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| 數(shù)字式硅晶體載流子復(fù)合壽命測試儀/少子壽命測試儀（鑄造多晶） 型號：ZH8204 | 貨號：ZH8204 |
| 產(chǎn)品簡介: 100C型200型的的zui大區(qū)別只是紅外激光管的功率大了一倍，加了個紅外地光照破除陷進效應(yīng) τ:1～6000μs ρ＞0.1Ω·cm太陽能級硅片壽命，配已知壽命樣片、配數(shù)字示波器， 本設(shè)備是按照標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探器行業(yè)已運用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗，經(jīng)過數(shù)次十多個單位巡回測試的考驗，證明是一種成熟可靠的測試方法，適合于硅塊、硅棒的少子體壽命測量；也可對硅片進行測量，給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面，因此制樣簡便。 產(chǎn)品特點： 可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面需拋光，直接對切割面或研磨面進行測量，儀器可按需方提供的有標(biāo)稱值的校準(zhǔn)樣品調(diào)試壽命值。 可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命，表面需拋光、鈍化。 液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時在線顯示光電導(dǎo)衰退波形。 配置的紅外光源：0.904～0.905μm波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強較強，有利于測量低阻太陽能級硅晶體少數(shù)載流子體壽命，脈沖功率30W。 專門為消除陷進效應(yīng)增加了紅外低光照。 測量范圍寬廣 測試儀可直接測量： a、研磨或切割面：電阻率≥0.5Ω?cm的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。 b、拋光面：電阻率在0.5～0.01Ω?cm范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。 范 圍：0.5μs~6000μs 電 阻 率：ρ﹥0.1Ω·cm（非回爐料） 測試速度：1分鐘/片 紅外光源波長： 0.904～0.905μm 高頻振蕩源：用石英諧振器，振蕩頻率：30MHZ 前置放大器，放大倍數(shù)約25，頻寬2HZ-2MHZ 可測單晶尺寸：斷面豎測： 直徑25mm-150mm；厚度2mm-500mm 縱向臥測：直徑5mm-20mm；長度50mm-200mm 測量方式：采用數(shù)字示波器直接讀數(shù)方式 測試分辨率：數(shù)字存儲示波器zui小分辨率0.01μs 設(shè)備重量：20 Kg 儀器電源：電源電壓類型：單相210～230V,50Hz,帶電源隔離、濾波、穩(wěn)壓，不能與未做保護措施的大功率、高頻設(shè)備共用電源。 |  |
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