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微區(qū)掃描電化學(xué)系統(tǒng)

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更新時間：2021-06-30 08:30:19瀏覽次數(shù)：763次

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)品概述VersaScan微區(qū)掃描電化學(xué)工作站是一個建立在電化學(xué)掃描探針的設(shè)計基礎(chǔ)上的，進(jìn)行超高測量分辨率及空間分辨率的非接觸式微區(qū)形貌及電化學(xué)微區(qū)測試系統(tǒng)

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品概述

產(chǎn)品介紹

VersaScan微區(qū)掃描電化學(xué)工作站是一個建立在電化學(xué)掃描探針的設(shè)計基礎(chǔ)上的，進(jìn)行超高測量分辨率及空間分辨率的非接觸式微區(qū)形貌及電化學(xué)微區(qū)測試系統(tǒng)。它是提供給電化學(xué)及材料測試以*空間分辨率的一個測試平臺。每個VersaSCAN都具有高分辨率，長工作距離的閉環(huán)定位系統(tǒng)并安裝于抗震光學(xué)平臺上。不同的輔助選件都安裝于定位系統(tǒng)上，輔助選件包括，如電位計，壓電振動單元，或者激光傳感器，為不同掃描探針試驗，定位系統(tǒng)提供不同的功能。VersaSTAT恒電位儀和Signal Recovery 7230鎖相放大器和定位系統(tǒng)整合在一起，由以太網(wǎng)來控制，保證小信號的精確測量。

它是一個模塊化配置的系統(tǒng)，可以實現(xiàn)如下現(xiàn)今所有微區(qū)掃描探針電化學(xué)技術(shù)以及激光非接觸式微區(qū)形貌測試：

Scanning Electrochemical Microscopy (SECM) 掃描電化學(xué)顯微鏡
-AC-SECM 無氧化還原介質(zhì)掃描電化學(xué)顯微鏡
-Stylus-Probe 柔性探針技術(shù)-等距離掃描電化學(xué)顯微鏡
Scanning Vibrating Electrode Technique (SVET) 掃描振動電極測試
Scanning Kelvin Probe (SKP) 掃描開爾文探針測試
Localized Electrochemical Impedance Spectroscopy (LEIS) 微區(qū)電化學(xué)阻抗測試
Scanning Droplet Cell (SDC) 掃描電解液微滴測試
Non-Contact Surface Profiling (OSP) 非觸式光學(xué)微區(qū)形貌測試
Ion Selective Probe (ISP) 表面離子濃度成像系統(tǒng)

以上每項技術(shù)使用不同的測量探針，且安裝位置與樣品非常接近，但是不接觸到樣品。隨著探針測試的進(jìn)行，改變探針的空間位置。然后將所記錄的數(shù)據(jù)對探針位置作圖，針對不同技術(shù)，該圖可以呈現(xiàn)微區(qū)電化學(xué)電流，阻抗，相對功函或者是表面形貌圖。

VersaSCAN SECM
Scanning ElectroChemical Microscopy 掃描電化學(xué)顯微鏡系統(tǒng)

VersaSCAN SECM 整合了定位系統(tǒng)、兩臺VersaSTAT恒電位儀和錐形拋光的超微電極探針為一體。SECM多樣化的技術(shù)提供了高空間分辨率，可應(yīng)用于反應(yīng)動力學(xué)，生物傳感器，催化劑和腐蝕機(jī)理等研究。

兼容恒電位儀: VersaSTAT 3F 和VersaSTAT 3/3F/4。
可進(jìn)行逼近曲線實驗包含“反饋”模式和“發(fā)生-采集”模式兩種成像模式。
結(jié)合了表面形貌測量技術(shù)，如典型的如非接觸式微區(qū)形貌掃描系統(tǒng)OSP，可進(jìn)行樣品表面定距離掃描，
VersaSTATs 配置不同功能的操作軟件，能夠提供強(qiáng)大的成套的非掃描電化學(xué)測試，取決于其*的軟件模式。

VersaSCAN SVET
Scanning Vibrating Electrode Technique 掃描振動電極測量系統(tǒng)

VersaSCAN SVET 整合了定位系統(tǒng)及鎖相放大器技術(shù)(Signal Recovery Lock-in Amplifier), 壓電振動模塊, 電位計和單絲探針。 SVET技術(shù)測量溶液中的電壓降。電解液中的電壓降是由樣品表面的局部電流所導(dǎo)致的。 SVET提供高分辨率可應(yīng)用于不均勻腐蝕，點蝕，焊接和電耦合等。此外，SVET還有生物方面的應(yīng)用。

鎖相放大器: Signal Recovery 7230
可進(jìn)行線掃描和面掃描
當(dāng)設(shè)定不同的測量時間測量，可進(jìn)行時間分辨成像
結(jié)合了表面形貌測量技術(shù)，如典型的如非接觸式微區(qū)形貌掃描系統(tǒng)OSP，可進(jìn)行樣品表面定距離掃描，

VersaSCAN LEIS
Localized Electrochemical Impedance System微區(qū)電化學(xué)阻抗測試系統(tǒng)

VersaSCAN LEIS 整合了定位系統(tǒng)和VersaSTAT 3F 及差分電壓選項, 靜電計，雙探頭探針。 LEIS技術(shù)是通過測量施加于樣品的交流電壓和由探針?biāo)鶞y量的溶液中交流電流的比值，來計算局部阻抗，LEIS加入高的空間分辨率，可應(yīng)用于有機(jī)涂層，裸露的金屬腐蝕，和所有和增加的交流技術(shù)相關(guān)的應(yīng)用。

恒電位儀：VersaSTAT 3F及差分輔助選項
可進(jìn)行固定頻率/掃描位置的數(shù)據(jù)成像，和固定位置/掃描頻率的Bode圖或者Nyquist圖。
當(dāng)設(shè)定不同的測量時間測量，可進(jìn)行時間分辨成像
結(jié)合了表面形貌測量技術(shù)，如典型的如非接觸式微區(qū)形貌掃描系統(tǒng)OSP，可進(jìn)行樣品表面定距離掃描，

VersaSCAN SKP
Scanning Kelvin Probe 掃描開爾文探針系統(tǒng)

VersaSCAN SKP整合定位系統(tǒng)及鎖相放大器技術(shù)(Signal Recovery Lock-in Amplifier), 壓電振動模塊, 電位計和鎢絲探針。SKP 技術(shù)測量探針和樣品表面位置的相對功函差。這是一個非破壞的技術(shù)，可運行于環(huán)境氣氛，潮濕氣氛和無電解液情況下。相對功函已經(jīng)被證實與腐蝕電位 (Ecorr)相關(guān)。SKP 提供的高空間分辨率可應(yīng)用于材料，半導(dǎo)體，金屬腐蝕，甚至這些材料上的涂層。

鎖相放大器: Signal Recovery 7230
可進(jìn)行表面形貌測量，測量和設(shè)置探針和樣品間的距離。
使用同一探針，結(jié)合所進(jìn)行的表面形貌測量，進(jìn)行樣品表面定距離掃描。

VersaSCAN SDC
Scanning Droplet Cell電解液微滴掃描系統(tǒng)

VersaSCAN SDC 整合電位系統(tǒng)和一臺VersaSTAT, 一個機(jī)械加工的PTFE 滴液系統(tǒng)頭, 以及一個蠕動泵。SDC 技術(shù)對電解液微滴進(jìn)行電化學(xué)測量, 固定電極/電解液界面的面積。SDC提供高空間分辨率可應(yīng)用于動力學(xué)，腐蝕，流體研究和任何研究樣品表面微小面積而無需破壞樣品的應(yīng)用或者控制面積在不同電解液中的暴露時間的應(yīng)用。