太陽能硅片厚度儀是制備太陽能硅片過程中*的檢測設(shè)備，硅片厚度有一定的偏差范圍，對于180μm厚度的硅片，其偏差范圍為±20μm，超過此范圍則成為不良品--薄厚片。薄厚片是衡量硅片品質(zhì)的一個(gè)很重要的指標(biāo)。薄厚片的存在會影響硅片合格率及電池片的生產(chǎn)工藝，因此硅片厚度成為一項(xiàng)重要檢測指標(biāo)。

太陽能硅片厚度儀

   太陽能硅片厚度儀的技術(shù)參數(shù)：

   測量范圍           0-2mm （其他量程可定制

   分辨率             0.1um

   測量速度           10次/min（可調(diào)）

   測量壓力           17.5±1kPa（薄膜）；100±1kPa（紙張）

   接觸面積           50mm²（薄膜），200mm²（紙張） 注：薄膜、紙張任選一種

   進(jìn)樣步矩           0 ～ 1300 mm(可調(diào))

   進(jìn)樣速度           0 ～ 120 mm/s(可調(diào))

   機(jī)器尺寸           450mm×340mm×390mm (長寬高)

   重    量             23Kg

   工作溫度             15℃-50℃

   相對濕度             zui高80%,無凝露

   試驗(yàn)環(huán)境             無震動，無電磁干擾

   工作電源             220V 50Hz

   標(biāo)準(zhǔn) GB/T 6618-2009《硅片厚度和總厚度變化測試方法》中給出了硅片厚度的測量方法，并對檢測儀器的相關(guān)參數(shù)做出了規(guī)定：

   1.測厚儀由帶指示儀表的探頭及支持硅片的夾具或平臺組成。

   2.測厚儀應(yīng)能使硅片繞平臺中心旋轉(zhuǎn)，并使每次測量定位在規(guī)定位置的2mm范圍內(nèi)。

   3.儀表zui小指示量值不大于1μm。

   4.測量時(shí)探頭與硅片接觸面積不應(yīng)超過2mm²。

   CHY-U型太陽能硅片厚度儀*上述要求，還配有自動進(jìn)樣器，可完成2mm范圍內(nèi)各種薄膜、復(fù)合膜、紙張、金屬箔片等硬質(zhì)和軟質(zhì)材料厚度精確測量。在太陽能硅片的生產(chǎn)過程中能夠起到重要作用。

   濟(jì)南三泉中石實(shí)驗(yàn)儀器有限公司是太陽能硅片厚度儀研發(fā)與生產(chǎn)的高科技企業(yè)，擁有比較全面的復(fù)合膜測厚儀、金屬鍍層測厚儀、紙張測厚儀等測試體系，咨詢。