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BW-3022A
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BW-3022A 10008元 100套可售
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更新時(shí)間：2023-12-23 16:32:50瀏覽次數(shù)：216次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自 環(huán)保在線| 測(cè)量范圍 | 1500V | 測(cè)量精度 | 電流分辨率1nA |
|---|---|---|---|
| 產(chǎn)地 | 國(guó)產(chǎn) | 外形尺寸 | 深 305*寬 280*高 120mm |
| 用途 | 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試 | 重量 | 小于5kg |
BWDT-3022A 型晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀可測(cè)試三極管、MOS 場(chǎng)效應(yīng)管、J 型場(chǎng)效應(yīng)管、整流二極管、三端肖特基整流器、三端電壓穩(wěn)壓器和基準(zhǔn)器 TL431,為三極管、MOS 場(chǎng)效應(yīng)管、J 型場(chǎng)效應(yīng)管、二極管等提供了 15 種最主要參數(shù)的測(cè)試，以及參數(shù)"合格/不合格"(OK/NO)測(cè)試，用戶通過(guò)機(jī)器上的按鍵很容易的把測(cè)試條件輸入進(jìn)去，并將參數(shù)存入EEPROM 中，便于日后方便且快速的打開(kāi)調(diào)用.
產(chǎn)品型號(hào)：BWDT-3022A
產(chǎn)品名稱：晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀；
物理規(guī)格
主機(jī)尺寸：深 305*寬 280*高 120(mm)
主機(jī)重量：＜5Kg
主機(jī)顏色：白色系
電氣環(huán)境 主機(jī)功耗：＜75W
環(huán)境要求：-20℃～60℃（儲(chǔ)存）、5℃～50℃（工作）
相對(duì)濕度：≯85%； 大氣壓力：86Kpa～106Kpa
防護(hù)條件：無(wú)較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等
電網(wǎng)要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz
工作時(shí)間：連續(xù)；
BWDT-3022A 型晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀是專為測(cè)試電子元器件的直流參數(shù)而設(shè)計(jì)。 可測(cè)試三極管、MOS 場(chǎng)效應(yīng)管、J 型場(chǎng)效應(yīng)管、整流二極管、三端肖特基整流器、三端 電壓穩(wěn)壓器和基準(zhǔn)器 TL431，其良好的中文界面軟件，簡(jiǎn)化了用戶對(duì) BWDT-3022A 的操 作和編程。測(cè)試條件和測(cè)試參數(shù)一次快捷設(shè)定，并存入 EEPROM 中。不需附加任何其它 軟件，無(wú)需操作培訓(xùn),就可操作該儀器. BWDT-3022A 為三極管、MOS 場(chǎng)效應(yīng)管、J 型場(chǎng)效應(yīng)管、二極管等提供了 15 種最主 要參數(shù)的測(cè)試，以及參數(shù)"合格/不合格"(OK/NO)測(cè)試，用戶通過(guò)機(jī)器上的按鍵很容易的把 測(cè)試條件輸入進(jìn)去，并將參數(shù)存入 EEPROM 中，便于日后方便且快速的打開(kāi)調(diào)用。
※ 大屏幕液晶,中文操作界面,顯示直觀簡(jiǎn)潔,操作方面簡(jiǎn)單
※ 大容量 EEPROM 存儲(chǔ)器,儲(chǔ)存量可多達(dá) 2000 種設(shè)置型號(hào)數(shù).
※ 全部可編程的 DUT 恒流源和電壓源
※ 內(nèi)置繼電器矩陣自動(dòng)連接所需的測(cè)試電路,電壓/電流源和測(cè)試回路
※ 高壓測(cè)試電流分辨率 1uA,測(cè)試電壓可達(dá) 1500V
※ 重復(fù)"回路"式測(cè)試解決了元件發(fā)熱和間歇的問(wèn)題
※ 軟件自校準(zhǔn)功能
※ 產(chǎn)品基于大規(guī)模微處理器,當(dāng)用戶選定了設(shè)置好的型號(hào)時(shí),在手動(dòng)測(cè)試時(shí),按下測(cè)試 開(kāi)關(guān),使測(cè)試機(jī)開(kāi)始執(zhí)行功能檢測(cè),自動(dòng)測(cè)試過(guò)程將在 BWDT-3022A 的測(cè)試座上檢測(cè) DUT 短路,開(kāi)路或誤接現(xiàn)象,如果發(fā)現(xiàn),就立即停止測(cè)試。功能檢測(cè)主要目的是保護(hù)被測(cè)器件DUT 不因型號(hào)選錯(cuò)而測(cè)壞
※ DUT 的功能檢測(cè)通過(guò) LCD 顯示出被測(cè)器件/DUT 的類型(三極管,MOS 場(chǎng)管等),引腳 排列(P_XXX)測(cè)試方式(手動(dòng)/自動(dòng))并繼續(xù)進(jìn)行循環(huán)測(cè)試,顯示測(cè)試結(jié)果是否合格,并有聲光 提示
※ 在測(cè)試整流二極管時(shí),BWDT-3022A 能自動(dòng)識(shí)別引腳功能,并自動(dòng)轉(zhuǎn)換矩陣開(kāi)關(guān)進(jìn) 行參數(shù)測(cè)試.測(cè)試后顯示對(duì)應(yīng)引腳功能號(hào)
※ 兩種工作模式
1、自動(dòng)模式：自動(dòng)檢測(cè)有無(wú) DUT 放于測(cè)試座中,有則自動(dòng)處于重復(fù)測(cè)試狀態(tài),無(wú)則處 于重復(fù)檢測(cè)狀態(tài)； 2、手動(dòng)模式：（剛開(kāi)始未測(cè)試時(shí)屏幕白屏屬正?，F(xiàn)象）;當(dāng)測(cè)試開(kāi)關(guān)按下后自動(dòng)對(duì)測(cè) 試座中的 DUT 進(jìn)行檢測(cè)測(cè)試,長(zhǎng)按開(kāi)關(guān)不松開(kāi)則處于重復(fù)測(cè)試狀態(tài),松開(kāi)開(kāi)關(guān)則自動(dòng)停止測(cè)試
1、BJT/三極管
(1)Vbe:Ib:表示測(cè)試三極管 VBE 壓降時(shí)的輸入電流.
(2)Vce:Bv:表示測(cè)試三極管耐壓 BVceo 時(shí)輸入的測(cè)試電壓.
(3)Vce:Ir:表示測(cè)試三極管耐壓 BVceo 時(shí)輸入的測(cè)試電流.
(4)HEF:Ic:表示測(cè)試三極管直流放大倍數(shù)的集電極電流.
(5)HEF:Vce:表示測(cè)試三極管直流放大倍數(shù)的集電極電壓
(6)Vsat:Ib:表示測(cè)試三極管飽和導(dǎo)通壓降時(shí)輸入基極的電流.
(7)Vsat:Ic:表示測(cè)試三極管飽和導(dǎo)通壓降時(shí)輸入集電極的電流.
(8)Vb:表示三極管的輸入壓降 VBE.
(9)VCEO:表示三極管的耐壓(BVceo).
(10)HEF:表示三極管的直流放大倍數(shù)(HEF).
(11)Vsat:表示三極管的飽和導(dǎo)通壓降(VCEsat).
(12)TestModel:Auto :表示設(shè)置為自動(dòng)識(shí)別測(cè)試.
(13)TestModel:Manual :表示設(shè)置為手動(dòng)測(cè)試.
2、MOSFET/場(chǎng)效應(yīng)管
(1)Vth:ID:表示測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管柵極啟動(dòng)電壓(Vgs(th))的輸入電流.
(2)Vds:Bv:表示測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管耐壓(BVdss)時(shí)的測(cè)試電壓.
(3)Vds:Ir:表示測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管耐壓(BVdss)時(shí)的測(cè)試電流.
(4)Rs:Vg:表示測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)阻(Rson)時(shí)加在柵極的電壓.
(5)Rs:ID:表示測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)阻(Rson)時(shí)的測(cè)試電流.
(6)Vth:表示場(chǎng)效應(yīng)管的啟動(dòng)電壓(Vgs(th)).
(7)Bvds:表示場(chǎng)效應(yīng)管的耐壓(BVdss).
(8)Rs:表示場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通內(nèi)阻(Rdson)
(9)Igss:OG:表示測(cè)試場(chǎng)管輸入端 G 極的電容漏電特性，該設(shè)置數(shù)據(jù)為延時(shí)時(shí)間數(shù)，利 用延時(shí)設(shè)定時(shí)間后 VGS 電壓的保持量來(lái)測(cè)漏電特性。
(10)Test:T:表示測(cè)試多少次后就停止測(cè)試。可設(shè)定到 9999 次。
3、JFTE/結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管
(1)Ids:Vd 表示測(cè)試結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管漏極飽和電流(Idss)加在 D 極和 S 極的電壓(Vds)
(2)Vds:Bv 表示測(cè)試結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管耐壓(BVdss)時(shí)的測(cè)試電壓.
(3)Vr:Ir 表示測(cè)試結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管耐壓(BVdss)時(shí)的測(cè)試電流.
(4)Voff:Vd 表示測(cè)試結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管阻斷電壓(Vgs(off))加在 D 極和 S 極的電壓(Vds).
(5)Voff:Id 表示測(cè)試結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管阻斷電壓(Vgs(off))加在 D 和 S 的電流.
(6)Is:表示結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的漏源飽和電流(Idss),在 GS=0V 的條件下測(cè)得.
(7)Bvds:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管在關(guān)斷時(shí)的擊穿電壓.
(8)Vof:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的阻斷電壓(VGS(off)).
(9)gm:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的跨導(dǎo)系數(shù),即導(dǎo)通內(nèi)阻的倒數(shù).
4、三端穩(wěn)壓 IC
(1)Vo:Vi 表示測(cè)試三端穩(wěn)壓時(shí)的輸入測(cè)試電壓.
(2)Vo:Vi 表示測(cè)試三端穩(wěn)壓時(shí)加在輸出端的負(fù)載電流
(3)Vo:表示三端穩(wěn)壓的輸出電壓數(shù).
5、基準(zhǔn) IC
(1)Vz:Iz 表示測(cè)試基準(zhǔn) IC 時(shí)的輸入測(cè)試電流.
(2)Vz:表示基準(zhǔn) IC 的穩(wěn)定電壓數(shù)
6、整流二極,三端肖特基整流器
(1)VF:IF 表示測(cè)試三端肖特正向壓降 VF 的測(cè)試電流.
(2)Vr:Bv 表示測(cè)試三端肖特反向耐壓(VRRM)的測(cè)試電壓.
(3)Ir:Fu 表示測(cè)試時(shí)反向漏電流參數(shù)是否要測(cè)，設(shè)大于 0 為開(kāi)啟該項(xiàng)參數(shù)。
(4)Vr:Ir 表示測(cè)試三端肖特反向耐壓(VRRM)的測(cè)試電流.
(5)VF1:表示測(cè)試三端肖特正向壓降 1. (5)VF2:表示測(cè)試三端肖特正向壓降
BW-3022A測(cè)試技術(shù)指標(biāo)：
1、 整流二極管,三端肖特基:
耐壓(VRR)測(cè)試指標(biāo)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-1600V | 2V | +/-2% | 0-2.000mA |
導(dǎo)通正向壓降(VF)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-2.000V | 2mV | +/-2% | 0-2.000A |
2 、N型三極管
輸入正向壓降(Vbe)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-2.000V | 2mV | +/-2% | 0-2.000A |
耐壓(Bvceo)測(cè)試指標(biāo)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-1600V | 2V | +/-5% | 0-2.000mA |
直流放大倍數(shù)(HEF)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-12000 | 1 | +/-2% | 0-2.000A(Ic) 0-20V(Vce) |
輸出飽和導(dǎo)通壓降(Vsat)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-2.000V | 2mV | +/-2% | 0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic) |
3、P型三極管
輸入正向壓降(Vbe)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-2.000V | 2mV | +/-2% | 0-2.000A |
耐壓(Bvceo)測(cè)試指標(biāo)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-1600V | 2V | +/-5% | 0-2mA |
直流放大倍數(shù)(HEF)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-3000 | 1 | +/-2% | 100uA(Ib) 5V(Vce)固定 |
輸出飽和導(dǎo)通壓降(Vsat)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-2V | 2mV | +/-2% | 0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic) |
4、N,P型MOS場(chǎng)效應(yīng)管
輸入啟動(dòng)電壓(VGS(th))
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-20.00V | 20mV | +/-2% | 0-2.000mA |
耐壓(Bvds)測(cè)試指標(biāo)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-1500V | 2V | +/-5% | 0-2mA |
導(dǎo)通內(nèi)阻(Rson)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-9999MR | 0.1MR | +/-5% | 0-20.00V(VGS) 0-2.000A(ID) |
10R-100R | 0.1R | +/-5% | 0-20.00V(VGS) 0-2.000A(ID) |
5、三端穩(wěn)壓IC
輸出電壓(Vo)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-20.00V | 20mV | +/-2% | 0-20.00V(VI) 0-1.000A(IO) |
6、基準(zhǔn)IC 431
輸出電壓(Vo)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-20.00V | 20mV | +/-2% | 0-1A(Iz) |
7、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管
漏極飽和電流(Idss)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-40mA | 40uA | +/-2% | 0V(VGS) 0-20V(VDS) |
40-400mA | 400uA | +/-2% | 0V(VGS) 0-20V(VDS) |
耐壓(Bvds)測(cè)試指標(biāo)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-1600V | 2V | +/-5% | 0-2mA |
夾斷電壓(Vgs(off))
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-20.00V | 0.2V | +/-5% | 0-20V(VDS) 0-2mA(ID) |
共源正向跨導(dǎo)(gm)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-99mMHO | 1mMHO | +/-5% | 0V(VGS) 0-20V(VDS) |
8、雙向可控硅
導(dǎo)通觸發(fā)電流(IGT)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-40.00mA | 10uA | +/-2% | 0-20.00V(VD) IT(0-2.000A) |
導(dǎo)通觸發(fā)電壓(VGT)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-2.000V | 2mv | +/-2% | 0-20.00V(VD) IT(0-2.000A) |
耐壓(VDRM/VRRM)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-1500V | 2V | +/-5% | 0-2.000mA |
通態(tài)壓降(VTM)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-2.000V | 2mV | +/-2% | 0-2.000A(IT) |
保持電流(IH)
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 |
0-400mA | 0.2mA | +/-5% | 0-400Ma(IT)
|
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