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當(dāng)前位置:深圳九州工業(yè)品有限公司>>儀表,電子設(shè)備>>napson>> NC-10(NC-20)napson電阻測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻 電阻率

napson電阻測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻 電阻率

參   考   價(jià): 260000

訂  貨  量: ≥100 臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)NC-10(NC-20)

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)經(jīng)銷(xiāo)商

所  在  地深圳市

更新時(shí)間:2023-04-15 08:56:12瀏覽次數(shù):561次

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napson電阻測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻 電阻率NC-10(NC-20)的介紹
簡(jiǎn)單的測(cè)量?jī)x器,只需將樣品插入探頭之間即可測(cè)量
在電阻率/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
通過(guò) JOG 撥盤(pán)輕松設(shè)置測(cè)量條件
*由于探頭為固定型,請(qǐng)?jiān)谫?gòu)買(mǎi)前從多種類型中選擇一種。

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產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 節(jié)省空間,使用個(gè)人電腦輕松操作和數(shù)據(jù)處理

  • 非接觸式渦流法可實(shí)現(xiàn)無(wú)損傷測(cè)量

  • 探頭可拆卸和更換,因此每個(gè)量程的探頭都可以輕松更換。

  • (*可選用于第二個(gè)和后續(xù)電阻探頭)

  • 1 中心點(diǎn)測(cè)量

  • 厚度和溫度修正功能(硅晶圓)

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量對(duì)象

半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料(硅、多晶硅、SiC等)
 新材料/功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等)
 導(dǎo)電薄膜(金屬、ITO等)
 硅基外延、 ion Injection sample
 化合物半導(dǎo)體相關(guān)(GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等)
 其他(*請(qǐng)聯(lián)系我們)

 

測(cè)量尺寸

3 至 8 英寸,~156 x 156 毫米
(可選;2 英寸或 12 英寸,~210 x 210 毫米)

測(cè)量范圍

[電阻率] 1m 至 200 Ω?cm
(*所有探頭類型的總范圍/當(dāng)厚度為 500um 時(shí))
[薄層電阻] 10m 至 3k Ω/sq
(*所有探頭類型的總范圍)

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 只需觸摸手持探頭即可測(cè)量電阻

  • 在電阻率/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換

  • 通過(guò) JOG 撥盤(pán)輕松設(shè)置測(cè)量條件

  • 可互換連接器連接的電阻測(cè)量探頭支持各種電阻

  • (電阻探頭:最多可使用2+PN判斷探頭)


測(cè)量規(guī)格

測(cè)量對(duì)象

半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料(硅、多晶硅、SiC等)
新材料/功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜(金屬、ITO等)
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導(dǎo)體相關(guān)(GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等)
其他(*請(qǐng)聯(lián)系我們)

測(cè)量尺寸

不受樣品尺寸和形狀的影響(但是,大于 20 mmφ 且表面平坦的樣品)均可測(cè)量


測(cè)量范圍

[電阻率] 1m 至 200 Ω?cm
(*所有探頭類型的總范圍/當(dāng)厚度為 500um 時(shí))
[薄層電阻] 10m 至 3k Ω/sq

  • 節(jié)省空間,使用個(gè)人電腦輕松操作和數(shù)據(jù)處理

  • 非接觸式渦流法可實(shí)現(xiàn)無(wú)損傷測(cè)量

  • 探頭可拆卸和更換,因此每個(gè)量程的探頭都可以輕松更換。

  • (*可選用于第二個(gè)和后續(xù)電阻探頭)

  • 1 中心點(diǎn)測(cè)量

測(cè)量對(duì)象

半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料(硅、多晶硅、SiC等)
新材料/功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜(金屬、ITO等)
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導(dǎo)體相關(guān)(GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等)



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