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TE制冷型銦鎵砷探測(cè)器（DInGaAs探測(cè)器）

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產(chǎn)品型號(hào)DInGaAs(x)-TE

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北京卓立漢光儀器有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

TE 制冷型銦鎵砷探測(cè)器DInGaAs(x)-TE 具有相同的外觀設(shè)計(jì)，其探測(cè)元件均使用進(jìn)口二級(jí)制冷銦鎵砷探測(cè)器。

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品概述

TE 制冷型銦鎵砷探測(cè)器DInGaAs(x)-TE 具有相同的外觀設(shè)計(jì)，其探測(cè)元件均使用進(jìn)口二級(jí)制冷銦鎵砷探測(cè)器。

光譜響應(yīng)度曲線參考圖（虛線為某款國(guó)產(chǎn)InGaAs對(duì)比曲線）

銦鎵砷探測(cè)器使用建議：

■ DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器均為電流輸出模式的光電探測(cè)器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器ZAMP做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)；標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào)，但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度；

■ DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)使用時(shí)，由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器，故可不再需要另行選配前置放大器；

■ 制冷型DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)，在制冷模式時(shí)須使用溫控器（型號(hào)：ZTC）進(jìn)行降溫控制；

型號(hào)/參數(shù)	DInGaAs1700-TE	DInGaAs2600-TE	DInGaAs2600H-TE
光敏面直徑(mm)	3	3	3
波長(zhǎng)范圍(nm)	800-1700	800-2600	800-2600
峰值響應(yīng)度(A/W)	0.9	1.2	1.3
D*(典型值)	8.4×1013	44.9×1011	4.5×1011
NEP(典型值)	3.2×10-15	5.5×10-13	6×10-13
溫控器型號(hào)	ZTC	ZTC	ZTC-H
探測(cè)器溫度(℃)	-40	-40	-20
溫度穩(wěn)定度(℃)	±0.5	±0.5	±0.5
環(huán)境溫度(℃)	+10~+40	+10~+40	+10~+40
信號(hào)輸出模式	電流	電流	電流
輸出信號(hào)極性	正（P）	正（P）	正（P）
匹配前置放大器型號(hào)	ZPA-7	ZPA-7	Preamplifier