蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核，同時(shí)通過(guò)了新能源行業(yè)頭部廠(chǎng)商的導(dǎo)入測(cè)試并量產(chǎn)交付，由廣電計(jì)量提供專(zhuān)業(yè)的檢驗(yàn)服務(wù)。
廣電計(jì)量出具的AEC-Q101可靠性試驗(yàn)報(bào)告
蓉矽半導(dǎo)體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級(jí)為1200V，AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)H3TRB項(xiàng)目的反偏電壓要求通常為100V，而HV-H3TRB考核則需將考核電壓提高到960V，蓉矽SiC MOSFET在此次考核中順利通過(guò)了 HV-H3TRB可靠性驗(yàn)證，同時(shí)對(duì)于應(yīng)用端特別關(guān)注的柵氧可靠性問(wèn)題，蓉矽的產(chǎn)品通過(guò)了VGS=+22V/-8V的嚴(yán)苛HTGB考核，表明器件在特定應(yīng)用場(chǎng)景中，也有優(yōu)秀的穩(wěn)定性和可靠性，可滿(mǎn)足新能源汽車(chē)、光伏逆變等領(lǐng)域?qū)β势骷母哔|(zhì)量和車(chē)規(guī)級(jí)可靠性要求。
AEC-Q101認(rèn)證是汽車(chē)行業(yè)最為核心的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)之一，是國(guó)際汽車(chē)行業(yè)通用的技術(shù)規(guī)范，包括各類(lèi)環(huán)境應(yīng)力、可靠性、耐久性、壽命測(cè)試等，擁有專(zhuān)門(mén)的測(cè)試要求和判斷標(biāo)準(zhǔn)，廣電計(jì)量出具公信力的AEC-Q檢測(cè)驗(yàn)證報(bào)告，通過(guò)AEC-Q認(rèn)證代表著器件具有優(yōu)異品質(zhì)和高可靠性。蓉矽半導(dǎo)體正在用DFR設(shè)計(jì)理念，全供應(yīng)鏈管理體系，完整的質(zhì)量管理體系向客戶(hù)提供高質(zhì)量、高可靠性SiC功率器件，保證交付的每一個(gè)批次、每一顆產(chǎn)品都符合標(biāo)準(zhǔn)要求。
蓉矽半導(dǎo)體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級(jí)為1200V，最大可持續(xù)電流達(dá)75A。
產(chǎn)品特點(diǎn)如下：
1、采用溝道自對(duì)準(zhǔn)工藝和凸多邊形密鋪的元胞布局形式，增加溝道密度、降低溝道電阻，提升器件在單位面積內(nèi)的電流能力；
2、采用多晶硅網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化技術(shù)，充分降低柵極內(nèi)阻，提高器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中對(duì)輸入電容的充放電速度，降低器件開(kāi)關(guān)損耗；
3、采用結(jié)終端優(yōu)化技術(shù)，降低器件在結(jié)終端的曲率效應(yīng)，提高器件耐壓能力；采用開(kāi)爾文源的PAD設(shè)置，降低封裝中的雜散電感；
4、VDD=800V時(shí)，短路耐受時(shí)間>3μs，TO-247-4封裝測(cè)試開(kāi)啟損耗為635μJ；
5、在下圖中，A為外商產(chǎn)品，B為國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商產(chǎn)品；所對(duì)比產(chǎn)品規(guī)格接近，封裝形式皆為T(mén)O-247-3L，驅(qū)動(dòng)電壓采用各廠(chǎng)商推薦值，測(cè)試結(jié)果采用標(biāo)準(zhǔn)化處理且蓉矽產(chǎn)品為“1"。從對(duì)比結(jié)果可以看出，得益于密勒電容和多晶硅電阻的優(yōu)化，蓉矽第一代SiC MOSFET在開(kāi)關(guān)損耗上的表現(xiàn)在所有競(jìng)品中處于較好水平。
關(guān)于蓉矽半導(dǎo)體
成都蓉矽半導(dǎo)體有限公司成立于2019年，是四川省專(zhuān)注碳化硅功率器件設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)，擁有中國(guó)臺(tái)灣漢磊科技第一優(yōu)先級(jí)產(chǎn)能保障，致力于自主開(kāi)發(fā)的車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅器件。
蓉矽半導(dǎo)體設(shè)有高性?xún)r(jià)比“NovuSiC®"和高可靠性“DuraSiC®"產(chǎn)品系列，涵蓋碳化硅二極管EJBS™與碳化硅MOSFET；硅基FR MOS與理想硅基二極管MCR®，應(yīng)用于光伏逆變器、儲(chǔ)能、充電樁、OBC及新能源汽車(chē)等領(lǐng)域。蓉矽半導(dǎo)體擁有德國(guó)萊茵ISO 9001質(zhì)量管理體系認(rèn)證，涵蓋設(shè)計(jì)、晶圓制造和封測(cè)等環(huán)節(jié)，建立了材料、外延、制造與封裝測(cè)試均符合IATF 16949的完整供應(yīng)鏈，嚴(yán)格按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)考核驗(yàn)證。在國(guó)內(nèi)投資引入WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 測(cè)試系統(tǒng)，保障碳化硅晶圓出廠(chǎng)質(zhì)量與可靠性超越行業(yè)最高標(biāo)準(zhǔn)。
工業(yè)和信息化部“面向集成電路、芯片產(chǎn)業(yè)的公共服務(wù)平臺(tái)"
工業(yè)和信息化部“面向制造業(yè)的傳感器等關(guān)鍵元器件創(chuàng)新成果產(chǎn)業(yè)化公共服務(wù)平臺(tái)"
國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)“導(dǎo)航產(chǎn)品板級(jí)組件質(zhì)量檢測(cè)公共服務(wù)平臺(tái)"
廣東省工業(yè)和信息化廳“汽車(chē)芯片檢測(cè)公共服務(wù)平臺(tái)"
江蘇省發(fā)展和改革委員會(huì)“第三代半導(dǎo)體器件性能測(cè)試與材料分析工程研究中心"
上海市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)“大規(guī)模集成電路分析測(cè)試平臺(tái)"
在集成電路及SiC領(lǐng)域是技術(shù)能力全面、最高的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)之一，已完成MCU、AI芯片、安全芯片等上百個(gè)型號(hào)的芯片驗(yàn)證，并支持完成多款型號(hào)芯片的工程化和量產(chǎn)。
在車(chē)規(guī)領(lǐng)域擁有AEC-Q及AQG324全部服務(wù)能力，獲得了近50家車(chē)廠(chǎng)的認(rèn)可，出具近400份AEC-Q及AQG324報(bào)告，助力100多款車(chē)規(guī)元器件量產(chǎn)。
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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