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加工定制	是	服務(wù)區(qū)域	全國(guó)
服務(wù)周期	常規(guī)3-5天	服務(wù)類(lèi)型	元器件篩選及失效分析
服務(wù)資質(zhì)	CMA/CNAS認(rèn)可	證書(shū)報(bào)告	中英文電子/紙質(zhì)報(bào)告
增值服務(wù)	可加急檢測(cè)	是否可定制	是
是否有發(fā)票	是

功率器件失效根因分析強(qiáng)大專(zhuān)家技術(shù)團(tuán)隊(duì)服務(wù)范圍

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分?器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

l GJB548B-2005微電?器件試驗(yàn)?法和程序

l GJB8897-2017軍?電?元器件失效分析要求與?法

l QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求

檢測(cè)項(xiàng)目

試驗(yàn)類(lèi)型	試驗(yàn)項(xiàng)?
?損分析	X 射線透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、?相顯微鏡
電特性/電性定位分析	電參數(shù)測(cè)試、IV&CV 曲線量測(cè)、ESD、Photon Emission、OBIRCH、ATE 測(cè)試與三溫(常溫/低溫/高溫) 驗(yàn)證
破壞性分析	開(kāi)封、去層、切?、芯?級(jí)切片、推拉力測(cè)試
微觀顯微分析	DB FIB切?截?分析、FESEM 檢查、EDS微區(qū)元素分析、掃描電鏡、透射電鏡

相關(guān)資質(zhì)

CNAS

功率器件失效根因分析強(qiáng)大專(zhuān)家技術(shù)團(tuán)隊(duì)服務(wù)背景

受益于國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)，國(guó)內(nèi)功率器件廠商迎來(lái)了發(fā)展機(jī)會(huì)。在成長(zhǎng)中廠商迫切希望減少或消除產(chǎn)品失效，并在設(shè)計(jì)、?藝和產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)、可靠性測(cè)試、封裝等階段進(jìn)?改進(jìn)，以迅速占領(lǐng)市場(chǎng)。

我們的優(yōu)勢(shì)

廣電計(jì)量擁有專(zhuān)家團(tuán)隊(duì)及先進(jìn)的失效分析設(shè)備，專(zhuān)注功率器件失效根因分析，可為客?提供完整的失效根因分析服務(wù)，針對(duì)產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)、來(lái)料檢驗(yàn)、加?組裝、測(cè)試篩選、客?端使?等各個(gè)環(huán)節(jié)，為客?提供失效分析咨詢、協(xié)助客?開(kāi)展設(shè)計(jì)規(guī)劃、以及分析測(cè)試服務(wù)。