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HMDS真空烘箱HMDS系列

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產品型號HMDS系列

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更新時間:2024-02-17 07:19:19瀏覽次數:317次

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產品簡介

HMDS真空烘箱特點:1、機外殼采用不銹鋼SUS304材質制造,內膽為不銹鋼316L材料制成;加熱器均勻分布在內膽外壁四周,內膽內無任何電氣配件及易燃易爆裝置

詳細介紹

HMDS真空烘箱特點:
1、機外殼采用不銹鋼SUS304材質制造,內膽為不銹鋼316L材料制成;加熱器均勻分布在內膽外壁四周,內膽內無任何電氣配件及易燃易爆裝置。鋼化、雙層玻璃門觀察工作室內物體一目了然。
2、HMDS預處理烘箱箱門閉合松緊能調節(jié),整體成型的硅橡膠門封圈,確保箱內高真空度。
3、微電腦智能控溫儀,具有設定,測定溫度雙數字顯示和PID自整定功能,控溫精確,可靠。
4、智能化觸摸屏控制系統(tǒng)配套日本三菱PLC模塊可供用戶根據不同制程條件改變程序,溫度,真空度及每一程序時間。
5、HMDS氣體密閉式自動吸取添加設計,真空箱密封性能佳,確保HMDS氣體無外漏顧慮。
6、整個系統(tǒng)采用優(yōu)質材料制造,無發(fā)塵材料,適用100 級光刻間凈化環(huán)境。

HMDS真空烘箱特點:
在半導體生產工藝中,光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環(huán)節(jié),涂膠質量直接影響到光刻的質量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導致光刻圖形轉移的失敗,同時濕法腐蝕容易發(fā)生側向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。

HMDS真空烘箱三款標配型號技術參數如下:

1.HMDS-6020真空烘箱技術參數:
電源電壓:AC 220V±10%/50Hz±2%
輸入功率:1500W
控溫范圍:室溫+10℃-250℃
溫度分辨率:0.1℃
溫度波動度:±0.5℃
達到真空度:133Pa
容積:20L
工作室尺寸(mm):300*300*275
外形尺寸(mm):465*465*725
載物托架:1塊
時間單位:分鐘

HMDS-6090真空烘箱技術參數:
電源電壓:AC 220V±10%/50Hz±2%
輸入功率:3000W
控溫范圍:室溫+10℃-250℃
溫度分辨率:0.1℃
溫度波動度:±0.5℃
達到真空度:133Pa
容積:90L
工作室尺寸(mm):450*450*450
外形尺寸(mm):615*615*900
載物托架:2塊
時間單位:分鐘

HMDS-6210真空烘箱技術參數:
電源電壓:AC 380V±10%/50Hz±2%
輸入功率:4000W
控溫范圍:室溫+10℃-250℃
溫度分辨率:0.1℃
溫度波動度:±0.5℃
達到真空度:133Pa
容積:210L
工作室尺寸(mm):560*640*600
外形尺寸(mm):720*820*1050
HMDS預處理烘箱載物托架:3塊
時間單位:分鐘

選配件
真空泵:德國品牌,萊寶“DC”雙極系列旋片式油泵,極限真空高,噪音低,運行穩(wěn)定。連接管:不銹鋼波紋管,密封將真空泵與烘箱連接。

HMDS真空烘箱的必要性:
在半導體生產工藝中,光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環(huán)節(jié),涂膠質量直接影響到光刻的質量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導致光刻圖形轉移的失敗,同時濕法腐蝕容易發(fā)生側向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到硅片表面后,經烘箱加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?,其疏水基可很好地與光刻膠結合,起著偶聯劑的作用。

HMDS真空烘箱的原理:
HMDS預處理系統(tǒng)通過對真空干燥箱HMDS預處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS,降低了HMDS處理后的硅片接觸角,降低了光刻膠的用量,提高光刻膠與硅片的黏附性。

HMDS真空烘箱的一般工作流程:
先確定工作溫度。典型的預處理程序為:打開真空泵抽真空,待腔內真牢度達到某一高真空度后,開始充人氮氣,充到達到某低真空度后,冉次進行抽真空、充入氮氣的過程,到達設定的充入氮氣次數后,開始保持一段時間,使硅片充分受熱,減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空,充入HMDS氣體,在到達設定時間后,停止充入HMDS藥液,進入保持階段,使硅片充分與HMDS反應。當達到設定的保持時間后,再次開始抽真空。充入氮氣,完成整個作業(yè)過程。HMDS與硅片反應機理如圖:先加熱到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,然后HMDS與表面的OH一反應,在硅片表而生成硅醚,消除氫鍵作,從而使極性表面變成非極性表面。整個反應持續(xù)到空間位阻(三甲基硅烷基較大)阻止其進一步反應。

尾氣排放等:多余的HMDS蒸汽(尾氣)將由真空泵抽出,排放到專用廢氣收集管道。在無專用廢氣收集管道時需做專門處理。


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