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深圳市華科智源科技有限公司
產(chǎn)品型號(hào)PT-1224
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地深圳市
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更新時(shí)間:2023-03-29 16:00:38瀏覽次數(shù):383次
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IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)
該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊(IGBT、FRD、肖特基二極管等)的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試,以表征器件的動(dòng)態(tài)特性,通過(guò)特制測(cè)試夾具的連接,實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試
1.1 原理簡(jiǎn)述
雙脈沖測(cè)試平臺(tái)主要是通過(guò)特定程序控制功率元件在可控范圍內(nèi)兩次開(kāi)通,并測(cè)量過(guò)程中各 種動(dòng)態(tài)參數(shù),特別是在不同母線電壓,不同溫度下參數(shù)差異,是評(píng)估 FRD 和 IGBT 二十多種 動(dòng)態(tài)參數(shù)重要測(cè)量手段。同時(shí)也是功率元件驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路參數(shù)調(diào)整和驗(yàn)證的測(cè)量平臺(tái)。
1.2 原理框圖
1.3 主要作用
1、測(cè)試對(duì)比不同 IGBT 的參數(shù);
2、評(píng)估驅(qū)動(dòng)的功能和性能;
3、獲取 IGBT 在開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程的主要參數(shù),以評(píng)估 Rgon 及 Rgoff 的數(shù)值是否合適;
4、開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程是否有不合適的震蕩;
5、評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全余量;
6、IGBT 關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰是否合適,關(guān)斷之后是否存在不合適的震蕩;
7、評(píng)估 IGBT 并聯(lián)的均流特性;
8、測(cè)量母排和系統(tǒng)的雜散電感。
9、可兼容 TO-252、TO263、TO-3P、TO-247、ME4、HP1、Hpdriver 等封裝;如特殊封裝可 以定制開(kāi)發(fā)適配版。
電源范圍
0~1000VDC
加熱范圍
室溫~200℃
測(cè)試電流
0~2400A
負(fù)載電感
50uH\100uH\200uH\500uH (標(biāo)配 2 種)
脈寬調(diào)制范圍
5~400us
脈寬顯示屏
4 寸
通過(guò)此設(shè)備與示波器連接測(cè)試項(xiàng)目
開(kāi)通參數(shù)
關(guān)斷參數(shù)
Frd 反向恢復(fù)參數(shù)
開(kāi)通可達(dá)尖峰電流 Ic-peak max
關(guān)斷可達(dá)尖峰電壓 Vce-peak max
可達(dá)反向恢復(fù)電流 IRM
開(kāi)通時(shí)間 Ton
關(guān)斷時(shí)間 Toff
反向恢復(fù)損耗 Erec
開(kāi)通延遲 Td-on
關(guān)斷延遲 Td-off
反向恢復(fù)時(shí)間 Trr
開(kāi)通電壓變化率 dv/dt-on
關(guān)斷電壓變化率 dv/dt-off
反向恢復(fù)電荷 Qrr
開(kāi)通電流變化率 di/dt-on
關(guān)斷電流變化率 di/dt-off
反向恢復(fù)峰值功耗 Prr-peak
開(kāi)通電壓下降時(shí)間 tf-v-on
關(guān)斷電壓上升時(shí)間 tr-v-off
前沿電流變化率 di/dt-r
開(kāi)通電流上升時(shí)間 tr-i-on
關(guān)斷電流下降時(shí)間 tf-i-off
后沿電流變化率 di/dt-f
開(kāi)通損耗 Eon
Ic 拖尾電流值 It
反向恢復(fù)電壓變化率 dv/dt-rr
Ic 拖尾時(shí)間 Tt
可達(dá)反向恢復(fù)尖峰電壓 Vrr-peak
關(guān)斷損耗 Eoff
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