蓉矽半導體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核，同時通過了新能源行業(yè)頭部廠商的導入測試并量產(chǎn)交付，由廣電計量提供專業(yè)的檢驗服務。
廣電計量出具的AEC-Q101可靠性試驗報告
蓉矽半導體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V，AEC-Q101標準中對H3TRB項目的反偏電壓要求通常為100V，而HV-H3TRB考核則需將考核電壓提高到960V，蓉矽SiC MOSFET在此次考核中順利通過了 HV-H3TRB可靠性驗證，同時對于應用端特別關注的柵氧可靠性問題，蓉矽的產(chǎn)品通過了VGS=+22V/-8V的嚴苛HTGB考核，表明器件在特定應用場景中，也有優(yōu)秀的穩(wěn)定性和可靠性，可滿足新能源汽車、光伏逆變等領域?qū)β势骷母哔|(zhì)量和車規(guī)級可靠性要求。
AEC-Q101認證是汽車行業(yè)最為核心的國際標準之一，是國際汽車行業(yè)通用的技術規(guī)范，包括各類環(huán)境應力、可靠性、耐久性、壽命測試等，擁有專門的測試要求和判斷標準，廣電計量出具公信力的AEC-Q檢測驗證報告，通過AEC-Q認證代表著器件具有優(yōu)異品質(zhì)和高可靠性。蓉矽半導體正在用DFR設計理念，全供應鏈管理體系，完整的質(zhì)量管理體系向客戶提供高質(zhì)量、高可靠性SiC功率器件，保證交付的每一個批次、每一顆產(chǎn)品都符合標準要求。
蓉矽半導體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V，最大可持續(xù)電流達75A。
產(chǎn)品特點如下：
1、采用溝道自對準工藝和凸多邊形密鋪的元胞布局形式，增加溝道密度、降低溝道電阻，提升器件在單位面積內(nèi)的電流能力；
2、采用多晶硅網(wǎng)絡優(yōu)化技術，充分降低柵極內(nèi)阻，提高器件在開關過程中對輸入電容的充放電速度，降低器件開關損耗；
3、采用結(jié)終端優(yōu)化技術，降低器件在結(jié)終端的曲率效應，提高器件耐壓能力；采用開爾文源的PAD設置，降低封裝中的雜散電感；
4、VDD=800V時，短路耐受時間>3μs，TO-247-4封裝測試開啟損耗為635μJ；
5、在下圖中，A為外商產(chǎn)品，B為國內(nèi)廠商產(chǎn)品；所對比產(chǎn)品規(guī)格接近，封裝形式皆為TO-247-3L，驅(qū)動電壓采用各廠商推薦值，測試結(jié)果采用標準化處理且蓉矽產(chǎn)品為“1"。從對比結(jié)果可以看出，得益于密勒電容和多晶硅電阻的優(yōu)化，蓉矽第一代SiC MOSFET在開關損耗上的表現(xiàn)在所有競品中處于較好水平。
關于蓉矽半導體
成都蓉矽半導體有限公司成立于2019年，是四川省專注碳化硅功率器件設計與開發(fā)的高新技術企業(yè)，擁有中國臺灣漢磊科技第一優(yōu)先級產(chǎn)能保障，致力于自主開發(fā)的車規(guī)級碳化硅器件。
蓉矽半導體設有高性價比“NovuSiC®"和高可靠性“DuraSiC®"產(chǎn)品系列，涵蓋碳化硅二極管EJBS™與碳化硅MOSFET；硅基FR MOS與理想硅基二極管MCR®，應用于光伏逆變器、儲能、充電樁、OBC及新能源汽車等領域。蓉矽半導體擁有德國萊茵ISO 9001質(zhì)量管理體系認證，涵蓋設計、晶圓制造和封測等環(huán)節(jié)，建立了材料、外延、制造與封裝測試均符合IATF 16949的完整供應鏈，嚴格按照AEC-Q101標準考核驗證。在國內(nèi)投資引入WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 測試系統(tǒng)，保障碳化硅晶圓出廠質(zhì)量與可靠性超越行業(yè)最高標準。
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在集成電路及SiC領域是技術能力全面、最高的第三方檢測機構之一，已完成MCU、AI芯片、安全芯片等上百個型號的芯片驗證，并支持完成多款型號芯片的工程化和量產(chǎn)。
在車規(guī)領域擁有AEC-Q及AQG324全部服務能力，獲得了近50家車廠的認可，出具近400份AEC-Q及AQG324報告，助力100多款車規(guī)元器件量產(chǎn)。
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