分立器件"“電子元件"諸如 Diode、BJT、MOSFET、IGBT、SCR、光耦、繼電器、IC、電流傳感器、保護(hù)器等；※測(cè)試項(xiàng)目包括擊穿...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：咸陽市更新時(shí)間：2023-09-12 在線留言
詳細(xì)摘要： 熱阻測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試參數(shù)：可測(cè)試器件穩(wěn)態(tài)熱阻Rth（J-C）散熱：設(shè)備采用水冷散熱，用于測(cè)試IC、LED、散熱器、熱管等電子器件的熱特性
產(chǎn)品型號(hào)：T3Ster所在地：西安市更新時(shí)間：2021-11-05 在線留言
詳細(xì)摘要： 瞬熱阻測(cè)試儀ST-Thermal_X   功率器件熱特性測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODE...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-Thermal_Zth所在地：西安市更新時(shí)間：2021-11-05 在線留言
詳細(xì)摘要： ST-HTXB_X功率器件環(huán)境老化試驗(yàn)臺(tái)可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCR...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-HTXB_X所在地：西安市更新時(shí)間：2021-10-12 在線留言
詳細(xì)摘要： 穩(wěn)態(tài)熱阻測(cè)試儀（Rth）測(cè)試參數(shù)：可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-Thermal_Rth所在地：西安市更新時(shí)間：2019-06-12 在線留言
詳細(xì)摘要： 瞬態(tài)熱阻抗測(cè)試儀測(cè)試參數(shù)：可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的熱...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-Thermal_Zth所在地：西安市更新時(shí)間：2019-06-12 在線留言
詳細(xì)摘要： 晶體管測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試參數(shù)：可測(cè)試 19大類27分類 大中小功率的 分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)（測(cè)試范圍包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIOD...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP 2005所在地：西安市更新時(shí)間：2019-06-12 在線留言
詳細(xì)摘要： 穩(wěn)態(tài)熱阻測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試參數(shù)：可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的熱...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-Thermal_X所在地：西安市更新時(shí)間：2019-06-12 在線留言
詳細(xì)摘要： 分鐘級(jí)功率循環(huán)試驗(yàn)臺(tái)測(cè)試范圍：Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的分鐘級(jí)...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-Thermal_PCmin所在地：西安市更新時(shí)間：2019-06-12 在線留言
詳細(xì)摘要： K曲線測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試參數(shù)：可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs
產(chǎn)品型號(hào)：ST-Thermal_Kcurve所在地：西安市更新時(shí)間：2019-06-12 在線留言
詳細(xì)摘要： 熱阻（抗）測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試參數(shù)：Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs
產(chǎn)品型號(hào)：ST-Thermal_RZth所在地：西安市更新時(shí)間：2019-06-12 在線留言
詳細(xì)摘要： 穩(wěn)態(tài)熱阻測(cè)試儀ST-Thermal_X功率器件熱特性測(cè)試系統(tǒng)可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / ...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-Thermal_X所在地：西安市更新時(shí)間：2019-05-17 在線留言
詳細(xì)摘要： ST-SP2010 功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)用于測(cè)試 IGBTs,MOSFETs, Diode,靜態(tài)直流參數(shù)3000V/2000A
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP_2010所在地：西安市更新時(shí)間：2019-05-17 在線留言
詳細(xì)摘要： ST-SP9060 功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)用于測(cè)試 IGBTs,MOSFETs, Diode,靜態(tài)直流參數(shù)3000V/2000A
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP_9060所在地：西安市更新時(shí)間：2019-05-17 在線留言
詳細(xì)摘要： ST-DP3020 功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)用于測(cè)試 IGBTs,MOSFETs, Diode,動(dòng)態(tài)交流參數(shù)1500V/600A，短路電流2500A
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DP3020所在地：西安市更新時(shí)間：2019-05-17 在線留言
詳細(xì)摘要： ST-DP1506 功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)用于測(cè)試 IGBTs,MOSFETs, Diode,動(dòng)態(tài)交流參數(shù)1500V/600A，短路電流2500A
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DP1506所在地：西安市更新時(shí)間：2019-05-17 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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