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北京同德創(chuàng)業(yè)科技有限公司作者
金屬薄膜方塊電阻測試儀
| 資料類型 | jpg文件 | 資料大小 | 17971 |
| 下載次數(shù) | 102 | 資料圖片 | 【點(diǎn)擊查看】 |
| 上 傳 人 | 北京同德創(chuàng)業(yè)科技有限公司 | 需要積分 | 0 |
| 關(guān) 鍵 詞 | 金屬薄膜方塊電阻測試儀,金屬薄膜方塊電阻測試儀,金屬薄膜方塊電阻測試儀,金屬薄膜方塊電阻測試儀,金屬 | ||
- 【資料簡介】
KDB-2B為四探針法測量金屬薄膜的方塊電阻，該方法操作簡單，測量。
儀器特點(diǎn)如下：
1、配有雙數(shù)字表：一塊數(shù)字表在測量顯示硅片電阻率的同時(shí)，另一塊數(shù)字表（以萬分之幾的精度）適時(shí)監(jiān)測全過程中的電流變化，使操作更簡便，測量更。
數(shù)字電壓表量程：0—19.999mV 靈敏度：1μV 輸入阻抗：1000ΜΩ
基本誤差±(0.04-0.05%讀數(shù)+0.01%滿度) ；
2、方塊電阻測量范圍：1×10-5～1.9Ω/□；
3、電流量程分兩檔：100mA和1000mA。
2024世環(huán)會【工業(yè)節(jié)能與環(huán)保展】
div6月3日，2024世環(huán)會【工業(yè)節(jié)能與環(huán)保展】于上海丨國家會展中[詳細(xì)]
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