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深圳海納光學(xué)有限公司
主營產(chǎn)品： 激光護(hù)目鏡，可飽和吸收鏡，衍射光學(xué)元件，光束整形器，太赫茲透鏡，太陽能模擬器，太赫茲相機(jī)，激光測量儀，離軸拋物面鏡，微透鏡陣列 |
公司信息
| 參考價(jià) | ￥ 89000 |
| 訂貨量 | 1 件 |
- 型號 M2Beam-Si，M2Beam-UV
- 品牌
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 所在地 深圳市
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更新時(shí)間：2020-04-17 09:29:55瀏覽次數(shù)：629
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| 規(guī)格型號 | M2Beam-Si,M2Beam-UV，M2Beam-IR，M2Beam-U3- | 加工定制 | 否 |
|---|---|---|---|
| 適用范圍 | M2因子,發(fā)散角以及束腰參數(shù)等數(shù)據(jù)的檢測 | 外形尺寸 | 100×173×415 mmmm |
| 用途 | 脈沖激光的檢測 | 重量 | 2.5kg |
深圳海納光學(xué)與以色列DUMA公司達(dá)成一致的代理協(xié)議，專門提供的光束質(zhì)量分析儀由七刀口式Beam Analyzer和移動平臺組成，通過采集多個(gè)測量面實(shí)現(xiàn)對M²因子的測量，整體準(zhǔn)確度保持在±5％范圍內(nèi)，滿足用戶對光束質(zhì)量參數(shù)的需求，主要包括M2因子，發(fā)散角以及束腰參數(shù)等數(shù)據(jù)的檢測。
光束質(zhì)量分析儀由于Beam Analyzer應(yīng)用刀口式掃描的原理，需要通過刀口截取激光面，因此無法實(shí)現(xiàn)對脈沖激光的檢測。為了滿足用戶對測量激光種類的需求，以色列DUMA公司為用戶提供了特殊型號選擇，M2Beam-U3-VIS-NIR。該型號采取CMOS傳感器搭配移動平臺，可以實(shí)現(xiàn)對220-1600nm波段脈沖激光的測量，解決了用戶對脈沖激光檢測的需求。刀口式掃描分析原理的測量精度與光束尺寸無關(guān)，因此對于微米級的激光束，刀口掃描式分析相比于狹縫或針孔式原理的測量精度略高，M2Beam激光光束分析儀可以實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)監(jiān)控激光光束質(zhì)量，配置USB3.0接口，通過連接移動端，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)快速傳輸以及便捷使用。
海納光學(xué)提供M2Beam光束質(zhì)量分析儀的普通版本以及高功率版本，通過配置風(fēng)冷束流采樣器，可以實(shí)現(xiàn)高達(dá)4 KW功率的檢測，從而保護(hù)探測頭不受功率損傷。
光束質(zhì)量分析儀M2Beam產(chǎn)品特點(diǎn)：
-可檢測連續(xù)激光以及脈沖激光
-*的斷層圖像重建技術(shù)
-zui大25mm光束尺寸測量
-USB3.0接口快速數(shù)據(jù)傳輸
-激光質(zhì)量監(jiān)控
-可配置采樣器，實(shí)現(xiàn)高功率激光檢測
-即插即用，使用便捷
光束分析儀M2Beam產(chǎn)品規(guī)格參數(shù)：
-輸入光束
激光質(zhì)量分析儀 M2Beam M2Beam U3
技術(shù)工藝 刀口式掃描原理，應(yīng)用Si探測器，InGaAs探測器和增強(qiáng)型InGaAs探測器 USB 3.0接口
CMOS 2.4MP
內(nèi)置過濾論
光譜響應(yīng)（nm） SI傳感器：350-1100
InGaAs傳感器：800-1800
Enhanced InGaAs 傳感器：800-2700 VIS-NIR：350-1600
UV-NIR：220-1350
激光功率范圍 Si：100 μW-1 W（帶衰減片）
InGaAs&UV：100 μW-5 mW
HP：4 kW以下 10μW-100mW，內(nèi)置濾光輪
HP：4 kW
刀口數(shù) 7 —
光束尺寸 帶透鏡高達(dá)25mm直徑（Si&UV版本）
束腰到透鏡距離 2.0~2.5米*
zui小2米
-掃描裝配附件
材質(zhì) 鋁
透鏡焦距 300mm（在632.6nm時(shí)）
透鏡直徑 25mm
掃描次數(shù) 140
zui小步進(jìn)尺寸 100μm
掃描長度 280mm
-整機(jī)
重量 2.5kg
尺寸 100×173×415 mm
托架 M6或1/4“固定
機(jī)械調(diào)整 水平角：±1.5°，垂直角：±1.5°
電纜長度 2.5m
光束分析儀訂購信息：
M2Beam-Si – measurement device for silicon range (350 – 1100nm)
M2Beam-UV – measurement device for silicon range (190 – 1100nm)
M2Beam-IR – measurement device for silicon range (800 – 1800nm)
M2Beam-U3-VIS-NIR - measurement device for 350-1600 nm CMOS based
M2Beam-UV-NIR – Special – consult factory.
SAM3-HP-M – beam sampler for high power beams
