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美國(guó)Hinds光彈調(diào)制器

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美國(guó)Hinds光彈調(diào)制器

詳細(xì)介紹

美國(guó)Hinds光彈調(diào)制器



 

美國(guó)Hinds Instruments成立于1971年，基于的PEM偏振分析技術(shù)，研發(fā)和生產(chǎn)了光彈變調(diào)制器件和系統(tǒng)。這些器件和系統(tǒng)適用于測(cè)量各種參數(shù)，包括雙折射，斯托克斯偏振測(cè)量，二向色性，旋光性及其他研究和工業(yè)測(cè)量的需要。該公司專注于研究室生產(chǎn)的核心技術(shù)模塊，最終系統(tǒng)測(cè)試，校準(zhǔn)和質(zhì)量管理，確保高質(zhì)量產(chǎn)品，以滿足甚至超越客戶的需要。
美國(guó)Hinds Instruments, Inc公司是世界的光彈調(diào)制器（photoelastic modulators）生產(chǎn)商。Hinds Instruments公司的PEM光彈調(diào)制器可以控制光束的偏振狀態(tài)的改變，調(diào)制速率為20~100kHz。光彈調(diào)制器（PEM）的作用就像一個(gè)“動(dòng)態(tài)的波片"，可以使快軸和慢軸之間產(chǎn)生一個(gè)周期變化的折射率差，從而控制透過(guò)光束的偏振進(jìn)行周期性的變化。具體而言即，光彈調(diào)制器（photoelastic modulators）通過(guò)對(duì)線偏振光添一定的相位使輸出光在圓偏振、橢圓偏振、線偏振等狀態(tài)之間井進(jìn)行變化，同時(shí)光彈調(diào)制器（PEM）還可以使光在左旋、右旋兩種狀態(tài)之間進(jìn)行切換。


光彈調(diào)制器對(duì)比聲光調(diào)制器、電光調(diào)制器、液晶調(diào)制器的之處包括：
? 非常大通光孔徑（15到30mm，標(biāo)準(zhǔn)），同時(shí)保持很高的調(diào)制器頻率
? 超大接受角度（市場(chǎng)角）范圍（+/- 20°）
? 波長(zhǎng)覆蓋范圍大（170nm~10um，F(xiàn)IR~THZ）
? 高損傷閾值
? 可精確控制相位延遲


PEM光彈調(diào)制器電學(xué)和光學(xué)頭封裝在不同的部件中。這樣能夠最小化光學(xué)系統(tǒng)單元的尺寸，同樣也使得光學(xué)頭與磁場(chǎng)或真空兼容（當(dāng)這些有需要的時(shí)候）。

Hinds Instruments光彈調(diào)制器主要分為兩個(gè)系列：
Series I 系列光彈調(diào)制器使用矩形光學(xué)原件，波長(zhǎng)覆蓋紫外、可見(jiàn)光和紅外至1或者2um。
Series II系列光彈調(diào)制器使用對(duì)稱或者八角形的光學(xué)原件，波長(zhǎng)覆蓋可見(jiàn)和紅外（到中紅外）頻譜區(qū)域。特殊的型號(hào)可用于紫外。

Hinds Instruments公司光彈調(diào)制器的光學(xué)頭使用不同的光學(xué)材料，材料的選取主要取決于儀器頻譜透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。

TABLE 1

 

 

SPECTRAL REGION

SERIES

MATERIAL

Vacuum UV, UV

I

Lithium Fluoride

Vacuum UV to mid-IR

I,II

Calcium Fluoride

Vacuum UV to near-IR

I,II

Fused Silica

Mid-visible to mid-IR

II

Zinc Selenide

Near- to mid-IR

II

Silicon

相對(duì)于Series II八角形光學(xué)元件，Series I矩形的光學(xué)元件在相同厚度的情況下，相位延遲量更少。在紅外波段，這是一個(gè)缺點(diǎn)，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，這則變成為了一個(gè)很大優(yōu)點(diǎn)。

八角形（Series II）光學(xué)元件在給定的厚度下更加的有效率，因此在紅外波段有更多的優(yōu)勢(shì)。使用Series II操作低延遲量（例如：深紫外）或許會(huì)造成一些問(wèn)題。

可選選項(xiàng)（規(guī)格和價(jià)格會(huì)因?yàn)榭蛻粜枰淖?，詳情詢?wèn)昊量光電的工程師）
? 增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光學(xué)調(diào)制器上，窄帶寬和寬帶寬鍍膜都可得。
? 請(qǐng)聯(lián)系昊量光電關(guān)于頻譜范圍和透射率要求
? 無(wú)干涉選項(xiàng)，Model NIO。這一項(xiàng)用于偏轉(zhuǎn)光束路徑，因此消除了調(diào)制器干涉
? 特殊頻率，Model SFO。標(biāo)準(zhǔn)的調(diào)制頭配以特殊頻率
? 特殊光學(xué)頭/電學(xué)頭電纜，Model SLHH
? 特殊調(diào)制頭附件，Model SHE。光學(xué)頭可以根據(jù)客戶需要提供特殊形狀
? 真空操作。PEM可用于真空環(huán)境，詳情請(qǐng)?jiān)儐?wèn)Hinds
        磁場(chǎng)兼容選項(xiàng)，Model MFC。光學(xué)頭不含任何磁鐵材料，用于強(qiáng)磁場(chǎng)中

基本指標(biāo)

基本指標(biāo)

Model

Optical Material

Nominal

Frequency

Retardation Range

Useful

Aperture1

Quarter Wave

Half Wave

I/FS50

Fused Silica

50 kHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

16mm

I/FS20

Fused Silica

20 KHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

22mm

I/CF50

Calcium Fluoride

50 kHz

130nm - 2μm

130nm - 1μm

16mm

II/FS20A

Fused Silica

20 kHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

56mm

II/FS20B

Fused Silica

20 kHz

1.6μm - 2.6μm

800nm - 2.5μm

56mm

II/FS42A

Fused Silica

42 kHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

27mm

II/FS42B

Fused Silica

42 kHz

1.6μm - 2.6μm

800nm - 2.5μm

27mm

II/FS47A

Fused Silica

47 kHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

24mm

 

II/FS47B

Fused Silica

47 kHz

1.6μm - 2.6μm

800nm - 2.5μm

24mm

II/FS84

Fused Silica

84 kHz

800nm - 2.5μm

400nm - 2.5μm

13mm

II/IS42B

Fused Silica

42 kHz

1.6μm - 3.5μm

800nm - 2.5μm

27mm

II/IS84

Fused Silica

84 kHz

800nm - 3.5μm

400nm - 1.8μm

27mm

II/CF57

Calcium Fluoride

57 kHz

2μm - 8.5μm

1μm - 5.5μm

23mm

II/ZS37

Zinc Selenide

37 kHz

2μm - 18μm

1μm - 9μm

19mm

II/ZS50

Zinc Selenide

50 kHz

2μm - 18μm

1μm - 10μm

14mm

II/SI40

Silicon

40 kHz

FIR - THz

FIR - THz

36mm

II/SI50

Silicon

50 KHz

FIR - THz

FIR - THz

29mm



 
 

美國(guó)Hinds Instruments成立于1971年，基于的PEM偏振分析技術(shù)，研發(fā)和生產(chǎn)了光彈變調(diào)制器件和系統(tǒng)。這些器件和系統(tǒng)適用于測(cè)量各種參數(shù)，包括雙折射，斯托克斯偏振測(cè)量，二向色性，旋光性及其他研究和工業(yè)測(cè)量的需要。該公司專注于研究室生產(chǎn)的核心技術(shù)模塊，最終系統(tǒng)測(cè)試，校準(zhǔn)和質(zhì)量管理，確保高質(zhì)量產(chǎn)品，以滿足甚至超越客戶的需要。
美國(guó)Hinds Instruments, Inc公司是世界的光彈調(diào)制器（photoelastic modulators）生產(chǎn)商。Hinds Instruments公司的PEM光彈調(diào)制器可以控制光束的偏振狀態(tài)的改變，調(diào)制速率為20~100kHz。光彈調(diào)制器（PEM）的作用就像一個(gè)“動(dòng)態(tài)的波片"，可以使快軸和慢軸之間產(chǎn)生一個(gè)周期變化的折射率差，從而控制透過(guò)光束的偏振進(jìn)行周期性的變化。具體而言即，光彈調(diào)制器（photoelastic modulators）通過(guò)對(duì)線偏振光添一定的相位使輸出光在圓偏振、橢圓偏振、線偏振等狀態(tài)之間井進(jìn)行變化，同時(shí)光彈調(diào)制器（PEM）還可以使光在左旋、右旋兩種狀態(tài)之間進(jìn)行切換。


光彈調(diào)制器對(duì)比聲光調(diào)制器、電光調(diào)制器、液晶調(diào)制器的之處包括：
? 非常大通光孔徑（15到30mm，標(biāo)準(zhǔn)），同時(shí)保持很高的調(diào)制器頻率
? 超大接受角度（市場(chǎng)角）范圍（+/- 20°）
? 波長(zhǎng)覆蓋范圍大（170nm~10um，F(xiàn)IR~THZ）
? 高損傷閾值
? 可精確控制相位延遲


PEM光彈調(diào)制器電學(xué)和光學(xué)頭封裝在不同的部件中。這樣能夠最小化光學(xué)系統(tǒng)單元的尺寸，同樣也使得光學(xué)頭與磁場(chǎng)或真空兼容（當(dāng)這些有需要的時(shí)候）。

Hinds Instruments光彈調(diào)制器主要分為兩個(gè)系列：
Series I 系列光彈調(diào)制器使用矩形光學(xué)原件，波長(zhǎng)覆蓋紫外、可見(jiàn)光和紅外至1或者2um。
Series II系列光彈調(diào)制器使用對(duì)稱或者八角形的光學(xué)原件，波長(zhǎng)覆蓋可見(jiàn)和紅外（到中紅外）頻譜區(qū)域。特殊的型號(hào)可用于紫外。

Hinds Instruments公司光彈調(diào)制器的光學(xué)頭使用不同的光學(xué)材料，材料的選取主要取決于儀器頻譜透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。

TABLE 1

 

 

SPECTRAL REGION

SERIES

MATERIAL

Vacuum UV, UV

I

Lithium Fluoride

Vacuum UV to mid-IR

I,II

Calcium Fluoride

Vacuum UV to near-IR

I,II

Fused Silica

Mid-visible to mid-IR

II

Zinc Selenide

Near- to mid-IR

II

Silicon

相對(duì)于Series II八角形光學(xué)元件，Series I矩形的光學(xué)元件在相同厚度的情況下，相位延遲量更少。在紅外波段，這是一個(gè)缺點(diǎn)，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，這則變成為了一個(gè)很大優(yōu)點(diǎn)。

八角形（Series II）光學(xué)元件在給定的厚度下更加的有效率，因此在紅外波段有更多的優(yōu)勢(shì)。使用Series II操作低延遲量（例如：深紫外）或許會(huì)造成一些問(wèn)題。

可選選項(xiàng)（規(guī)格和價(jià)格會(huì)因?yàn)榭蛻粜枰淖?，詳情詢?wèn)昊量光電的工程師）
? 增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光學(xué)調(diào)制器上，窄帶寬和寬帶寬鍍膜都可得。
? 請(qǐng)聯(lián)系昊量光電關(guān)于頻譜范圍和透射率要求
? 無(wú)干涉選項(xiàng)，Model NIO。這一項(xiàng)用于偏轉(zhuǎn)光束路徑，因此消除了調(diào)制器干涉
? 特殊頻率，Model SFO。標(biāo)準(zhǔn)的調(diào)制頭配以特殊頻率
? 特殊光學(xué)頭/電學(xué)頭電纜，Model SLHH
? 特殊調(diào)制頭附件，Model SHE。光學(xué)頭可以根據(jù)客戶需要提供特殊形狀
? 真空操作。PEM可用于真空環(huán)境，詳情請(qǐng)?jiān)儐?wèn)Hinds
        磁場(chǎng)兼容選項(xiàng)，Model MFC。光學(xué)頭不含任何磁鐵材料，用于強(qiáng)磁場(chǎng)中

基本指標(biāo)

基本指標(biāo)

Model

Optical Material

Nominal

Frequency

Retardation Range

Useful

Aperture1

Quarter Wave

Half Wave

I/FS50

Fused Silica

50 kHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

16mm

I/FS20

Fused Silica

20 KHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

22mm

I/CF50

Calcium Fluoride

50 kHz

130nm - 2μm

130nm - 1μm

16mm

II/FS20A

Fused Silica

20 kHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

56mm

II/FS20B

Fused Silica

20 kHz

1.6μm - 2.6μm

800nm - 2.5μm

56mm

II/FS42A

Fused Silica

42 kHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

27mm

II/FS42B

Fused Silica

42 kHz

1.6μm - 2.6μm

800nm - 2.5μm

27mm

II/FS47A

Fused Silica

47 kHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

24mm

 

II/FS47B

Fused Silica

47 kHz

1.6μm - 2.6μm

800nm - 2.5μm

24mm

II/FS84

Fused Silica

84 kHz

800nm - 2.5μm

400nm - 2.5μm

13mm

II/IS42B

Fused Silica

42 kHz

1.6μm - 3.5μm

800nm - 2.5μm

27mm

II/IS84

Fused Silica

84 kHz

800nm - 3.5μm

400nm - 1.8μm

27mm

II/CF57

Calcium Fluoride

57 kHz

2μm - 8.5μm

1μm - 5.5μm

23mm

II/ZS37

Zinc Selenide

37 kHz

2μm - 18μm

1μm - 9μm

19mm

II/ZS50

Zinc Selenide

50 kHz

2μm - 18μm

1μm - 10μm

14mm

II/SI40

Silicon

40 kHz

FIR - THz

FIR - THz

36mm

II/SI50

Silicon

50 KHz

FIR - THz

FIR - THz

29mm



 


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