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目錄:上海乾拓貿(mào)易有限公司>>日本SMC|SMC電磁閥>>SMC氣動元件>> SY7420-5DZ-02-F2日本SMC位置傳感器ISA3-GCP-3LB-L2驅(qū)動方式

日本SMC位置傳感器ISA3-GCP-3LB-L2驅(qū)動方式
  • 日本SMC位置傳感器ISA3-GCP-3LB-L2驅(qū)動方式
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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  • 品牌 其他品牌
  • 型號 SY7420-5DZ-02-F2
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
  • 所在地 上海市
屬性

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更新時間:2025-05-11 19:18:45瀏覽次數(shù):2021評價

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加工定制 輸出信號 其他
制作工藝 其他
日本SMC位置傳感器ISA3-GCP-3LB-L2驅(qū)動方式
配管規(guī)格C供氣側(cè):Rc1/8; 檢測側(cè):Φ4 快換接頭(額定距離范圍:0.01~0.03mm);Φ6 快換接頭(額定距離范圍:0.02~0.15mm/0.05~0.30mm);
輸出規(guī)格PPNP1輸出
壓力單位-帶單位切換功能
位數(shù)33位

日本SMC位置傳感器ISA3-GCP-3LB-L2驅(qū)動方式

制造工藝:

二次光刻光敏區(qū)工藝。采用此技術(shù),在次光刻

后去掉膠層,進(jìn)行氧化層的生長,約為500 a左右

件下(0.32μm) 有大的分辯率。此時光電流大

,分辯率高。注入條件為:磷注入, 能量為

;然后進(jìn)行次光刻,透過二氧化硅層進(jìn)行光敏

區(qū)bf2 的離子注入。這有兩個方面處,一是可有

光敏區(qū)內(nèi)外電阻率比控工藝。影響高分辯率的因素

有結(jié)深、邊界條件及有效光敏區(qū)內(nèi)外電阻率之比等

效地保護(hù)光敏區(qū)的表面,保護(hù)二氧化硅和硅的界面

;二是利用其屏蔽作用制得滿足器件要求的結(jié)深。

。對于同一種器件結(jié)構(gòu),光敏區(qū)在一個結(jié)深條

60kev , 劑量為4e15;硼注入, 能量60kev , 劑量為

1e13;光敏注入,能量為40kev ,劑量為4e13。

ISE40A-W1-R.jpg

類型介紹:

它是利用檢測平衡狀態(tài)下浮子浮力的變化來進(jìn)行位

置測量的。此外,它還可以配備微機(jī),使其具有自

的衰減愈小,但是反射效率也小,所以需要根據(jù)距

離、物體表面狀況等因素來選擇聲波傳感器類型

檢、自診斷和遠(yuǎn)傳的功能,它的是測量位置的

通過向被測物體表面發(fā)射聲波,被其反射后,傳

感器接受,通過時間和聲速來計算其到物體表面的

范圍寬、精度高。它是一種非接觸式位置的產(chǎn)品,

對于一些不宜接觸測量的場合是的選擇。它是

距離。聲波有一個特性它的頻率愈低,隨著距離

。高性能產(chǎn)品能分別出哪些是信號波,哪些是噪聲

,而且還可以在高溫和大風(fēng)的情況下檢測液位。

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