308晶振正規(guī)代理無(wú)源晶振封裝中國(guó)晶體廠

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深圳市偉瑞電子有限公司

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308晶振正規(guī)代理無(wú)源晶振封裝中國(guó)晶體廠

詳細(xì)介紹

　　在通信系統(tǒng)產(chǎn)品中，石英晶體振蕩器的價(jià)值得到了更廣泛的體現(xiàn)，同時(shí)也得到了更快的發(fā)展。許多高性能的石英晶振主要應(yīng)用于通信網(wǎng)絡(luò)、無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸、高速數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)傳輸?shù)取?/p>

　　晶體振蕩器的主要特性之一是工作溫度內(nèi)的穩(wěn)定性，它是決定振蕩器價(jià)格的重要因素。穩(wěn)定性愈高或溫度范圍愈寬，器件的價(jià)格亦愈高。工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的-40～ 75℃這個(gè)范圍往往只是出于設(shè)計(jì)者們的習(xí)慣，倘若-30～ 70℃已經(jīng)夠用，那么就不必去追求更寬的溫度范圍。設(shè)計(jì)工程師要慎密決定特定應(yīng)用的實(shí)際需要，然后規(guī)定振蕩器的穩(wěn)定度。指標(biāo)過(guò)高意味著花錢愈多。晶體老化是造成頻率變化的又一重要因素。根據(jù)目標(biāo)產(chǎn)品的預(yù)期壽命不同，有多種方法可以減弱這種影響。晶體老化會(huì)使輸出頻率按照對(duì)數(shù)曲線發(fā)生變化，也就是說(shuō)在產(chǎn)品使用的年，這種現(xiàn)象才為顯著。例如，使用10年以上的晶體，其老化速度大約是年的3倍。采用特殊的晶體加工工藝可以改善這種情況，也可以采用調(diào)節(jié)的辦法解決，比如，可以在控制引腳上施加電壓（即增加電壓控制功能）等。

　　如何防止晶振出現(xiàn)不良現(xiàn)象，現(xiàn)在介紹嚴(yán)格按照技術(shù)要求的規(guī)定，對(duì)晶振組件進(jìn)行檢漏試驗(yàn)以檢查其密封性，具體如下：

　　1、壓封工序是將調(diào)好的諧振件在保護(hù)中與外殼封裝起來(lái)，以穩(wěn)定石英晶體諧振器的電氣性能。在此工序應(yīng)保持送料倉(cāng)、壓封倉(cāng)和出料倉(cāng)干凈，壓封倉(cāng)要連續(xù)沖，并在壓封過(guò)程中注意焊頭磨損情況及模具位置，電壓、氣壓和流量是否正常，否則及時(shí)處理。其質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)為：無(wú)傷痕、毛刺、頂坑、彎腿，壓印對(duì)稱不可歪斜。

　　2、由于石英晶體是被動(dòng)組件，它是由IC提供適當(dāng)?shù)募?lì)功率而正常工作的，因此，當(dāng)激勵(lì)功率過(guò)低時(shí)，石英晶振不易起振，過(guò)高時(shí)，便形成過(guò)激勵(lì)，使石英芯片破損，引起停振。所以，應(yīng)提供適當(dāng)?shù)募?lì)功率。另外，有功負(fù)載會(huì)消耗一定的功率，從而降低晶體Q值，從而使晶體的穩(wěn)定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩(wěn)定狀態(tài)，出現(xiàn)時(shí)振時(shí)不振現(xiàn)象，所以，外加有功負(fù)載時(shí)，應(yīng)匹配一個(gè)比較合適有功負(fù)載。

　　3、控制好剪腳和焊錫工序，并保證基座絕緣性能和引腳質(zhì)量，引腳鍍層光亮均勻無(wú)麻面，無(wú)變形、裂痕、變色、劃傷、污跡及鍍層剝落。為了更好地防止單漏，可以在晶體下加一個(gè)絕緣墊片。

　　4、當(dāng)晶體產(chǎn)生頻率漂移而且超出頻差范圍時(shí)，應(yīng)檢查是否匹配了合適的負(fù)載電容，可以通過(guò)調(diào)節(jié)晶體的負(fù)載電容來(lái)解決。

　　晶振在電氣上可以等效成一個(gè)電容和一個(gè)電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個(gè)電容的二端網(wǎng)絡(luò)，電工學(xué)上這個(gè)網(wǎng)絡(luò)有兩個(gè)諧振點(diǎn)，以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯(lián)諧振，較高的頻率為并聯(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個(gè)頻率的距離相當(dāng)?shù)慕咏谶@個(gè)極窄的頻率范圍內(nèi)，晶振等效為一個(gè)電感，所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會(huì)組成并聯(lián)諧振電路。這個(gè)并聯(lián)諧振電路加到一個(gè)負(fù)反饋電路中就可以構(gòu)成正弦波振蕩電路，由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄，所以即使其他元件的參數(shù)變化很大，這個(gè)振蕩器的頻率也不會(huì)有很大的變化。晶振有一個(gè)重要的參數(shù)，那就是負(fù)載電容值，選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率。一般的晶振振蕩電路都是在一個(gè)反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個(gè)電容分別接到晶振的兩端，每個(gè)電容的另一端再接到地，這兩個(gè)電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容，請(qǐng)注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個(gè)不能忽略。一般的晶振的負(fù)載電容為15p或12.5p，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個(gè)22p的電容構(gòu)成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。

關(guān)鍵詞：石英晶體振蕩器晶體振蕩器振蕩器芯片

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