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蘇州芯矽電子科技有限公司
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所 在 地蘇州市
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更新時(shí)間:2025-06-11 13:17:42瀏覽次數(shù):47次
聯(lián)系我時(shí),請告知來自 環(huán)保在線槽數(shù) | 其他 | 超聲清洗頻率 | 定制 |
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工作方式 | 定制 | 功率 | 定制 |
加工定制 | 是 | 類型 | 一體式 |
清洗溫度 | 定制℃ | 適用領(lǐng)域 | 電子行業(yè) |
外形尺寸 | 定制cm | 用途 | 工業(yè)用 |
CMP清洗設(shè)備,專為高精度平面研磨后清洗設(shè)計(jì)。采用化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù),集高效清洗與精密表面處理于一體。設(shè)備配備智能控制系統(tǒng),能精準(zhǔn)調(diào)節(jié)清洗參數(shù),確保硅片、玻璃基板等工件表面無劃痕、無殘留。噴淋與刷洗結(jié)合方式,快速去除研磨液及微粒,提升產(chǎn)品良率。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)等領(lǐng)域,是追求品質(zhì)企業(yè)的理想選擇,助力生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量雙重提升。
一、產(chǎn)品概述
CMP清洗設(shè)備是化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Planarization)工藝中的關(guān)鍵設(shè)備,主要用于對(duì)半導(dǎo)體晶圓、光學(xué)玻璃、硅片等表面進(jìn)行高精度的平坦化處理和清洗。它能夠有效去除表面的微觀凸起、劃痕、殘留顆粒以及附著的污染物,使工件表面達(dá)到的平整度和清潔度,滿足現(xiàn)代電子、光學(xué)等高科技產(chǎn)業(yè)對(duì)高精度零部件的嚴(yán)格要求。
二、工作原理
CMP清洗設(shè)備基于化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨的協(xié)同作用。在研磨過程中,工件表面與研磨盤接觸,同時(shí)添加含有磨料的研磨液。研磨液中的化學(xué)成分與工件表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成一層易于去除的軟質(zhì)層,然后通過研磨盤的旋轉(zhuǎn)和施加的一定壓力,利用磨料的機(jī)械摩擦作用將軟質(zhì)層及表面凸起部分去除,實(shí)現(xiàn)表面的平坦化。清洗過程則通過噴淋、刷洗、超聲波清洗等多種方式相結(jié)合,去除研磨后殘留的研磨液、顆粒等雜質(zhì),并確保工件表面無任何殘留物。
三、主要特點(diǎn)
高精度平坦化:能夠?qū)崿F(xiàn)納米級(jí)甚至更高精度的表面平整度控制,有效改善工件表面的粗糙度和平整度,提高產(chǎn)品性能和質(zhì)量。例如在半導(dǎo)體制造中,可顯著提升芯片的性能和集成度。
高效清洗:具備強(qiáng)大的清洗能力,可快速地去除各種污染物,包括研磨液、金屬顆粒、有機(jī)物等,保證工件表面的潔凈度,減少因污染導(dǎo)致的缺陷和失效。
智能化控制:采用的自動(dòng)化控制系統(tǒng),可精確設(shè)置和調(diào)節(jié)研磨壓力、轉(zhuǎn)速、清洗時(shí)間、溫度等參數(shù),實(shí)現(xiàn)工藝過程的自動(dòng)化和標(biāo)準(zhǔn)化,提高生產(chǎn)效率和穩(wěn)定性,降低人為因素對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量的影響。
多功能一體化:集研磨、清洗、干燥等多種功能于一體,減少了工藝流程中的轉(zhuǎn)運(yùn)環(huán)節(jié),降低了工件受損的風(fēng)險(xiǎn),同時(shí)也節(jié)省了生產(chǎn)空間和人力成本。
良好的兼容性:可適應(yīng)不同材質(zhì)、尺寸和形狀的工件,如硅片、玻璃基板、陶瓷片等,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)、電子、航空航天等多個(gè)領(lǐng)域。
四、應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體制造:用于晶圓的研磨和清洗,是芯片制造過程中的關(guān)鍵設(shè)備,可提高芯片的集成度和性能,減小芯片尺寸,降低生產(chǎn)成本。
光學(xué)行業(yè):對(duì)光學(xué)玻璃、鏡片等進(jìn)行平坦化處理和清洗,提高光學(xué)元件的表面質(zhì)量和光學(xué)性能,滿足高精度光學(xué)儀器和攝像頭等產(chǎn)品的需求。
電子封裝:在封裝過程中,對(duì)封裝基板、芯片等進(jìn)行表面處理,確保封裝的可靠性和電氣性能。
航空航天:用于制造航空航天零部件所需的高精度材料表面處理,如航空發(fā)動(dòng)機(jī)葉片、航天器外殼等,提高零部件的性能和使用壽命。
五、技術(shù)參數(shù)
不同型號(hào)的CMP清洗設(shè)備技術(shù)參數(shù)會(huì)有所差異,一般包括以下方面:
研磨盤尺寸:通常根據(jù)工件尺寸和產(chǎn)量要求選擇,常見的有φ300mm、φ450mm、φ600mm等。
研磨壓力:可調(diào)范圍一般在0.1 - 10kgf/cm2之間,可根據(jù)不同的工藝要求進(jìn)行精確設(shè)置。
轉(zhuǎn)速:研磨盤轉(zhuǎn)速通常在10 - 100rpm之間,可滿足不同材料和工藝的研磨需求。
清洗方式:包括噴淋清洗、刷洗、超聲波清洗等,可根據(jù)污染物類型和清洗要求進(jìn)行組合選擇。
清洗液流量:可根據(jù)工件數(shù)量和污染程度進(jìn)行調(diào)整,一般在0 - 10L/min之間。
設(shè)備尺寸:根據(jù)設(shè)備的規(guī)格和功能不同而有所差異,一般長度在2 - 5米,寬度在1 - 2米,高度在1.5 - 3米之間。
電源要求:通常為380V/50Hz三相五線制電源,功率根據(jù)設(shè)備型號(hào)和配置不同而有所變化,一般在10 - 50kW之間。
CMP清洗設(shè)備作為一種高精度、高效率的表面處理設(shè)備,在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中具有重要的應(yīng)用價(jià)值。隨著科技的不斷進(jìn)步和市場需求的不斷增長,CMP清洗設(shè)備的技術(shù)和性能也將不斷提升,為各行業(yè)的發(fā)展提供更加有力的支持。
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