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蓉矽半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級考核和

      發(fā)布時(shí)間:2024-12-19
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 蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核,同時(shí)通過了新能源行業(yè)頭部廠商的導(dǎo)入測試并量產(chǎn)交付,由廣電計(jì)量提供專業(yè)的檢驗(yàn)服務(wù)。



廣電計(jì)量出具的AEC-Q101可靠性試驗(yàn)報(bào)告

        蓉矽半導(dǎo)體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V,AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)中對H3TRB項(xiàng)目的反偏電壓要求通常為100V,而HV-H3TRB考核則需將考核電壓提高到960V,蓉矽SiC MOSFET在此次考核中順利通過了 HV-H3TRB可靠性驗(yàn)證,同時(shí)對于應(yīng)用端特別關(guān)注的柵氧可靠性問題,蓉矽的產(chǎn)品通過了VGS=+22V/-8V的嚴(yán)苛HTGB考核,表明器件在特定應(yīng)用場景中,也有優(yōu)秀的穩(wěn)定性和可靠性,可滿足新能源汽車、光伏逆變等領(lǐng)域?qū)β势骷母哔|(zhì)量和車規(guī)級可靠性要求。

AEC-Q101認(rèn)證是汽車行業(yè)最為核心的國際標(biāo)準(zhǔn)之一,是國際汽車行業(yè)通用的技術(shù)規(guī)范,包括各類環(huán)境應(yīng)力、可靠性、耐久性、壽命測試等,擁有專門的測試要求和判斷標(biāo)準(zhǔn),廣電計(jì)量出具公信力的AEC-Q檢測驗(yàn)證報(bào)告,通過AEC-Q認(rèn)證代表著器件具有優(yōu)異品質(zhì)和高可靠性。蓉矽半導(dǎo)體正在用DFR設(shè)計(jì)理念,全供應(yīng)鏈管理體系,完整的質(zhì)量管理體系向客戶提供高質(zhì)量、高可靠性SiC功率器件,保證交付的每一個(gè)批次、每一顆產(chǎn)品都符合標(biāo)準(zhǔn)要求。

產(chǎn)品介紹

        蓉矽半導(dǎo)體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V,最大可持續(xù)電流達(dá)75A。

        產(chǎn)品特點(diǎn)如下:

        1、采用溝道自對準(zhǔn)工藝和凸多邊形密鋪的元胞布局形式,增加溝道密度、降低溝道電阻,提升器件在單位面積內(nèi)的電流能力;

        2、采用多晶硅網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化技術(shù),充分降低柵極內(nèi)阻,提高器件在開關(guān)過程中對輸入電容的充放電速度,降低器件開關(guān)損耗;

        3、采用結(jié)終端優(yōu)化技術(shù),降低器件在結(jié)終端的曲率效應(yīng),提高器件耐壓能力;采用開爾文源的PAD設(shè)置,降低封裝中的雜散電感;

        4、VDD=800V時(shí),短路耐受時(shí)間>3μs,TO-247-4封裝測試開啟損耗為635μJ;

        5、在下圖中,A為外商產(chǎn)品,B為國內(nèi)廠商產(chǎn)品;所對比產(chǎn)品規(guī)格接近,封裝形式皆為TO-247-3L,驅(qū)動電壓采用各廠商推薦值,測試結(jié)果采用標(biāo)準(zhǔn)化處理且蓉矽產(chǎn)品為“1"。從對比結(jié)果可以看出,得益于密勒電容和多晶硅電阻的優(yōu)化,蓉矽第一代SiC MOSFET在開關(guān)損耗上的表現(xiàn)在所有競品中處于較好水平。

關(guān)于蓉矽半導(dǎo)體

        成都蓉矽半導(dǎo)體有限公司成立于2019年,是四川省專注碳化硅功率器件設(shè)計(jì)與開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè),擁有中國臺灣漢磊科技第一優(yōu)先級產(chǎn)能保障,致力于自主開發(fā)的車規(guī)級碳化硅器件。

        蓉矽半導(dǎo)體設(shè)有高性價(jià)比“NovuSiC®"和高可靠性“DuraSiC®"產(chǎn)品系列,涵蓋碳化硅二極管EJBS™與碳化硅MOSFET;硅基FR MOS與理想硅基二極管MCR®,應(yīng)用于光伏逆變器、儲能、充電樁、OBC及新能源汽車等領(lǐng)域。蓉矽半導(dǎo)體擁有德國萊茵ISO 9001質(zhì)量管理體系認(rèn)證,涵蓋設(shè)計(jì)、晶圓制造和封測等環(huán)節(jié),建立了材料、外延、制造與封裝測試均符合IATF 16949的完整供應(yīng)鏈,嚴(yán)格按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)考核驗(yàn)證。在國內(nèi)投資引入WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 測試系統(tǒng),保障碳化硅晶圓出廠質(zhì)量與可靠性超越行業(yè)最高標(biāo)準(zhǔn)。

廣電計(jì)量服務(wù)優(yōu)勢
  • 工業(yè)和信息化部“面向集成電路、芯片產(chǎn)業(yè)的公共服務(wù)平臺"

  • 工業(yè)和信息化部“面向制造業(yè)的傳感器等關(guān)鍵元器件創(chuàng)新成果產(chǎn)業(yè)化公共服務(wù)平臺"

  • 國家發(fā)展和改革委員會“導(dǎo)航產(chǎn)品板級組件質(zhì)量檢測公共服務(wù)平臺"

  • 廣東省工業(yè)和信息化廳“汽車芯片檢測公共服務(wù)平臺"

  • 江蘇省發(fā)展和改革委員會“第三代半導(dǎo)體器件性能測試與材料分析工程研究中心"

  • 上海市科學(xué)技術(shù)委員會“大規(guī)模集成電路分析測試平臺"

  • 在集成電路及SiC領(lǐng)域是技術(shù)能力全面、最高的第三方檢測機(jī)構(gòu)之一,已完成MCU、AI芯片、安全芯片等上百個(gè)型號的芯片驗(yàn)證,并支持完成多款型號芯片的工程化和量產(chǎn)。

  • 在車規(guī)領(lǐng)域擁有AEC-Q及AQG324全部服務(wù)能力,獲得了近50家車廠的認(rèn)可,出具近400份AEC-Q及AQG324報(bào)告,助力100多款車規(guī)元器件量產(chǎn)。



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