一種新的方法將解決它。該方法對(duì)于測(cè)量復(fù)雜機(jī)械組件中的接觸電阻非常有用。接觸電阻定義為接觸兩端的電壓與流經(jīng)閉合的一對(duì)接觸的電流之比。它符合歐姆定律。金屬1和金屬2之間有一個(gè)接口?？梢詮碾娏鞅碜x取電流I，電流I流過(guò)該接口。然后可以從電壓表讀取接口兩端的電壓降，即U。然后可以計(jì)算出接觸電阻值Rx。
由于接觸電阻隨環(huán)境和電流的流逝而變化，因此測(cè)量條件應(yīng)與使用條件相近。在精確測(cè)量中必須使用四端子測(cè)量技術(shù)和消除熱EMFs技術(shù)。這種間接測(cè)量方法可用于測(cè)量接觸電阻或環(huán)路電阻。它需要三個(gè)測(cè)試點(diǎn)，三個(gè)步驟和三個(gè)公式。該方法已被批準(zhǔn)為正確方法，也可用于校準(zhǔn)環(huán)路電阻器標(biāo)準(zhǔn)。
四線(開(kāi)爾文)直流電壓降是微歐表用于接觸電阻測(cè)試的典型方法，通過(guò)消除自身的接觸電阻和測(cè)試引線的電阻，可以確保更準(zhǔn)確的測(cè)量。
接觸電阻測(cè)試是使用兩個(gè)電流連接進(jìn)行注入，并使用兩個(gè)電位引線進(jìn)行電壓降測(cè)量來(lái)進(jìn)行的；電壓電纜必須盡可能靠近要測(cè)試的連接，并且始終在所連接的電流引線形成的電路內(nèi)部。
通過(guò)測(cè)量電壓降，微處理器控制的微歐表可以計(jì)算接觸電阻，同時(shí)消除了由于連接中的熱EMF效應(yīng)而引起的可能的誤差(熱EMF是在將兩種不同的金屬連接在一起時(shí)產(chǎn)生的小的熱電偶電壓)如果不通過(guò)不同方法從測(cè)量中減去誤差(極性反轉(zhuǎn)和求平均值，直接測(cè)量熱電動(dòng)勢(shì)的大小等)，則將它們添加到測(cè)量的總壓降中，并將誤差引入到接觸電阻測(cè)試中。
如果在使用低電流測(cè)試斷路器觸點(diǎn)電阻時(shí)獲得低電阻讀數(shù)，則建議在較高電流下重新測(cè)試觸點(diǎn)。為什么使用更高的電流會(huì)受益？較高的電流將有能力克服端子上的連接問(wèn)題和氧化，在這種情況下，較低的電流可能會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤的(較高的)讀數(shù)。
在接觸電阻測(cè)試中，保持一致的測(cè)量條件非常重要，能夠與以前和將來(lái)的結(jié)果進(jìn)行比較以進(jìn)行趨勢(shì)分析。因此，在進(jìn)行定期測(cè)量時(shí)，必須在相同的位置，使用相同的測(cè)試導(dǎo)線(始終使用制造商提供的校準(zhǔn)電纜)并且在相同的條件下進(jìn)行接觸電阻測(cè)試，以便能夠知道何時(shí)進(jìn)行連接。 連接，焊接或設(shè)備將變得不安全。
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