半導體芯片制造商聯(lián)華電子（UnitedMicroelectronicsCorp，UMC）本周三正式宣布，該公司已經(jīng)在45納米SRAM產(chǎn)品上正式驗證了其高K金屬閘極（High-KMetalGate，HKMG）技術(shù)，這代表著聯(lián)電在芯片制造工藝上的一個重大里程碑。據(jù)透露，聯(lián)電將會在下一代32/28納米制程上運用高K金屬閘極技術(shù)，聯(lián)電新一代的32/28納米制程預計將于2010年正式服役。
聯(lián)電*技術(shù)研發(fā)部門副總裁S.C.Chien表示，“聯(lián)電正在平穩(wěn)發(fā)展自己的高K金屬閘極技術(shù)，并且正在朝著32/28納米試生產(chǎn)的方向發(fā)展，未來我們的客戶將可以享受到高K金屬閘極技術(shù)所帶來的性能優(yōu)勢。盡管目前經(jīng)濟前景并不透明，但是聯(lián)電仍將繼續(xù)全速朝向我們的技術(shù)研發(fā)方向努力。憑借我們zui近在28納米SRAM芯片上所取得的進展，再配合的高K金屬閘極制程材料保證，相信當我們的32/28納米制程正式服役后將可以為客戶提供一個強勁的技術(shù)平臺方案。”
2008年10月份，聯(lián)電生產(chǎn)出了晶圓制造業(yè)*塊28納米SRAM芯片，該芯片基于聯(lián)電低漏電（low-leakage，LL）制程，同時利用了*的雙重曝影（
double-patterning）浸潤式微影技術(shù)與應變硅（strainedsilicon）技術(shù)。
聯(lián)電在32/28納米制程上實際上是為自己上了一個雙保險，其32/28納米制程面向不同的市場應用將會推出不同的解決方案。其中，在便攜領(lǐng)域聯(lián)電將會為其LL低漏電制程采用傳統(tǒng)的硅閘極/氮氧化硅閘極氧化技術(shù)，這對諸如手機IC芯片等低功耗便攜應用領(lǐng)域是相當理想的。高K金屬閘極堆疊技術(shù)則主要將面向速度密集型產(chǎn)品，比如顯卡、應用處理器以及高速通信IC芯片等。不過聯(lián)電方面的政策相當靈活，事實上根據(jù)聯(lián)電的說法，如果有必要的話客戶*可以定制采用高K金屬閘極技術(shù)的32/28納米制程來制造低功耗應用芯片，以滿足個別用戶的特殊需求。
今年早些時候，聯(lián)電主要競爭對手臺積電（TaiwanSemiconductorManufacturingCo.）曾表示，該公司的28納米制程將只采用高K金屬閘極技術(shù)。臺積電28納米制程也是預定于2010年正式服役，不過事實上32納米制程的實際上馬的時間相比28納米制程而言要更早一些，聯(lián)電的32納米制程支持高K金屬閘極技術(shù)而臺積電的32納米卻并不支持高K金屬閘極技術(shù)，所以在某種程度上來說，聯(lián)電確實已經(jīng)在高K金屬閘極技術(shù)上將臺積電挑下了馬。
