產(chǎn)品介紹：Helios設(shè)計(jì)與飛秒激光放大器一起工作，采集14fs-8ns時(shí)域的瞬態(tài)吸收光譜，包括：基態(tài)漂白(GroundStateBleaching)、激發(fā)態(tài)吸收(ExcitedStateAbsorption)，受激輻射(StimulatedEmission)等光譜信息

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品介紹：

Helios設(shè)計(jì)與飛秒激光放大器一起工作，采集14 fs - 8 ns時(shí)域的瞬態(tài)吸收光譜，包括：基態(tài)漂白 (Ground StateBleaching)、激發(fā)態(tài)吸收 (Excited State Absorption)，受激輻射 (Stimulated Emission)等光譜信息。
　籍此分析單線態(tài)能級(jí)躍遷引發(fā)超快速能量轉(zhuǎn)移、電子遷移、激發(fā)態(tài)能級(jí)躍遷、熒光輻射等信息。高速智能延時(shí)線，采集14 fs - 8 ns，采集~10⁶時(shí)域的3D瞬態(tài)吸收光譜，需~30 min（5min fire）。10 nJ(10 μW @1 kHz)低能量泵浦，適用于OPV/OLED/AIE等材料研究。大光譜范圍：350 - 2400 nm，標(biāo)配 450 - 800 nm。CMOS線陣列傳感器，數(shù)據(jù)采集可與1000 Hz（可選：5,000 Hz）激光器同步?？缮?jí)為漫反射(Diffused reflectance)瞬態(tài)吸收光譜儀，內(nèi)置Kubelka–Munk方程計(jì)算光吸收，漫反射與透射可以切換使用。

產(chǎn)品參數(shù)：

延時(shí)分辨率	14 fs
時(shí)間分辨率*	1.4 x 激光脈沖時(shí)間
時(shí)間窗口	8 ns
適合激光頻率	任意
探測(cè)波長(zhǎng)	450 - 800 nm
	350 - 750 nm
	選配：800 - 1600 nm
	選配：1.6 – 2.4 µm
Vis檢測(cè)器	CMOS線陣列傳感器
像素	1024
響應(yīng)波長(zhǎng)	200 - 1000 nm
分辨率	2 nm (50 µm 狹縫時(shí))，4 nm (200 µm 狹縫時(shí))
光譜范圍	600 nm (通常: 350 - 950 nm)
采集速度	2400 條光譜/s，14bit 選配：5000 條光譜/s，16bit (fire)
NIR檢測(cè)器	InGaAs線陣列傳感器 (選配)
像素	256
響應(yīng)波長(zhǎng)	800 - 1600 nm
分辨率	5 nm (50 µm 狹縫時(shí))，13 nm (200 µm 狹縫時(shí))
光譜范圍	800 nm (通常: 800 - 1600 nm)
采集速度	2400 條光譜/s，14bit；選配：5000 條光譜/s，16bit (fire)
SWIR檢測(cè)器	InGaAs線陣列傳感器 (選配)
像素	256
響應(yīng)波長(zhǎng)	1000 - 2600 nm
分辨率	5 nm (50 µm 狹縫時(shí))，13 nm (200 µm 狹縫時(shí))
光譜范圍	800 nm (通常: 1600 - 2400 nm)
采集速度	2400 條光譜/s，14bit
數(shù)據(jù)格式	ASCII CSV (兼容Excel)
數(shù)據(jù)采集軟件	Helios 4.x
數(shù)據(jù)分析軟件	Surface Xplorer
光學(xué)模塊體積 (長(zhǎng)寬高)	915 X 610 X 250 mm³
電子模塊體積 (長(zhǎng)寬高)	534 X 610 X 686 mm³