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束蘊(yùn)儀器(上海)有限公司


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微區(qū)掃描電化學(xué)系統(tǒng)

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

產(chǎn)品概述VersaScan微區(qū)掃描電化學(xué)工作站是一個(gè)建立在電化學(xué)掃描探針的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上的,進(jìn)行超高測(cè)量分辨率及空間分辨率的非接觸式微區(qū)形貌及電化學(xué)微區(qū)測(cè)試系統(tǒng)

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品概述

VersaScan微區(qū)掃描電化學(xué)工作站是一個(gè)建立在電化學(xué)掃描探針的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上的,進(jìn)行超高測(cè)量分辨率及空間分辨率的非接觸式微區(qū)形貌及電化學(xué)微區(qū)測(cè)試系統(tǒng)。它是提供給電化學(xué)及材料測(cè)試以*空間分辨率的一個(gè)測(cè)試平臺(tái)。

 

產(chǎn)品介紹

VersaScan微區(qū)掃描電化學(xué)工作站是一個(gè)建立在電化學(xué)掃描探針的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上的,進(jìn)行超高測(cè)量分辨率及空間分辨率的非接觸式微區(qū)形貌及電化學(xué)微區(qū)測(cè)試系統(tǒng)。它是提供給電化學(xué)及材料測(cè)試以*空間分辨率的一個(gè)測(cè)試平臺(tái)。每個(gè)VersaSCAN都具有高分辨率,長(zhǎng)工作距離的閉環(huán)定位系統(tǒng)并安裝于抗震光學(xué)平臺(tái)上。不同的輔助選件都安裝于定位系統(tǒng)上,輔助選件包括,如電位計(jì),壓電振動(dòng)單元,或者激光傳感器,為不同掃描探針試驗(yàn),定位系統(tǒng)提供不同的功能。VersaSTAT恒電位儀和Signal Recovery 7230鎖相放大器和定位系統(tǒng)整合在一起,由以太網(wǎng)來控制,保證小信號(hào)的精確測(cè)量。

它是一個(gè)模塊化配置的系統(tǒng),可以實(shí)現(xiàn)如下現(xiàn)今所有微區(qū)掃描探針電化學(xué)技術(shù)以及激光非接觸式微區(qū)形貌測(cè)試:

  • Scanning Electrochemical Microscopy (SECM) 掃描電化學(xué)顯微鏡
  •           -AC-SECM 無氧化還原介質(zhì)掃描電化學(xué)顯微鏡
  •           -Stylus-Probe 柔性探針技術(shù)-等距離掃描電化學(xué)顯微鏡
  • Scanning Vibrating Electrode Technique (SVET) 掃描振動(dòng)電極測(cè)試
  • Scanning Kelvin Probe (SKP) 掃描開爾文探針測(cè)試
  • Localized Electrochemical Impedance Spectroscopy (LEIS) 微區(qū)電化學(xué)阻抗測(cè)試
  • Scanning Droplet Cell (SDC) 掃描電解液微滴測(cè)試
  • Non-Contact Surface Profiling (OSP) 非觸式光學(xué)微區(qū)形貌測(cè)試                                                   
  • Ion Selective Probe (ISP) 表面離子濃度成像系統(tǒng)

以上每項(xiàng)技術(shù)使用不同的測(cè)量探針,且安裝位置與樣品非常接近,但是不接觸到樣品。隨著探針測(cè)試的進(jìn)行,改變探針的空間位置。然后將所記錄的數(shù)據(jù)對(duì)探針位置作圖,針對(duì)不同技術(shù),該圖可以呈現(xiàn)微區(qū)電化學(xué)電流,阻抗,相對(duì)功函或者是表面形貌圖。

 

VersaSCAN SECM
Scanning ElectroChemical Microscopy 掃描電化學(xué)顯微鏡系統(tǒng)

VersaSCAN SECM 整合了定位系統(tǒng)、兩臺(tái)VersaSTAT恒電位儀和錐形拋光的超微電極探針為一體。SECM多樣化的技術(shù)提供了高空間分辨率,可應(yīng)用于反應(yīng)動(dòng)力學(xué),生物傳感器,催化劑和腐蝕機(jī)理等研究。

  • 兼容恒電位儀:  VersaSTAT 3F VersaSTAT 3/3F/4
  • 可進(jìn)行逼近曲線實(shí)驗(yàn)包含“反饋”模式和“發(fā)生-采集”模式兩種成像模式。
  • 結(jié)合了表面形貌測(cè)量技術(shù),如典型的如非接觸式微區(qū)形貌掃描系統(tǒng)OSP,可進(jìn)行樣品表面定距離掃描,
  • VersaSTATs 配置不同功能的操作軟件,能夠提供強(qiáng)大的成套的非掃描電化學(xué)測(cè)試,取決于其*的軟件模式。

 

VersaSCAN SVET
Scanning Vibrating Electrode Technique 掃描振動(dòng)電極測(cè)量系統(tǒng)

VersaSCAN SVET 整合了定位系統(tǒng)及鎖相放大器技術(shù)(Signal Recovery Lock-in Amplifier), 壓電振動(dòng)模塊, 電位計(jì)和單絲探針。 SVET技術(shù)測(cè)量溶液中的電壓降。電解液中的電壓降是由樣品表面的局部電流所導(dǎo)致的。 SVET提供高分辨率可應(yīng)用于不均勻腐蝕,點(diǎn)蝕,焊接和電耦合等。此外,SVET還有生物方面的應(yīng)用。

  • 鎖相放大器:  Signal Recovery 7230
  • 可進(jìn)行線掃描和面掃描
  • 當(dāng)設(shè)定不同的測(cè)量時(shí)間測(cè)量,可進(jìn)行時(shí)間分辨成像
  • 結(jié)合了表面形貌測(cè)量技術(shù),如典型的如非接觸式微區(qū)形貌掃描系統(tǒng)OSP,可進(jìn)行樣品表面定距離掃描,

 

VersaSCAN LEIS
Localized Electrochemical Impedance System微區(qū)電化學(xué)阻抗測(cè)試系統(tǒng)

VersaSCAN LEIS 整合了 定位系統(tǒng)和VersaSTAT 3F 及差分電壓選項(xiàng), 靜電計(jì),雙探頭探針。 LEIS技術(shù)是通過測(cè)量施加于樣品的交流電壓和由探針?biāo)鶞y(cè)量的溶液中交流電流的比值,來計(jì)算局部阻抗,LEIS加入高的空間分辨率,可應(yīng)用于有機(jī)涂層,裸露的金屬腐蝕,和所有和增加的交流技術(shù)相關(guān)的應(yīng)用。

  • 恒電位儀:VersaSTAT 3F及差分輔助選項(xiàng)
  • 可進(jìn)行固定頻率/掃描位置的數(shù)據(jù)成像,和固定位置/掃描頻率的Bode圖或者Nyquist圖。
  • 當(dāng)設(shè)定不同的測(cè)量時(shí)間測(cè)量,可進(jìn)行時(shí)間分辨成像
  • 結(jié)合了表面形貌測(cè)量技術(shù),如典型的如非接觸式微區(qū)形貌掃描系統(tǒng)OSP,可進(jìn)行樣品表面定距離掃描,

 

VersaSCAN SKP
Scanning Kelvin Probe 掃描開爾文探針系統(tǒng)

VersaSCAN SKP整合定位系統(tǒng)及鎖相放大器技術(shù)(Signal Recovery Lock-in Amplifier), 壓電振動(dòng)模塊, 電位計(jì)和鎢絲探針。SKP 技術(shù)測(cè)量探針和樣品表面位置的相對(duì)功函差。這是一個(gè)非破壞的技術(shù),可運(yùn)行于環(huán)境氣氛,潮濕氣氛和無電解液情況下。相對(duì)功函已經(jīng)被證實(shí)與腐蝕電位 (Ecorr)相關(guān)。SKP 提供的高空間分辨率可應(yīng)用于材料,半導(dǎo)體,金屬腐蝕,甚至這些材料上的涂層。

  • 鎖相放大器:  Signal Recovery 7230
  • 可進(jìn)行表面形貌測(cè)量,測(cè)量和設(shè)置探針和樣品間的距離。
  • 使用同一探針,結(jié)合所進(jìn)行的表面形貌測(cè)量,進(jìn)行樣品表面定距離掃描。

 

VersaSCAN SDC
Scanning Droplet Cell電解液微滴掃描系統(tǒng)

VersaSCAN SDC 整合電位系統(tǒng)和一臺(tái)VersaSTAT,  一個(gè)機(jī)械加工的PTFE 滴液系統(tǒng)頭, 以及一個(gè)蠕動(dòng)泵。SDC 技術(shù)對(duì)電解液微滴進(jìn)行電化學(xué)測(cè)量, 固定電極/電解液界面的面積。SDC提供高空間分辨率可應(yīng)用于動(dòng)力學(xué),腐蝕,流體研究和任何研究樣品表面微小面積而無需破壞樣品的應(yīng)用或者控制面積在不同電解液中的暴露時(shí)間的應(yīng)用。

  • 恒電位儀: VersaSTAT 3 / 3F /4
  • 可進(jìn)行恒定電化學(xué)參數(shù)/位置掃描的數(shù)據(jù)成圖和固定位置/動(dòng)態(tài)信號(hào)的繪圖,如循環(huán)伏安,塔菲爾, 電化學(xué)交流阻抗等。
  • 可運(yùn)行流動(dòng)或者是靜止的電解液液滴。

 

VersaSCAN OSP
Non-Contact Optical Surface Profiling
非觸式光學(xué)微區(qū)形貌測(cè)試系統(tǒng)

VersaSCAN OSP整合定位系統(tǒng)和高精度,高速度激光位移傳感器。 OSP 技術(shù)使用漫反射機(jī)理用于樣品的表面形貌。OSP可作為非常靈敏水平的機(jī)制用于表面形貌測(cè)量,,或繪制地形圖與其它掃描探針技術(shù)一起應(yīng)用于樣品表面定距離掃描測(cè)試。

 

儀器配置

  • Scanning Electrochemical Microscopy (SECM) 掃描電化學(xué)顯微鏡
  •           -AC-SECM 無氧化還原介質(zhì)掃描電化學(xué)顯微鏡
  •           -Stylus-Probe 柔性探針技術(shù)-等距離掃描電化學(xué)顯微鏡
  • Scanning Vibrating Electrode Technique (SVET) 掃描振動(dòng)電極測(cè)試
  • Scanning Kelvin Probe (SKP) 掃描開爾文探針測(cè)試
  • Localized Electrochemical Impedance Spectroscopy (LEIS) 微區(qū)電化學(xué)阻抗測(cè)試
  • Scanning Droplet Cell (SDC) 掃描電解液微滴測(cè)試
  • Non-Contact Surface Pro filing (OSP)非觸式光學(xué)微區(qū)形貌測(cè)試                                             
  • Ion Selective Probe (ISP) 表面離子濃度成像系統(tǒng)

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