電子元器件破壞性物理分析 DPA失效機理試驗）：元器件的設計、結(jié)構、材料和工藝等任何因素都有可能引起元器件的制造質(zhì)量不同，導致元器件無法滿足預定用途或有關規(guī)范的要求；另一方面，在裝機后出現(xiàn)的相關問題，將推高整改與制造成本。因此，盡早預防使用有明顯或潛在缺陷的元器件，并提出批次處理意見和改進措施，對提高電子元器件的使用可靠性、并最終提升電子設備的質(zhì)量顯得尤為重要。電子元器件破壞性物理分析 DPA失效機理試驗

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覆蓋所有種類和封裝的電子元器件型號，包含：電阻器；電容器；磁珠；電感器；變壓器；晶體振蕩器；晶體諧振器；繼電器；半導體分立器件（二極管、三極管、場效應管、達林頓陣列、半導體光電子器件等）；電連接器；開關及面板元件；半導體集成電路（時基電路、總線收發(fā)器、緩沖器、驅(qū)動器、電平轉(zhuǎn)換器、門器件、觸發(fā)器、LVDS線收發(fā)器、運算放大器、電壓調(diào)整器、電壓比較器、電源類芯片（穩(wěn)壓器、開關電源轉(zhuǎn)換器、電源監(jiān)控器、電源管理等）、數(shù)模轉(zhuǎn)換器（A/D、D/A、SRD）、存儲器、可編程邏輯器件、單片機、微處理器、控制器等）；濾波器；電源模塊；IGBT等。